boron-11とは 意味・読み方・使い方

(xxv) Boron, boron compounds or boron mixtures, or primary or semi-finished products thereof, comprised of concentrated boron with a boron 10 to boron 10 and boron 11 ratio greater than the ratio in nature, or anything containing such boron発音を聞く 例文帳に追加

二十五　ほう素、ほう素化合物若しくはほう素混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品であって、ほう素一〇のほう素一〇及びほう素一一に対する比率が天然の比率を超えて濃縮されたほう素から構成されるもの又はそのほう素を含むもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The thickness of the boron doped layer 9 is 1 μm or smaller, and the surface concentration of the boron is 4.0×10^10-3.5×10^11 cm^-2.例文帳に追加

ホウ素ドーピング層９の厚さは１μｍ以下とし、ホウ素の面濃度は４．０×１０^１０乃至３．５×１０^１１ｃｍ^−２とする。 - 特許庁

An IGBT 10 comprises a P type collector region 11 containing P type impurity such as boron.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、ボロン等のＰ型不純物を含むＰ型コレクタ領域１１を備える。 - 特許庁

A vapor deposition source of magnesium, a vapor deposition source of boron and a substrate 11 are arranged in a reaction chamber 2, and magnesium and boron are simultaneously evaporated in the reaction chamber 2 to form magnesium diboride on the substrate 11.例文帳に追加

マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板１１とを反応室２内に配置し、反応室２内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板１１上に二ホウ化マグネシウムを形成する。 - 特許庁

The thickness of the surface layer 11 is 0.5-1.5 μm, and the rate of cubic boron nitride to the whole boron nitride in the surface layer 11 is 10-70 mol%.例文帳に追加

表面層（１１）は、その厚みが０．５〜１．５μｍであり、表面層（１１）中の全窒化ホウ素に対する立方晶窒化ホウ素の割合が、１０〜７０ｍｏｌ％である。 - 特許庁

By CVD growth performed in material gas containing such a compound containing boron as BCl_3 (boron trichloride), a doped polysilicon layer PS2 containing boron is so formed as to fill the doped polysilicon layer PS2 into an opening obtained after removing a gate electrode 11 in a region PR therefrom.例文帳に追加

ＢＣｌ_3（三塩化ボロン）などのボロンを含有する化合物を含んだ材料ガス中でのＣＶＤ成長により、ボロンを含んだドープトポリシリコン層ＰＳ２を形成することで、領域ＰＲにおけるゲート電極１１が除去された後の開口部にドープトポリシリコン層ＰＳ２を充填する。 - 特許庁

A cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated onto the silicon substrate 1 at a bottom part of the contact hole 10, and a silicon layer 11 containing the boron and germanium is formed in the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０の底部にあるシリコン基板１に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビーム２０を照射して、シリコン基板１中にホウ素とゲルマニウムとを含むシリコン層１１を形成する。 - 特許庁