「boron-11」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By CVD growth performed in material gas containing such a compound containing boron as BCl_3 (boron trichloride), a doped polysilicon layer PS2 containing boron is so formed as to fill the doped polysilicon layer PS2 into an opening obtained after removing a gate electrode 11 in a region PR therefrom.例文帳に追加

ＢＣｌ_3（三塩化ボロン）などのボロンを含有する化合物を含んだ材料ガス中でのＣＶＤ成長により、ボロンを含んだドープトポリシリコン層ＰＳ２を形成することで、領域ＰＲにおけるゲート電極１１が除去された後の開口部にドープトポリシリコン層ＰＳ２を充填する。 - 特許庁

A cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated onto the silicon substrate 1 at a bottom part of the contact hole 10, and a silicon layer 11 containing the boron and germanium is formed in the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０の底部にあるシリコン基板１に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビーム２０を照射して、シリコン基板１中にホウ素とゲルマニウムとを含むシリコン層１１を形成する。 - 特許庁

In the electron-emitting element 10, a boron nitride material 13 is used as the electron discharge material, and as a substrate 11 to form the boron nitride material, a metal material or a semiconductor material has been used.例文帳に追加

本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。 - 特許庁

A high concentration boron-silicon layer 21 and a low concentration boron-silicon layer 22 are formed under the silicon insulating film 11 of an SOI substrate for producing a stencil mask and wet etching is carried out with an alkali solution such as a KOH solution.例文帳に追加

ステンシルマスク作製用のＳＯＩ基板のシリコン絶縁膜１１の下に高濃度ボロンシリコン層２１、低濃度ボロンシリコン層２２を構成して、ＫＯＨ溶液等のアルカリ溶液でウエットエッチングする。 - 特許庁

Next, an impurity implanting region 11 is formed by implanting boron ions into the surface of the wafer.例文帳に追加

次にウェハ表面にホウ素イオンを注入することにより不純物注入領域１１を形成する。 - 特許庁

The discharge lamp 3 has a devitrification control film 18 made of a boron oxide film formed on an inner face 111A1 of the arc tube 11.例文帳に追加

本発明の放電ランプ３には、発光管１１の内面１１１Ａ１にホウ素酸化物膜からなる失透抑制膜１８が形成されている。 - 特許庁

Therefore, it is possible to remove 11 boron from the ion injection face prior to the lamination with a wafer 20 for a supporting substrate.例文帳に追加

よって、支持基板用ウェーハ２０との貼り合わせ前にイオン注入面から１１ボロンを除去することができる。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁

At this time, P-type impurity (e.g. boron (B)) ions are implanted in the large element isolation region 8a positioned in the N-well region 11.例文帳に追加

このとき、Ｎウェル領域１１に位置する大きな素子分離領域８ａにｐ型不純物（例えば、ボロン（Ｂ））がイオン注入される。 - 特許庁

By heating the semiconductor substrate 11 to reactivate boron, borons in the two diffusion layers are relocated.例文帳に追加

半導体基板１１を加熱して、ボロンを再活性化させることにより、２つの拡散層のボロンを再配置させる。 - 特許庁

In succession, impurity element (e.g. boron) is implanted into the silicon substrate 11 through the opening.例文帳に追加

続いて、イオン注入方法にて、不純物元素（例えばホウ素）をエッチングにて開口した部分のシリコン基板１１に注入する。 - 特許庁

The surface of at least one of the back flow preventing ring 23, the heating cylinder 11 and the screw head 14 is coated with boron carbide.例文帳に追加

逆流防止リング２３、加熱シリンダ１１及びスクリューヘッド１４のうちの少なくとも一つの表面に炭化ボロンが被覆される。 - 特許庁

The boron concentration of a side channel 16 in the channel region 11 of the n-type thin film transistor 4 is made higher than that of a central portion 17 in the channel region 11.例文帳に追加

ｎ型薄膜トランジスタ４のチャネル領域11のサイドチャネル部16のボロン濃度を、このチャネル領域11のセンタ部17のボロン濃度よりも高濃度にする。 - 特許庁

A boron phosphide based semiconductor device 10 (11) comprises at least a p-type boron phosphide system semiconductor layer 104 and a p-type ohmic electrode 105 formed thereon, wherein the p-type ohmic electrode 105 is formed of an alloy of nickel and boron.例文帳に追加

この発明のリン化硼素系半導体発光素子１０（１１）は、少なくともｐ形リン化硼素系半導体層１０４とその上に形成したｐ形オーミック電極１０５と備えるリン化硼素系半導体素子であって、ｐ形オーミック電極１０５を、ニッケルと硼素との合金から構成した、ことを特徴としている。 - 特許庁

The nitride semiconductor containing boron has a multilayer structure in which first nitride semiconductor layers 12 and 14 with a boron composition of less than 0.05 and second nitride semiconductor layers 13 with a thickness of less than 10 nm and a boron composition of ≤0.05 and <0.5 are alternately laminated on a substrate 11, and the second nitride semiconductor layers 13 are sandwiched between the first nitride semiconductor layers 12 and 14.例文帳に追加

ホウ素を含有する窒化物半導体であって、基板１１上に、ホウ素の組成が０．０５未満の第１の窒化物半導体層１２，１４と、厚さが１０ｎｍ未満で、ホウ素の組成が０．０５以上０．５未満の第２の窒化物半導体層１３とを交互に積層し、第２の窒化物半導体層１３を第１の窒化物半導体層１２，１４で挟んだ多層構造を有する。 - 特許庁

This hexagonal boron nitride structure includes an insulating substrate 11 and a single crystal hexagonal boron nitride 12 formed on the insulating substrate and contains silicon, magnesium, beryllium or sulfur as an impurity with its doping concentration in the range from 1×10^16 to 1×10^20 cm^-3.例文帳に追加

絶縁性基板１１と、該絶縁性基板上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素１２とを有する六方晶窒化ホウ素構造であって、不純物としてシリコン、マグネシウム、ベリリウム、またはイオウを含み、そのドーピング濃度は、１×１０^16から１×１０^20ｃｍ^-3の範囲であることを特徴とする。 - 特許庁

The discharge lamp 3 has a first protective film 18A mainly composed of metal oxide and a second protective film 18B mainly composed of boron nitride or boron oxide formed in that order on an inner face 111A1 of the arc tube 11.例文帳に追加

本発明の放電ランプ３は、発光管１１の内面１１１Ａ１に、金属酸化物を主成分とする第１の保護膜１８Ａと、ホウ素窒化物またはホウ素酸化物を主成分とする第２の保護膜１８Ｂと、がこの順で形成されている。 - 特許庁

A coat 5 comprises from the base body 3 side, a base layer 7 provided on the surface of the base body 3 and comprising titanium nitride, an intermediate layer 9 provided on the outer surface of the base layer 7 and comprising titanium, boron and nitrogen, and a surface layer 11 provided on the outer surface of the intermediate layer 9 and comprising boron nitride.例文帳に追加

被覆膜（５）は、基体（３）側より、基体表面に設けられた窒化チタンからなるベース層（７）と、ベース層（７）の外表面に設けられたチタン、ホウ素、及び窒素からなる中間層（９）と、中間層（９）の外表面に設けられた窒化ホウ素からなる表面層（１１）とからなる。 - 特許庁

This semiconductor device has a structure, wherein a boron- added polycrystalline silicon film 20, a barrier film 11 and a high-melting point metal film 12 are arranged in the order of the film 20, the film 11 and the film 12 from the side of a gate insulating film 5 and a gate electrode 13p is formed on the film 5.例文帳に追加

ホウ素を添加した多結晶シリコン膜２０ｐとバリア膜１１と高融点金属膜１２とをゲート絶縁膜５側からこの順に配置してゲート電極１３ｐを形成した半導体装置である。 - 特許庁

A boron film 3a is formed in a part of a thin part of an upper electrode 14 formed on a diode amorphous silicon film 12 made of the heterojunction of an amorphous silicon film 12 and p-type silicon 11, and a polyethylene sheet 2a of the approximately same size as the area of the diode is arranged in such a way as to cover the upper surface of the boron film 3a.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜12とｐ形シリコン11とのヘテロ接合からなるダイオードのアモルファスシリコン膜12上に形成された上部電極14の薄い部分の一部に硼素膜3aが形成され、その上面を覆って、ダイオードの面積とぼぼ同じ大きさのポリエチレンシート2aが配備されている。 - 特許庁

This truing tool 1 includes: a base 7; a number of super-abrasives 9 made of diamond or cubic boron nitride (CBN); and a brazing material 11 for bonding the super-abrasives 9 to the base 7, wherein the tool includes a plating layer 13 for coating the surface of the brazing material 11, having a higher hardness than the brazing material 11.例文帳に追加

基体７と、ダイヤモンド或いは立方晶窒化ホウ素（ＣＢＮ）からなる多数の超砥粒９と、該超砥粒９を基体７に接合するロー材１１とを備えたツルーイング工具１において、前記ロー材１１の表面を覆う該ロー材１１より硬度が高いメッキ層１３を備える。 - 特許庁

In the concrete, on the surface of a silicon substrate 11 with a substrate boron density, a silicon crystal layer 12 is formed by epitaxial growth.例文帳に追加

具体的には、当該基板ホウ素濃度を有するシリコン基板１１の表面上に、エピタキシャル成長によるシリコン結晶層１２が形成されてなる。 - 特許庁

Thereafter, with the first resist pattern 51 as a mask, by implanting boron ions through the protective insulating film 13 to the semiconductor substrate 11, a first P well 14 is formed.例文帳に追加

その後、第１のレジストパターン５１をマスクとして、半導体基板１１に、保護絶縁膜１３を介してホウ素イオンを注入することにより第１のＰウエル１４を形成する。 - 特許庁

Boron wires are disposed between carbon prepregs 1, 2 forming the joined portion A of a front rod piece 12 in the joined portion between a rear rod piece 11 and the front rod piece 1.例文帳に追加

後竿ピース１１と前竿ピース１２との合わせ部Ａにおいて、前竿ピース１２の合わせ部Ａを形成するカーボンプリプレグ１，２の間にボロン線を配置する。 - 特許庁

A semiconductor device, wherein an interlayer insulation film comprising boron nitride films 7, 9, 11 whose dielectric is less than 4 is formed in a wiring formation process, is manufactured.例文帳に追加

配線形成工程において、誘電率が４未満の窒化ホウ素膜７，９，１１からなる層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Besides, in this semiconductor device manufacturing device, at least both of an upper electrode 11 and a covering 13 are to be covered with either one out of a silicon nitride film, a boron nitride film or a titanium nitride film.例文帳に追加

本発明にかかる半導体製造装置は、少なくとも上部電極１１及びカバーリング１３のいずれもが、窒化ケイ素膜、窒化ホウ素膜または窒化チタン膜のいずれかでもって被覆されたものであることを特徴としている。 - 特許庁

The photodiode 10 is formed by providing a boron injection layer 14 on the periphery of the minute opening 15 of the silicon substrate 9, and the detection signal of the reflected beam is taken out from electrodes 11, 12.例文帳に追加

フォトダイオード１０は、シリコン基板９の微小開口１５の周囲にボロン注入層１４を設けることで形成され、反射光の検出信号は電極１１，１２から取り出される。 - 特許庁

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

In the area on the lower side of the insulation film 11, a p-type channel diffusion layer 16 in which indium ions are main impurity and a second p-type channel diffusion layer 17 in which boron is a main impurity are formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１の下側の領域には、インジウムイオンが主な不純物である第１のＰ型チャネル拡散層１６と、ボロンが主な不純物である第２のＰ型チャネル拡散層１７が形成されている。 - 特許庁

After removing the nitride film 6 therefrom, boron 11 is so ion-implanted thereinto self-aligning-wise by using the oxide films 4, 9 as masks as to perform heat treatment in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

窒化膜６を除去した後、酸化膜４，９をマスクとして自己整合的にボロン１１をイオン注入し、窒素雰囲気中で熱処理を行なう。 - 特許庁

The silicon electrode plate superior in durability made of a silicon single crystal, containing 3 to 11 ppba of boron at atomic ratio, furthermore 0.5 to 6 ppba of the sum of one kind or two kinds between phosphorus and arsenic.例文帳に追加

原子比で、ボロン：３〜１１ｐｐｂａを含有し、さらに燐および砒素の内の１種または２種の合計を０．５〜６ｐｐｂａを含有するシリコン単結晶からなる耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 特許庁

The radical source has a feed pipe 10 including SUS and a cylinder-like plasma generation pipe 11 including thermal decomposition boron nitride (PBN) connecting to the feed pipe 10.例文帳に追加

ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。 - 特許庁

The gate electrodes are buried in a silicon oxide film 11 up to a top-surface position of the floating gate electrode film 7, and a silicon oxide film (SiBN) 12 which contains boron and has small specific inductive capacity is formed thereupon.例文帳に追加

浮遊ゲート電極膜７の上面位置までシリコン酸化膜１１を埋め込み、その上にホウ素を含有した比誘電率が小さいシリコン窒化膜（ＳｉＢＮ）１２を成膜する。 - 特許庁

The intermediate layer 9 is constituted to gradually increase the content of boron and to gradually decrease the content of titanium toward the surface layer 11.例文帳に追加

中間層（９）は、表面層（１１）に向かって、ホウ素の含有量が漸近的に増加するとともに、チタンの含有量が漸近的に減少する構成を有する。 - 特許庁

An anode plate 11 and a cathode plate 12 each comprises an electrically conductive substrate and a thin boron-doped CVD diamond film provided on the surface of the substrate.例文帳に追加

陽極板１１及び陰極板１２はいずれも、導電性の基板の表面にホウ素をドープしたＣＶＤダイヤモンド薄膜を成膜したものである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the diamond electronic device, a site which becomes a nucleus of a crystal defect present on the side of one surface 10 of a diamond substrate can be terminated by boron on forming P^+diamond semiconductor layer 11.例文帳に追加

このダイヤモンド電子素子の製造方法では、Ｐ^＋ダイヤモンド半導体層１１の形成の際、ダイヤモンド基板１０の一面１０側に存在する結晶欠陥の核となるサイトをホウ素によって終端させることができる。 - 特許庁

The outer protection tube 1 is formed in layer structure of the first layer 11 made of ceramics and the second layer 10 made of ceramics added by hot water repellent boron nitride BN so that durability is improved.例文帳に追加

外部保護管１はセラミツクスからなる第１層１１と、撥湯性の窒化硼素BNを添加したセラミツクスからなる第２層１０とからなる積層構造に形成し、耐久性を向上する。 - 特許庁

After that, outward diffusion processing is carried out to diffuse part of boron in a surface layer area of the diffusion layer (12) into an atmosphere, and then a device active layer (11) is epitaxially grown.例文帳に追加

その後、外方拡散処理を施して拡散層（１２）の表層域のボロンの一部を雰囲気中に拡散させた後、デバイス活性層（１１）をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The outer protection tube 1 is formed in layer structure of the first layer 11 made of ceramics of silicon nitride Si3N4 and the second layer 10 made of ceramics added by hot water repellent boron nitride BN to silicon nitride Si3N4 so that durability is improved.例文帳に追加

外部保護管１は窒化珪素 Si_3N_4に撥湯性の窒化硼素BNを添加したセラミツクスからなる第２層１０と、窒化珪素 Si_3N_4セラミツクスからなる第１層１１との積層構造にし、耐久性を向上する。 - 特許庁

Since the surface of at least one of the back flow preventing ring 23, the heating cylinder 11 and the screw head 14 is coated with boron carbide, surface wear is hard to occur.例文帳に追加

逆流防止リング２３、加熱シリンダ及びスクリューヘッド１４のうちの少なくとも一つの表面に炭化ボロンが被覆されるので、表面に摩耗が発生しにくい。 - 特許庁

In this manufacturing method, after a gate insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 11, for example, a polycrystalline silicon film 15 of a p-conductive type containing B(boron), which is thinner than a conventional one, is deposited.例文帳に追加

半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４形成後、例えば、Ｂを含有したｐ型導電タイプの従来より薄い多結晶シリコン膜１５を堆積させる。 - 特許庁

A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁

The mixture 14 comprises regions 11 (columnar structures) mainly containing first material and a region 12 surrounding the regions 11 and mainly containing second material, and contains as a component at least one or more elements of boron, nitrogen, hydrogen and carbon.例文帳に追加

混合体１４は、第一の材料を主成分として構成される領域１１（柱状構造体）と、該領域１１を取り囲み、第二の材料を主成分として構成される領域１２とを有し、ボロン、窒素、水素、カーボンのうち少なくとも一つ以上の元素を成分として含む。 - 特許庁

The epitaxial wafer includes a wafer body 11 where nitrogen concentration is set ≥1×10^12 atoms/cm^3 or specific resistance is set ≤20 mΩ cm by boron doping, and an epitaxial layer 12 formed on a surface of the wafer body 11.例文帳に追加

窒素濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。 - 特許庁

This electrochemical hydrobromic gas sensor is formed by disposing a working electrode 11, which includes a boron-doped diamond attached to one surface of a substrate made of carbon fiber having air permeability and conductivity, together with a counter electrode 22, in an electrolytic solution 24 so that the one surface is positioned on the gas intake 21 side.例文帳に追加

通気性と導電性を有する炭素繊維から基板の一方の表面にボロンドープダイヤモンドを添着した作用極11を、一方の表面をガス取り入れ口21側となるように対極22とともに電解液24の中に配置して構成されている。 - 特許庁