「boron-11」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An epitaxial silicon wafer 10 includes a silicon wafer 11 to which boron is added so that a bulk layer 11a has a resistivity of not larger than 30 mΩcm, and an epitaxial film 12 formed on a top surface layer part 11b thereof.例文帳に追加

エピタキシャルシリコンウェーハ１０は、バルク層１１ａの抵抗率が３０ｍΩｃｍ以下となるようにボロンが添加されたシリコンウェーハ１１と、その表面表層部１１ｂ上に形成されたエピタキシャル膜１２とを備える。 - 特許庁

A laminate 20 is formed on a silicon substrate 11 by repeating a step of depositing a boron-doped silicon layer 72, forming a silicon nitride layer 78 on the top surface thereof, depositing a non-doped silicon layer 73, and forming a silicon nitride layer 79 on the top surface of the non-doped silicon layer.例文帳に追加

ボロンドープドシリコン層７２を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７８を形成し、ノンドープドシリコン層７３を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７９を形成する工程を繰り返すことにより、シリコン基板１１上に積層体２０を形成する。 - 特許庁

(1) A first process of reacting methacrolein with a 1-10C carboxylic acid anhydride in the presence of ≥1 kind of catalyst selected from a group consisting of a triflate compound and a halogenated compound of an element of 11-13th Group of the periodic table, tin and a lanthanoid element, and a boron halide.例文帳に追加

（１）元素周期表11〜13属元素、スズ及びランタノイド元素のトリフラート化合物及びハロゲン化合物、ハロゲン化ホウ素からなる群から選ばれる１種以上の触媒の存在下、メタクロレインと炭素数1〜10のカルボン酸無水物を反応させる第１工程。 - 特許庁

A first mounting section 11 on which first electronic parts 1a are mounted and a second mounting section 21 on which second electronic parts 1b are mounted are coupled integrally through an easily deformable heat conduction coupling section 30 formed with silicone elastomer and the like in which aluminum oxide and boron nitride and like are mixed.例文帳に追加

第１の電子部品１ａが第１の取付部１１と、第２の電子部品１ｂが取付けられる第２の取付部２１とが、酸化アルミニウムやチッ化ボロン等を混入したシリコンエラストマー等により形成された変形容易な熱伝導連結部３０により連結一体される。 - 特許庁

In a nitrogen atmosphere of 100 Torr, boron nitride as the target is irradiated with a laser beam with a wave length of 1.064 μm, a pulse width of 60 ps, a pulse repetition rate of 2×10^5 pulse/sec, and intensity of 2.7×10^11 W/cm^2.例文帳に追加

１００Ｔｏｒｒの窒素雰囲気中で、波長１．０６４μｍ、パルス幅６０ｐｓ、繰り返し回数２×１０^５パルス／秒、強度２．７×１０^１１Ｗ／ｃｍ^２のレーザー光を、ターゲットとしての窒化ホウ素に照射する。 - 特許庁

An hBN sintered material 12 obtd. by sintering hBN(hexagonal boron nitride) powder is pressed against the surface 11a of a base material 11 while it is relatively moved parallel to the surface, and hBN in the hBN sintered material is moved to adhere to the surface of the base material.例文帳に追加

ｈＢＮ（六方晶窒化硼素）粉末を焼結してなるｈＢＮ焼結材１２を基材１１の表面１１ａに同表面と平行に相対移動しながら押圧して、同ｈＢＮ焼結材のｈＢＮを基材の表面に移着する。 - 特許庁

A polycrystalline substance of conductive diamond is grown, to form a film 11 on a part 10a of the contact 10 in contact with the electrode pad by a gas-phase growth method, preferably CVD, e.g., heat filament CVD, while an impurity such as boron is doped.例文帳に追加

この接触子１０の前記電極パッドとの接触部分１０ａに，気相成長法，好ましくはＣＶＤ法，例えば熱フィラメントＣＶＤ法により，ホウ素等の不純物をドーピングしながら導電性ダイヤモンドの多結晶体を成長させて被膜１１を形成する。 - 特許庁

A first desalted solution of the waste liquid from which iodine is separated is adjusted to have a pH of 11 or higher, subjected to electrodialysis to separate boron as a boric acid concentrated solution from the desalted solution, and further boric acid is crystallized from the concentrated solution of boric acid.例文帳に追加

また、廃液からヨウ素が分離された第１脱塩液は、ｐＨが１１以上となるように調整した後、電気透析法により前記脱塩液中のホウ素をホウ酸濃縮液として分離し、更にこのホウ酸濃縮液からホウ酸を晶析させる。 - 特許庁

A plurality of silicon single-crystalline substrates 1 containing boron as an impurity doped therein are thermally treated at a plurality of temperatures lying in a temperature range between 900°C to 1,050°C, and a relationship between the sheet resistance of an impurity doped layer 11 and the thermal treatment temperature is acquired.例文帳に追加

不純物としてボロンを導入した複数のシリコン単結晶基板１を、９００℃〜１０５０℃の温度範囲に属する複数の温度でそれぞれ熱処理し、当該温度範囲における、不純物導入層１１のシート抵抗と熱処理温度との関係を取得する。 - 特許庁

For example, when the epitaxial layer 13 is formed of 3C-SiC, boron arsenide is preferably selected which has a lattice constant of 0.469 nm between the lattice constant of 0.543 nm of the silicon substrate 11 and the lattice constant of 0.435 nm of the epitaxial layer 13.例文帳に追加

例えば、エピタキシャル層１３が上述した３Ｃ−ＳｉＣから形成される場合、シリコン基板１１の格子定数０．５４３ｎｍと、エピタキシャル層１３の格子定数０．４３５ｎｍとの間の、０．４６９ｎｍの格子定数をもつ砒化ホウ素が好ましく選択される。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11.例文帳に追加

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。 - 特許庁

This is an electron emission element that has carbon membranes 12, 13 opposed to each other interposing a first gap part 11 that are arranged on the glass substrate 1 or carbon membranes having a first gap part on part of it, and the first gap part 11 and/or glass substrate 1 contains at least each element of silicon, aluminum, boron, alkaline earth metal, carbon and oxygen.例文帳に追加

ガラス基板１上に配置された、第一の間隙部１１を挟んで対向するカーボン膜１２，１３、若しくは、その一部に第一の間隙部を有するカーボン膜を有する電子放出素子であって、第一の間隙部１１又は／及びガラス基板１は、少なくとも、珪素、アルミニウム、ホウ素、アルカリ土類金属、炭素、酸素の各元素を有することを特徴とする。 - 特許庁

The quantum computer (57) has a trench-isolated channel area (2) formed on a silicon-germanium layer doped with boron, and the layer has narrow channel areas (7, 8, 9) forming a tunnel barrier and wide channel areas (10, 11) forming 1st and 2nd quantum dots (10, 11).例文帳に追加

量子コンピュータ（５７）は、ボロンをドープ処理したシリコン−ゲルマニウム層内に形成したトレンチ隔離したチャンネル領域（２）を備えており、前記層がトンネル障壁を形成する幅狭のチャンネル領域（７，８，９）と、第１及び第２の量子ドット（１０，１１）を形成する幅広のチャンネル領域（１０，１１）とを有する。 - 特許庁

The oxide semiconductor super-lattice comprises an oxide barrier layer (LiGaO_2 barrier layer 12 for example) containing a zinc oxide base semiconductor well layer (ZnO well layer 11, for example) and an LA base alkaline metal while at least either phosphorus or boron is added into the zinc oxide base semiconductor well layer.例文帳に追加

本発明にかかる酸化物半導体超格子は、酸化亜鉛系半導体井戸層（たとえばＺｎＯ井戸層１１）とＩＡ族アルカリ金属を含有する酸化物障壁層（たとえばＬｉＧａＯ_２障壁層１２）を含むものであり、該酸化亜鉛系半導体井戸層中にリン、ホウ素の少なくともいずれかが添加されていることを特徴とする。 - 特許庁

The resin-molded part of the composite is made by arranging the metallic member 11 surface-treated with a triazine-based compound in a mold 3, and injection-molding a resin composition containing 15 to 80 mass% of a thermoplastic resin containing at least one kind of a thioether bond, an amide bond, an ester bond and an ether bond and 20 to 85 mass% of boron nitride.例文帳に追加

本発明の複合体は、金型３内部に、トリアジン系化合物を用いて表面処理された金属製部材１１を配置し、チオエーテル結合、アミド結合、エステル結合及びエーテル結合の中の少なくとも１種を含む熱可塑性樹脂１５〜８０質量％及び窒化ホウ素２０〜８５質量％を含む樹脂組成物からなる樹脂成形部を射出成形法により得る。 - 特許庁

The plasma display panel is such that a scanning electrode 12a and a sustaining electrode 12b formed on a front surface glass substrate 11 are covered by a dielectric glass layer 13 and the dielectric glass layer 13 is covered by a protection layer 14 of magnesium oxide, and the protection layer 14 is structured by a material made of magnesium oxide containing at least either boron (B) or aluminum (Al).例文帳に追加

前面ガラス基板１１上に形成した走査電極１２ａ、維持電極１２ｂを誘電体ガラス層１３で覆い、その誘電体ガラス層１３を酸化マグネシウムの保護層１４で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層１４を酸化マグネシウムにホウ素（Ｂ）およびアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一方を含む材料により構成したものである。 - 特許庁