breakdown characteristicとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device having an improved breakdown voltage characteristic, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

、耐圧特性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which compensates for a fast switching characteristic and can raise a breakdown resistance caused by an electric field breakdown.例文帳に追加

高速なスイッチング特性を補償するとともに、電界破壊による破壊耐性を上げることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device excellent in breakdown voltage characteristic and current amplification characteristic, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

耐圧特性と電流増幅特性とに優れた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To further correctly measure a characteristic of a material specimen just before breakdown or at breakdown time by measuring nonuniform deformation and a stress state of the material specimen.例文帳に追加

材料試験体の一様でない変形や応力の状態を計測し、破壊直前又は破壊時の材料試験体の特性をより正しく計測する。 - 特許庁

To provide a polyetherimide resin having excellent characteristic balance (relative dielectric constant value, breakdown strength, and robustness).例文帳に追加

優れた特性バランス（比誘電率値、破壊強度、頑強性）を有する新規ポリエーテルイミド樹脂の提供。 - 特許庁

To realize a logic mixed-loading memory of a DRAM base without reducing a breakdown strength characteristic of a gate insulation film.例文帳に追加

ＤＲＡＭベースのロジック混載メモリをゲート絶縁膜の耐圧特性を低下させることなく実現する。 - 特許庁

Thus, in the case of breakdown of the IGBT 1, the part of the pnp transistor structure starts breakdown earlier than the cell region due to the breakdown characteristic of a pnp transistor, so that the IGBT where latch-up breakage occurs hardly is obtained.例文帳に追加

このため、ＩＧＢＴ１の降伏時、ＰＮＰトランジスタ構造部分がＰＮＰトランジスタの降伏特性によりセル領域よりも先に降伏を開始するため、ラッチアップ破壊し難いＩＧＢＴを実現することができる。 - 特許庁

To provide a solid electrolytic capacitor of a high-capacity and planar laminated type which is superior in high frequency characteristic and high breakdown voltage characteristic, and to provide a method for manufacturing the capacitor.例文帳に追加

高周波特性、高耐電圧性に優れ、かつ高容量の平板積層型固体電解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁