breakdown collapseとは 意味・読み方・使い方

To provide a compound semiconductor device that can suppress current collapse and operate at high breakdown voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

電流コラプスを抑制するとともに、高耐圧動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve RF characteristics by reducing current collapse, and to obtain a breakdown voltage required for an amplifier for a portable-telephone base station.例文帳に追加

電流コラプスを低減させてＲＦ特性を改善し、携帯電話基地局用アンプに必要とされる耐圧を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in ON resistance while reducing a current collapse and maintaining a breakdown voltage, and operates at high voltage and at a high frequency.例文帳に追加

電流コラプスを減少し耐圧を維持しつつ、オン抵抗を改善した、高電圧、高周波で動作する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a GaN-based field-effect transistor having a low resistance and a high breakdown voltage with reduced effect of current collapse phenomenon, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低抵抗・高耐圧で電流コラプス現象の影響の小さいＧａＮ系電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently reduce concentrating electric field intensity so as to have a sufficient breakdown voltage even for a high-voltage operation and also suppress current collapse.例文帳に追加

高電圧動作させる場合においても十分な破壊耐圧を有し、かつ電流コラプスを抑制するために、集中する電界強度を効率良く低減させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor epitaxial wafer that has a higher breakdown voltage and reduces or eliminates a current collapse phenomenon, a method of manufacturing the same, and a field effect transistor element.例文帳に追加

高耐圧化とカレントコラプス現象の低減ないしは解消との両立を可能とした窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To achieve normally ON type and normally OFF type nitride semiconductor heterostructure field effect transistors (HFET) of current collapse free and a high breakdown voltage, and to achieve the latter especially in the HFET.例文帳に追加

窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）において、電流コラプスフリーで、かつ高耐圧の、ノーマリーオン型およびノーマリーオフ型のＨＦＥＴを実現することであり、特に後者を実現すること。 - 特許庁