cm Kとは 意味・読み方・使い方

(a) Permeability k (cm/sec) of the admixture expressed by an equation (1) is 1000 times or more the permeability of a sand ground.例文帳に追加

（ａ）式（１）で表される混合材の透水係数ｋ（ｃｍ／ｓｅｃ）が、砂地盤の透水係数の１０００倍以上。 - 特許庁

This bag comprises cloth having 1×10-1-1×10-3 cm/sec of water permeability coefficient and 800-2000 of cover factor K using a biodegradable aliphatic polyester fiber.例文帳に追加

生分解性脂肪族ポリエステル繊維を用いた透水係数が１×10^-1〜１×10^-3cm／sec、カバーファクターＫが 800〜2000の織物からなる土木用袋体。 - 特許庁

Thermal capacity per unit area of the carbon nanotube structure is 2×10^-4 J/cm^2 and K or below.例文帳に追加

前記カーボンナノチューブ構造体の単位面積当たりの熱容量が２×１０^−４Ｊ／ｃｍ^２・Ｋ以下である。 - 特許庁

Ply strength K, i.e., a product T×n of tensile strength T (unit: N) per one steel cord 10 and the hitting number (unit: number/5 cm) of the belt cord per 5 cm width of the belt plies 7A, 7B is made to 6,125-10,192 (unit: N*number/5 cm).例文帳に追加

このスチールコード１０の１本当たりの引張強さＴ（単位：Ｎ）と、前記ベルトプライ７Ａ、７Ｂの５ｃｍ巾当たりのベルトコードの打込み本数ｎ（単位：本／５ｃｍ）の積Ｔ×ｎであるプライ強度Ｋを６１２５〜１０１９２（単位：Ｎ・本／５ｃｍ）とした。 - 特許庁

The substrate is selected so that the rate of the cross-metathesis reaction of the second olefinic reactant, k_CM, is greater than or equal to the rate of the ring-opening metathesis reaction, k_RO.例文帳に追加

基質は、第二のオレフィン性反応物のクロス−メタセシス反応の速度ｋ_ＣＭが、開環メタセシス反応の速度ｋ_ＲＯよりも大きいかまたは等しくなるように選択される。 - 特許庁

A volume V of a heat puffer chamber of this gas-blast circuit breaker is set in correlation with a rated breaking current I according to an expression V(cm^3) = k ×I(A) (k is 0.025-0.04).例文帳に追加

ガス遮断器の熱パッファ室は、その容積Ｖが定格遮断電流Ｉの相関として、Ｖ（ｃｍ^３）＝ｋ・Ｉ（Ａ）（ｋは０．０２５〜０．０４）としてある。 - 特許庁

To provide an oxide superconductor product having an oxide superconductor film having a thickness greater than 0.8 microns disposed on a substrate, and a product having a transport critical current density (Jc) greater than or equal to about 10^5 A/cm^2 at 77K zero magnetic field.例文帳に追加

製品が77 K、ゼロ磁場で約10^5 A/cm^2より大きい、もしくはこれに等しい輸送臨界電流密度（J_c）を有する、基板上に沈着された0.8ミクロンより大きい厚さを有する酸化物超伝導体被膜を有する酸化物超伝導体製品を提供する。 - 特許庁

To provide a practical p type diamond semiconductor device in which hole concentration is 1.0×10^15 cm^-3 or above at a room temperature (300 K) or above, and also, dopant atom concentration is 1.0×10^21 cm^-3 or below, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

室温（３００Ｋ）以上において正孔濃度が１．０×１０^１５ｃｍ^‐3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が１．０×１０^２１ｃｍ^‐3以下である実用的なｐ型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。 - 特許庁