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common-gate amplifierとは 意味・読み方・使い方
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「common-gate amplifier」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
ASYMMETRICAL, VOLTAGE OPTIMIZING, BROADBAND COMMON GATE TWO-WAY MMIC AMPLIFIER例文帳に追加
非対称、電圧最適化、広帯域共通ゲート双方向MMIC増幅器 - 特許庁
In the common gate differential amplifier in which a common gate amplifier is represented in a differential structure, the differential amplifier using body-source cross coupling is provided where both of the side bodies of the differential amplifier are cross-coupled with the source of opposite phase side, respectively.例文帳に追加
共通ゲート増幅器を差動構造で具現した共通ゲート差動増幅器において、前記差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースと交差カップリングすることを特徴とするボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を構成する。 - 特許庁
The amplifier (10) includes first and second common gate FETs (22, 24) electrically coupled to each other along a common transmission line (20).例文帳に追加
増幅器(10)は、共通伝送線路(20)に沿って電気的に結合される第1及び第2の共通ゲートFET(22、24)を含む。 - 特許庁
These three transistors 50, 52, and 54 form a bias point amplifier that is provided with a common gate step for the output of a phototransistor 36.例文帳に追加
これら3つのトランジスタ50、52、54は、フォトトランジスタ36の出力のための共通ゲート段を有するバイアス点増幅器を形成する。 - 特許庁
To provide a differential amplifier using body-source cross coupling whose gain can be improved by cross-coupling both sides bodies of a common gate differential amplifier, in which a common gate amplifier is implemented in a differential structure, with the source of opposite phase side to cause transconductance to increase due to body effect and in which the weakness where the breakdown voltage becomes low can be reduced.例文帳に追加
共通ゲート増幅器を差動構造で具現した共通ゲート差動増幅器の両側ボディーをそれぞれ反対位相側のソースに交差カップリングし、ボディー効果によるトランスコンダクタンスを増加させて利得を向上できるとともに、降伏電圧が低くなるという短所を緩和できるボディー‐ソース交差カップリングを用いた差動増幅器を提供する。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit is provided with a differential amplifier 12, a common level detection circuit 14 for detecting the common levels of the input signals A and B, and a bias generation circuit 16 for generating a bias voltage to be given to the gate terminal of a MOS transistor to be the constant current source of the differential amplifier 12 on the basis of the detected common levels.例文帳に追加
半導体集積回路は、差動増幅器12、入力信号A、Bのコモンレベルを検知するコモンレベル検知回路14、および検知されたコモンレベルに基づき、差動増幅器12の定電流源となるMOSトランジスタのゲート端子に与えるべきバイアス電圧を発生するバイアス発生回路16を備える。 - 特許庁
In the transmission power controller, where a high frequency power amplifier circuit 111 has a semiconductor amplifier element adopting a common source connection, controlling the gate voltage and/or the drain voltage of the semiconductor amplifier element linearly changes the gain of the high-frequency power amplifier circuit 111 for controlling transmission power.例文帳に追加
高周波電力増幅回路111がソース接地された半導体増幅素子を有する送信電力制御装置で、半導体増幅素子のゲート電圧および/またはドレイン電圧を制御して、高周波電力増幅回路111の利得を線形的に変化させ、送信電力を制御する。 - 特許庁
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「common-gate amplifier」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
A transistor TNK1 with an output signal OUTn of the differential amplifier as gate input and a transistor TNK2 with a signal OUTp having a logic opposite to that of the output signal of the differential amplification circuit as gate input are connected in series between a node GP of a common gate terminal of a mirror transistor of the current mirror type differential amplifier 1-1 and one end of a constant current source circuit TNCS.例文帳に追加
カレントミラー型差動増幅器1-1 のミラートランジスタの共通ゲート端子のノードGPと定電流源回路TNCSの一端との間に、差動増幅器の出力信号OUTnをゲート入力とするトランジスタTNK1と、差動増幅回路の出力信号とは逆の論理の信号OUTpをゲート入力とするトランジスタTNK2とを直列に接続する。 - 特許庁
Dummy switches 10 and 12 have a source terminal and a drain terminal connected to the path connecting the operational amplifier OP and the sampling capacitors C1 and C2, and regulates the common mode voltage of the differential input voltage for the operational amplifier OP by the capacitance between gate and channel.例文帳に追加
ダミースイッチ10、12は、オペアンプOPとサンプリング容量C1、C2とを結ぶ経路にソース端子およびドレイン端子が接続され、ゲート−チャンネル間容量により、オペアンプOPに対する差動入力電圧のコモンモード電圧を調整する。 - 特許庁
A field-effect transistor for high frequency having a characteristic similar to that of a vacuum tube is used, a drain ground amplifier is cascode-connected to a gate ground amplifier, the variable part of the common source resistor is replaced by the field-effect transistor for high frequency, and the gate bias is changed with the external control voltage, thereby setting the oscillation level.例文帳に追加
真空管と同様な特性をもつ高周波用電界効果トランジスタを用い、ドレイン接地増幅器とゲート接地増幅器をカスコード接続し、それらの共通ソース抵抗の可変部分を高周波用電界効果トランジスタに換えゲートバイアスを外部制御電圧によって変えることによって発振レベルを設定する。 - 特許庁
The detector elements 150 in respective regions 102, 104 in the two-dimensional array 100 can be gate-controlled separately and the detector elements can be gate-driven at a flock (112 or 14) unit so as to read out data to a region frontal amplifier 106 via a common data line 152.例文帳に追加
2次元アレイ(100)内の各領域(102,104)内の検出器素子(150)は、別々にゲート制御することができ、また、共通のデータ線(152)を介して領域前置増幅器(106)へデータを読み出すように、検出器素子をフロック(112又は14)単位でゲート駆動することができる。 - 特許庁
The differential amplifier includes: first and second transistors the source terminals of which are connected to each other at a first common node; a first common current source connected to the first common node; and an in-phase signal input terminal for inputting, to the first common node, an in-phase signal with respect to first and second input signals inputted to gate terminals of the first and second transistors.例文帳に追加
差動増幅器において、第1の共通ノードにおいて互いにソース端子が接続された第1及び第2のトランジスタと、前記第1の共通ノードに接続された第1の共通電流源と、前記第1の共通ノードに、前記第1及び第2のトランジスタのゲート端子に入力される第1及び第2の入力信号に対する同相信号を入力する同相信号入力端子とを備える。 - 特許庁
An ASK modulator 12A used in this case adopts a similar circuit configuration to a self-bias common source or common emitter amplifier, a carrier from a local oscillator 44A is fed to a gate or a base of a transistor(TR) and a modulation signal whose frequency band is limited by a low pass filter 10 is respectively applied to a drain or a collector of the TR.例文帳に追加
その際用いるASK変調器12Aは、自己バイアスソース接地又はエミッタ接地増幅器と同様の回路構成とし、トランジスタのゲート又はベースには局部発振器44Aからの搬送波を、ドレイン又はコレクタには低域通過フィルタ10により帯域制限された変調信号を、それぞれ印加する。 - 特許庁
The adding unit adds the pixel signals of the homochromatic pixels in a gate of the common pixel amplifier MSF' so that spatial centers of gravity of the pixels added in the group are arranged at equal pitches in at least one of the row direction and the column direction.例文帳に追加
また、前記加算部では、前記グループ内で加算される画素の空間的な重心が前記行方向及び前記列方向の少なくとも一方において等ピッチとなるように共通画素アンプMSF’のゲート部で前記同一色の画素の画素信号を加算する。 - 特許庁
A microwave differential amplifier comprises first and second MOS devices in which a source is connected to a common bias node, a gate is connected to an input port for receiving a differential input signal, and a drain is connected to an output port for providing a differential output signal.例文帳に追加
マイクロ波差動増幅器は、ソースが共通バイアス・ノードに接続され、ゲートが差入力信号を受信する入力ポートに接続され、さらにドレインが差出力信号を供給するための出力ポートに接続される第1および第2のMOSデバイスから構成される。 - 特許庁
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