conductivity modulationとは 意味・読み方・使い方

A low ON resistance is realized by injecting free carriers (holes) from the gate region 9 and bring about conductivity modulation in the drain region 3, thereby decreasing parasitic resistance.例文帳に追加

そして、ゲート領域９からは自由キャリア（正孔）を注入し、ドレイン領域３での電導度変調をもたらすことで、寄生抵抗を低減し、ＯＮ時での低抵抗を実現している。 - 特許庁

To enhance the conductivity modulation effect of an insulated gate bipolar transistor by preventing holes injected from a P+ type collector layer into an N- type base layer from flowing out to a P type base layer.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ＋型コレクタ層からＮ−型ベース層に注入される正孔が、Ｐ型ベース層に流出するのを防止して伝導度変調効果を高めることが課題となる。 - 特許庁

The optical modulation element holding body 446 is constituted of a tubular member having annular shape surrounding the image forming area of the liquid crystal panel 441, making cooling liquid circulate inside and having heat conductivity.例文帳に追加

この光変調素子保持体４４６は、液晶パネル４４１の画像形成領域を囲む環形状を有し、内部に冷却液体を流通させる熱伝導性を有する管状部材で構成される。 - 特許庁

Even if forward-direction surge is applied, an n^- drift layer 102 is subjected to conductivity modulation, on-state resistance is lowered, and calorific value is reduced, thus improving resistance to forward-direction surge.例文帳に追加

順方向サージが印加されても、Ｎ^−ドリフト層１０２が伝導度変調され、オン抵抗が低下し、発熱量が低下するので、順方向サージに対する耐性を向上することができる。 - 特許庁

If this is set as a basic configuration, the on-resistance will be reduced, while the maximum cut-off current density is high by increasing the conductivity modulation of the N- base layer 1 with the large depth D of the trench 3.例文帳に追加

これを基本構成とすれば、トレンチ３の深さＤを大としてＮ^-ベース層１の伝導度変調を強めることでオン抵抗を低減し、かつ最大遮断電流密度を大とすることができる。 - 特許庁

Hence, conductivity modulation effect is enhanced, and as a result, forward voltage VF can be reduced, even in a configuration in which impurity concentration of a p-type impurity region is reduced for the purpose of shortening the time of reverse recovery ttr.例文帳に追加

従って伝導度変調効果が高まるので、逆回復時間ｔｒｒ短縮のためにｐ型不純物領域の不純物濃度を低減した構造であっても、順方向電圧ＶＦを低減することができる。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property.例文帳に追加

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。 - 特許庁

To provide cubic garnet-related type lithium ion conductive oxide having the long period property and the modulation property of a crystal structure to be suitable for the improvement of ion conductivity, and a method for producing the same and an electrochemical device using it as a member.例文帳に追加

イオン伝導性の向上に適するような、結晶構造の長周期性、変調性を有する立方晶ガーネット関連型リチウムイオン伝導性酸化物及びその製造方法、並びにそれを部材として使用した電気化学デバイスを提供すること。 - 特許庁