「conductivity modulation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the schottky junction IGBT, since a small number of carriers is injected to a low concentration layer, conductivity modulation is generated and continuity resistance is smaller than that of a MOSFET.例文帳に追加

ショットキー接合型のＩＧＢＴは、低濃度層内への少数キャリアの注入があり、伝導度変調が起こるから、導通抵抗はＭＯＳＦＥＴよりも小さい。 - 特許庁

To realize a semiconductor device whose loss is small by realizing conductivity modulation in a voltage region of the barrier layer voltage (0.6V) or lower at the pn junction in a voltage driven element such as na MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ等の電圧駆動型素子において、ｐｎ接合の堰層電圧（０．６Ｖ）以下の電圧領域で伝導度変調を可能にし、低損失の半導体装置を実現する。 - 特許庁

A low ON resistance is realized by injecting free carriers (holes) from the gate region 9 and bring about conductivity modulation in the drain region 3, thereby decreasing parasitic resistance.例文帳に追加

そして、ゲート領域９からは自由キャリア（正孔）を注入し、ドレイン領域３での電導度変調をもたらすことで、寄生抵抗を低減し、ＯＮ時での低抵抗を実現している。 - 特許庁

To enhance the conductivity modulation effect of an insulated gate bipolar transistor by preventing holes injected from a P+ type collector layer into an N- type base layer from flowing out to a P type base layer.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ＋型コレクタ層からＮ−型ベース層に注入される正孔が、Ｐ型ベース層に流出するのを防止して伝導度変調効果を高めることが課題となる。 - 特許庁

The optical modulation element holding body 446 is constituted of a tubular member having annular shape surrounding the image forming area of the liquid crystal panel 441, making cooling liquid circulate inside and having heat conductivity.例文帳に追加

この光変調素子保持体４４６は、液晶パネル４４１の画像形成領域を囲む環形状を有し、内部に冷却液体を流通させる熱伝導性を有する管状部材で構成される。 - 特許庁

Even if forward-direction surge is applied, an n^- drift layer 102 is subjected to conductivity modulation, on-state resistance is lowered, and calorific value is reduced, thus improving resistance to forward-direction surge.例文帳に追加

順方向サージが印加されても、Ｎ^−ドリフト層１０２が伝導度変調され、オン抵抗が低下し、発熱量が低下するので、順方向サージに対する耐性を向上することができる。 - 特許庁

If this is set as a basic configuration, the on-resistance will be reduced, while the maximum cut-off current density is high by increasing the conductivity modulation of the N- base layer 1 with the large depth D of the trench 3.例文帳に追加

これを基本構成とすれば、トレンチ３の深さＤを大としてＮ^-ベース層１の伝導度変調を強めることでオン抵抗を低減し、かつ最大遮断電流密度を大とすることができる。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property.例文帳に追加

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。 - 特許庁

Hence, conductivity modulation effect is enhanced, and as a result, forward voltage VF can be reduced, even in a configuration in which impurity concentration of a p-type impurity region is reduced for the purpose of shortening the time of reverse recovery ttr.例文帳に追加

従って伝導度変調効果が高まるので、逆回復時間ｔｒｒ短縮のためにｐ型不純物領域の不純物濃度を低減した構造であっても、順方向電圧ＶＦを低減することができる。 - 特許庁

To provide cubic garnet-related type lithium ion conductive oxide having the long period property and the modulation property of a crystal structure to be suitable for the improvement of ion conductivity, and a method for producing the same and an electrochemical device using it as a member.例文帳に追加

イオン伝導性の向上に適するような、結晶構造の長周期性、変調性を有する立方晶ガーネット関連型リチウムイオン伝導性酸化物及びその製造方法、並びにそれを部材として使用した電気化学デバイスを提供すること。 - 特許庁

In this IGBT, by setting a ratio W1/W2 between the width W1 of a trench 2 and the interval W2 between one trench 2 and the other trench 2 within a range of 1 to 2, it becomes possible to optimize the electron current density and the conductivity modulation effect, to maintain pressure resistance, to suppress the characteristic variation, and to reduce largely on-resistance.例文帳に追加

本発明に係るＩＧＢＴでは、トレンチ２の幅Ｗ１とトレンチ２間の間隔Ｗ２との比（Ｗ１／Ｗ２）を１〜２の範囲で設定することで、電子電流密度と伝導度変調効果を最適にし、耐圧を保ち、特性のばらつきを抑えて、かつ、オン抵抗を大きく低減させることが可能となる。 - 特許庁

The two opposed side parts 1606 of the modulation element 17 are stuck and fixed in a state where they are housed in housing recessed parts 42 provided on the two holding members 40, and space secured between the two side parts 1606 and the recessed parts 42 is filled with sealing material having heat conductivity.例文帳に追加

２つの保持部材４０に設けられた収容凹部４２に見切り部材一体型透過型光変調素子１７の対向する２辺部分１６０６を収容した状態で接着固定し、２辺部分１６０６と収容凹部４２との間に確保した空間に熱伝導性を有するシーリング材を充填する。 - 特許庁

This insulated gate bipolar transistor 1 is provided with a collector area having a conductivity modulation function, an emitter area, and a gate electrode that is formed on a channel area between the collector area and emitter area, and it is also provided with an insulated gate control electrode G2 formed between the gate electrode and collector area.例文帳に追加

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１において、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた絶縁ゲート型制御電極Ｇ２を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁

The optical modulation element includes a conductive transparent electrode layer 14 which can transmit light to be modulated, a ferromagnetic conductive magneto-oxide layer 13 having ferromagnetism and conductivity, an oxygen supply layer 12 containing an oxide layer, and an oxide electrode layer 11 including a conductive film oxidized by oxygen supplied from the oxygen supply layer 12, which are arranged in this order.例文帳に追加

変調する光を透過しかつ導電性を有する透明電極層１４と、強磁性を有しかつ導電性を有する磁性酸化物層１３と、酸化材料を含む酸素供給層１２と、酸素供給層１２から供給される酸素により酸化される導電性膜からなる酸化性電極層１１とがこの順に設けられる。 - 特許庁

In the optical information recording medium in which recording and reproducing are possible by irradiation of energy beams, the recording layer has ≤0.6 J/g specific heat, ≤0.9 W/cm.K thermal conductivity and 40 to 75% reflectance when the recording film is formed, and the modulation is ≥60% after signals are recorded.例文帳に追加

エネルギービームの照射により記録・再生が出来る光情報記録媒体において、記録層の比熱が０．６Ｊ／ｇ以下であり、かつ熱伝導率が０．９Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下であり、作成時の該記録膜の反射率が４０％〜７５％であり、信号記録後のモジュレーションが６０％以上であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 特許庁

Thus, the materials with high heat conductivity are used as materials of the electrodes 11 and 12 in contact with the material of the refractive index variation layer 17 which has electrooptic effect to efficiently conduct heat generated by the material with the electrooptic effect to outside the element, thereby suppressing a temperature rise of the element itself and keeping modulation characteristics constant.例文帳に追加

このように屈折率変化層１７の電気光学効果を有する材料に接している電極１１，１２の材料として、熱伝導率の高い材料を用いることにより、電気光学効果を有する材料から発生する熱を効率よく素子外へ伝えることができ、素子自体の温度上昇を抑え、変調特性を一定に保つことができる。 - 特許庁

An insulated gate bipolar transistor is composed of a collector region, having a conductivity modulation action, an emitter region, and a gate electrode formed on a channel region residing between the collector region and the emitter region, and this insulated gate bipolar transistor is equipped with a control electrode provided between the gate electrode and the collector region.例文帳に追加

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた制御電極を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic.例文帳に追加

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。 - 特許庁

A first electrode 7 to be an emitter electrode and the metal plugs 10 and 23 to be a collector electrode are provided on the same side as the control electrode 8 with the collector electrode positioned remoter from the control electrode 8, so that most of the carriers injected into the sixth semiconductor region 12 for conductivity modulation are able to reach the emitter electrode without passing through a location just under the third semiconductor 6.例文帳に追加

エミッタ電極となる第１の電極７と金属プラグ１０，２３よりなるコレクタ電極を制御電極８に対して同じ側で、かつコレクタ電極の方が制御電極８から遠くなるように設けることによって、第６の半導体領域１２から注入された伝導度変調に必要なキャリアの大部分を第３の半導体領域６の直下を通らずにエミッタ電極に到達させる。 - 特許庁