伝導度変調の英語

低コスト化と高性能を両立可能なバッファ層を有するパンチスルー型ＩＧＢＴ（伝導度変調型ＭＯＳＦＥＴ）の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a punched through type IGBT (conductivity modulated MOSFET) having a buffer layer which enables cost reduction and high performance simultaneously. - 特許庁

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ＋型コレクタ層からＮ−型ベース層に注入される正孔が、Ｐ型ベース層に流出するのを防止して伝導度変調効果を高めることが課題となる。例文帳に追加

To enhance the conductivity modulation effect of an insulated gate bipolar transistor by preventing holes injected from a P+ type collector layer into an N- type base layer from flowing out to a P type base layer. - 特許庁

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ等の電圧駆動型素子において、ｐｎ接合の堰層電圧（０．６Ｖ）以下の電圧領域で伝導度変調を可能にし、低損失の半導体装置を実現する。例文帳に追加

To realize a semiconductor device whose loss is small by realizing conductivity modulation in a voltage region of the barrier layer voltage (0.6V) or lower at the pn junction in a voltage driven element such as na MOSFET. - 特許庁

しかし、ＩＥ型トレンチＩＧＢＴにおける伝導度変調の更なる促進およびデバイスの簡略化をしようとして、インアクティブセルの幅を広げると、急速に耐圧が低下してしまう。例文帳に追加

In an IE-type trench IGBT, each linear unit cell region configuring a cell region mainly comprises a linear active cell region and a linear inactive cell region. - 特許庁

順方向サージが印加されても、Ｎ^−ドリフト層１０２が伝導度変調され、オン抵抗が低下し、発熱量が低下するので、順方向サージに対する耐性を向上することができる。例文帳に追加

Even if forward-direction surge is applied, an n^- drift layer 102 is subjected to conductivity modulation, on-state resistance is lowered, and calorific value is reduced, thus improving resistance to forward-direction surge. - 特許庁

低濃度ドレイン拡散層の伝導率変調効果はドレイン電圧及びゲート電圧で値が変化する可変抵抗モデル（ＲＤＤ）で表現する。例文帳に追加

A conductivity modulation effect of a low-concentration drain diffusion layer is represented by a variable resistance model (RDD) which has a value varied by a drain voltage and a gate voltage. - 特許庁

高移動度伝導チャネルを含み、それと同時にカウンタ・ドープを維持して有害な短チャネル効果を抑制する高移動度の半導体層およびＭＯＤＦＥＴ（変調ドープ電界効果トランジスタ）の構造およびその形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a high-mobility semiconductor layer and a structure of a MODFET (modulation-doped field-effect transistor) which include a high-mobility conduction channel and simultaneously maintain a counter dope to reduce a harmful short channel effect. - 特許庁