drain‐source resistanceの英語

Thus, destruction is prevented by avoiding the state where the drain-source voltage of the N-type transistor HVN1 is high and the drain current is large, and by raising the ON-voltage resistance of the level shift circuit.例文帳に追加

これにより、Ｎ型トランジスタＨＶＮ１のドレイン−ソース間電圧が高く、且つ、ドレイン電流が大きい状態を回避し、レベルシフト回路のオン耐圧を高めて破壊を防止する。 - 特許庁

Thus, the drain-source on resistance is decreased, thereby a current increasing effect is obtained, and area of the element separation film is effectively reduced by using an existing element separation film, resulting in reduction of the chip area.例文帳に追加

これにより、ドレーン・ソースオン抵抗減少で電流増加効果を得ることができ、既存の素子分離膜を適用することより素子分離膜の面積を効果的に狭めることができてチップ面積を狭められる。 - 特許庁

The first and second switches can be realized as transistors capable of having a breakdown voltage of various on states and/or a drain-source resistance of an on state.例文帳に追加

これら第１および第２のスイッチは、様々なオン状態のブレークダウン電圧および／またはオン状態のドレインソース抵抗を持つことが可能なトランジスタとして実現する事が可能である。 - 特許庁

To provide a method and a structure in which the vertical type DMOS as a typical high voltage operation transistor is effectively subjected to element separation, and at the same time, drain-source on-resistance is decreased.例文帳に追加

高電圧動作トランジスタとして代表的な縦型ＤＭＯＳを効果的に素子分離すると同時にドレーン・ソースオン抵抗を減少させる方法と構造とを提供する。 - 特許庁

To avoid electric field concentration on a P-type region beneath an N-type source region of a DTMOS FET and more stably hold the drain-source backward withstand voltage to reduce the on-resistance.例文帳に追加

DTMOS FET におけるN ソース領域下のP 型領域での電界集中を防ぎ、ドレイン・ソース間逆方向耐圧をより安定に保ち、オン抵抗を低減させる。 - 特許庁

In accordance with the obtained case temperature Tc and drain-source potential difference Vgs, the On resistance Rds of the transistor is determined from the characteristics of the transistors stored in a memory circuit 19, and using this On resistance as the conversion factor, the charging/discharging current Idc of the secondary battery is determined from the voltage drop Vdc.例文帳に追加

そしてケース温度Ｔｃとドレイン・ソース間電位差Ｖｇｓとに従って、記憶回路１９に記憶したトランジスタの特性からトランジスタのオン抵抗Ｒｄｓを求め、このオン抵抗を変換係数として前記電圧降下Ｖｄｃから二次電池の充放電電流Ｉｄｃを求める。 - 特許庁

For the purpose, a current path is formed between a power line 531 and a source signal line 532 in parallel to a drive transistor 539 of each pixel to make small the apparent resistance value of the drive transistor 539, and then the drain-source resistance value of the drive transistor is decreased to reduce the rounding of the waveform.例文帳に追加

そのために各画素の駆動トランジスタの見かけの抵抗値を小さくするため、電源線とソース信号線間に駆動用トランジスタと並列に電流経路を形成することで、駆動用トランジスタのドレイン−ソース間抵抗値を低下させ、波形のなまりを小さくした。 - 特許庁

Resistors in which resistors R_11, R_12 having the same resistance are connected in series are connected in parallel between the drain and source of the reference MOS resistor for detecting 1/2 of the drain-source voltage V_ds in the reference MOS resistor from the middle point of the resistor connected in series.例文帳に追加

基準ＭＯＳ抵抗のドレイン〜ソース間には、同抵抗の抵抗体Ｒ_11及びＲ_12が直列接続された抵抗が並列接続され、直列接続された抵抗の中点から基準ＭＯＳ抵抗のドレイン・ソース電圧Ｖ_dsの１／２を検出する。 - 特許庁