ga-cとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ナンバンカラスウリ（南蛮烏瓜、Momordica cochinchinensis）は、中国南部からオーストラリア北東部、タイ王国、ラオス、ミャンマー、カンボジア、ベトナムに分布するつる植物である。
「ga-c」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加
成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁
To provide a method of forming an (Al, Ga, In)N thin film on a Ga-face c-plane (Al, Ga, In)N substrate using a c-plane surface with a miscut toward the m-direction at least 0.35°.例文帳に追加
ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
Furthermore, the method for producing the Cu-Ga based sputtering target material is provided, which uses the Cu-Ga based alloy powder as a raw material and the Cu-Ga based alloy powder is solidified and modified at a temperature of 400-850°C.例文帳に追加
さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁
The Ga bonds with the N to form a GaN crystal 5 (Fig.1(c)), and thereby by maintaining this state, a GaN nanocolumn 6 is formed (Fig.1(d)).例文帳に追加
この状態を維持することで、ＧａＮナノコラム６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁
As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加
軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁
The method for manufacturing the nano-wire member comprises the steps of: interposing Ga on the base material containing Si and Fe; and heat-treating the Ga-interposed base material at ≥650°C.例文帳に追加
ＳｉおよびＦｅを含有する基材上にＧａを介在させ、６５０℃以上で加熱処理を施すことを特徴とするナノワイヤ部材の製造方法である。 - 特許庁
A growth temperature of the aluminum nitride crystal is set in the range of ≥1,000°C and ≤1,500°C, to thereby decompose GaN into metal Ga and nitrogen gas.例文帳に追加
窒化アルミニウム結晶の育成温度を１０００℃以上１５００℃以下の範囲とすることにより、ＧａＮを金属Ｇａと窒素ガスに分解させる。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「ga-c」の意味 |
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GAC
| yeast | 遺伝子名 | GAC |
| 同義語（エイリアス） | Glyoxalase I activity-enhancing protein GAC | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P33440 | |
| EntrezGeneのID | --- |
本文中に表示されているデータベースの説明
Wiktionary英語版での「ga-c」の意味 |
gac
出典:『Wiktionary』 (2025/09/13 00:29 UTC 版)
語源
Borrowed from Vietnamese gấc.
名詞
gac (uncountable)
同意語
- (Momordica cochinchinensis): baby jackfruit, Cochinchin gourd, spiny bitter gourd, sweet gourd
Weblio例文辞書での「ga-c」に類似した例文 |
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gac
saigas
トートグ
tautogs
sakis
ホークビット
カザリドリ類
cotingas
テグー
tejus
プーク
あご
cornetfishes
a nail
cutworms
「ga-c」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 55件
As a beam confinement (GUN) aperture 2-3, W aperture is used, and about 25 mg of Ga (melting point 30°C) is put on the surface of a part overhanging a beam irradiation region 7-1 (Ga basin 10).例文帳に追加
ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。 - 特許庁
A W aperture is used as a beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga (with a melting point of 30°C) of around 25 mg is put on a surface of a part covering a beam irradiation region 7-1 (Ga pool 10).例文帳に追加
ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３としてＷアパーチャを用い、ビーム照射領域７−１に掛かる部分の表面に約２５ｍｇのＧａ(融点３０℃)を置く(Ｇａ溜り１０)。 - 特許庁
Here, the group III nitride semiconductor 6 is heated upto the boiling temperature 200°C of Ga chloride or higher using a heater 5.例文帳に追加
このとき、上記III族窒化物半導体６を、ヒータ５によりＧa塩化物の沸点２００℃以上の温度に加熱する。 - 特許庁
The liquid metal includes a gallium (Ga) alloy and has a heat resistance of about 5 mm^2°C/W or lower.例文帳に追加
液体金属はガリウム（Ｇａ）合金を含み、約５平方ミリメートル摂氏度毎ワット（ｍｍ^２℃／Ｗ）以下の熱抵抗を有することができる。 - 特許庁
Preferably, Ga-doped zinc oxide is dispersed into water, Ga-doped zinc oxide dispersed into water is added to a water glass aqueous solution, they are mixed to prepare a spray liquid, the spray liquid is sprayed on the base material, and, after dried, the base material is heated at 150 to 700°C and is baked.例文帳に追加
好ましくはＧａドープ酸化亜鉛を水に分散させ、これを水ガラス水溶液に添加し、混合してスプレー液を調製し、これを基材にスプレーし、乾燥後、１５０〜７００℃に加熱して焼き付ける。 - 特許庁
The Cu-Ga alloy powder is obtained by stirring and alloying a mixed powder, in which a Cu powder and Ga are blended at a mass ratio from 85:15 to 55:45, in an inert atmosphere at a temperature of 30-700°C.例文帳に追加
Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。 - 特許庁
In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1.例文帳に追加
基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。 - 特許庁
A distance between an electrode 2 provided in electron devices 1 and an electrode 4 provided in a packaging board 3 is bonded by a conductor 5 in which there are dispersed metallic particles 7 responding to the alloy with Ga at 100°C or less in a metal 6 containing Ga.例文帳に追加
電子デバイス部品１に設けた電極２と実装基板３に設けた電極４との間を、Ｇａを含む金属６中に１００℃以下でＧａと合金化反応する金属粒子７が分散した導体５で接合する。 - 特許庁
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