growth-strain methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a fabrication method for semiconductor laser in which selective growth is enhanced while suppressing strain due to compositional shift on the mesa stripe side face when a mixed crystal semiconductor of AlInP or AlGaInP is employed as a buried block layer.例文帳に追加

埋め込みブロック層として AlInPまたは AlGaInPのような混晶半導体を用いた場合に、選択成長性が高く、なおかつメサストライプ側面での組成ずれによる歪みの少ない半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an oxide single crystal, with which a long garnet crystal without strain is grown with excellent reproducibility by producing no twist in a shape of the crystal, and suppressing occurrence of a facet on a flat growth interface.例文帳に追加

結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an LEC process compound semiconductor single crystal capable of preventing the occurrence of a crack in a processing process and the occurrence of a slip in an epitaxial growth process by stably and effectively removing the internal strain.例文帳に追加

安定かつ効果的に内部歪みを除去して、加工工程でのクラックの発生及びエピ工程でのスリップの発生を防止できるＬＥＣ法化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress thermal strain in a single crystal to be grown by suppressing a thermal convection during pulling a single crystal by Czochralski (Cz) method, to loosen the temperature gradient on a crystal growth interface of the melt.例文帳に追加

チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げにおいて、熱対流を抑制することにより、融液の結晶成長界面における温度勾配を緩くして、成長させる単結晶の熱歪みを抑制する。 - 特許庁

To provide a fine substrate treatment means/method and a glass substrate having heat dissipation property even if an element generating heat is formed in the heat treatment of the glass substrate (film deposition, crystal growth, oxidation, and the like carried out especially near the point of the strain of the glass substrate or a temperature more than the same).例文帳に追加

ガラス基板の熱処理（成膜、結晶成長、酸化等で、特にガラス基板の歪み点付近もしくはそれ以上の温度でおこなわれる場合）工程において、良好な基板処理手段・方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a compound semiconductor epitaxial substrate having a pn junction by a selective growth method, the manufacturing method of the compound semiconductor epitaxial substrate uses a source substrate with the mean value of residual strain of 1.0×10^-5 or below.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板を選択成長法により製造する方法であって、残留歪の平均値が１．０×１０^-5以下である元基板を用いることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - 特許庁

LACTIC BACTERIUM STRAIN PRODUCING ACTIVE ANTIBACTERIAL FOR PREVENTING GROWTH OF HELICOBACTER PYLORI AND LISTERIA MONOCYTOGENES AND NAMED PEDIOCOCCUS PENTOSACEUS CTB-8, METHOD FOR PRODUCING ANTIBACTERIAL WITH ANTIBACTERIAL CHARACTERISTIC BY USING SAME AND METHOD FOR USING THE ANTIBACTERIAL OF LIVE BACTERIUM AGENT AS FUNCTIONAL FOOD AND PHARMACEUTICAL例文帳に追加

ヘリコバクターピロリ（Ｈｅｌｉｃｏｂａｃｔｅｒｐｙｌｏｒｉ）及びリステリアモノサイトゲネス（Ｌｉｓｔｅｒｉａｍｏｎｏｃｙｔｏｇｅｎｅｓ）の生育を抑制する抗菌活性物質を生産するペディオコッカスペントサセウス（Ｐｅｄｉｏｃｏｃｃｕｓｐｅｎｔｏｓａｃｅｕｓ）ＣＢＴ−８と命名される乳酸菌株、これを利用した抗菌特性を持つ抗菌物質製造方法、並びに生菌剤抗菌物質を機能性食品及び医薬品に利用する方法 - 特許庁

To provide a method for producing organic fermented feed capable of improving fermentation by fermentative yeast while suppressing breeding of sundry germs, in which when Saccharomyces cerevisiae Kakegawa strain is grown after causing lactic acid bacteria to kill sundry germs in organic waste utilizing growth time difference in fermentative yeast composed of the lactic acid bacteria and Saccharomyces cerevisiae Kakegawa strain, the lactic acid bacteria are used as nutrient elements.例文帳に追加

乳酸菌とサッカロミセス・セレビシエ・カケガワ株からなる発酵酵母の増殖時間差を利用することにより、有機質廃棄物中の雑菌を乳酸菌により滅菌させた後、サッカロミセス・セレビシエ・カケガワ株を増殖させるときに、乳酸菌を養分として増殖させることにより、雑菌の繁殖を抑制しながら醗酵酵母による醗酵を良好にすることができる有機醗酵飼料の製造方法を提供する。 - 特許庁