in a geとは 意味・読み方・使い方

To provide a substrate having a Ge film increased in tensile stress.例文帳に追加

引っ張り応力を高めたＧｅ膜を有する基板を提供する。 - 特許庁

To enable to obtain a high quality Ge-based epitaxial film in a large area.例文帳に追加

高品質なＧｅ系エピタキシャル膜を大面積で得ること - 特許庁

To provide a Ge ion-eluting Ag alloy which elutes Ge ions even in water, and also has satisfactory corrosion resistance and sufficient plastic workability.例文帳に追加

水中においてＧｅイオンを溶出し，耐食性も良く十分な塑性加工性を有する，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供する． - 特許庁

Addition deceleration Ge by the wedge effect is operated in an operation part 34 and is added to target deceleration tG to determine a target deceleration correction value Gc.例文帳に追加

演算部34では楔効果による加算減速度Geを演算し、これを目標減速度tGに足し込んで目標減速度補正値tGcを求める。 - 特許庁

In the step for film-depositing the oxide film of Ge, a Ge oxide target is sputtered while an Ar gas is introduced to film-deposit the oxide film 3.例文帳に追加

Ｇｅの酸化物膜の成膜工程では、Ａｒガスを導入しながらＧｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、酸化物膜３を成膜する。 - 特許庁

The phosphor comprises an adjacent film containing the constitutional element of at least one element selected from Si and Ge and being in contact with a portion composed of the fluorescent material.例文帳に追加

蛍光材料から構成される部位に接して、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有する。 - 特許庁

The even pixel row GE_E is disposed to the odd pixel row GE_O in a vertically downward while shifted by O=(1/8)*P=(1/6)*W.例文帳に追加

偶数列の画素ＧＥ＿Ｅは、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏに対して、垂直方向下向きにＯ＝（１／８）・Ｐ＝（１／６）・Ｗずらして配置されている。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁