insulating field strengthとは 意味・読み方・使い方

To provide a non-volatile semiconductor memory device for increasing the moving speed of charge, and for quickening writing and deletion by increasing the strength of an electric field by devising the structure of a tunnel insulating layer.例文帳に追加

トンネル絶縁層の構造を工夫することにより電界強度を大きくでき、電荷の移動速度が大きく、書き込み，消去の高速化を可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film capacitor wherein its insulating deterioration caused by the reduction of its dielectric is hard to generate, even when it is used in a state of a high electric-field strength being applied to it under a high humidity.例文帳に追加

高湿度下において高い電界強度が印加された状況で使用されても、誘電体の還元による絶縁劣化が起きにくい薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

To provide a wide-band gap semiconductor device that is made compact, has low ON-resistance and low loss characteristics, and has large turn-on avalanche breakdown strength by relaxing electric field concentration to a gate insulating film to suppress a decrease in breakdown voltage.例文帳に追加

小型化すると共に、低オン抵抗、低損失特性を有し、ゲート絶縁膜にかかる電界集中を緩和して耐圧低下を抑制し、ターンオフ時のアバランシェ破壊耐量が大きいワイドバンドギャップ半導体装置の提供。 - 特許庁

To prevent deterioration in field effect mobility due to a columnar structure existing in a gate insulating layer of a TFT or hysteresis, and reduce a gate leak current and improve mechanical strength.例文帳に追加

ＴＦＴのゲート絶縁層に存在する柱状構造に起因した電界効果移動度の低下やヒステリシスを防ぎ、ゲートリーク電流を低減し、機械的強度を向上させる。 - 特許庁

To obtain high electric reliability and ensure enough strength concerning peeling of a conductor layer on an insulating layer after the formation of a circuit by reducing and stabilizing a field via, a conductor layer joined with the former, and connection resistance.例文帳に追加

フィルドビアとそれに接合する導体層と接続抵抗の低減と安定化を図り、高い電気的信頼性を得ると共に、回路形成後の絶縁層上の導体層の剥離について充分な強度を得ること。 - 特許庁

The field effect device comprises a substrate having an insulating film and a plurality of electrodes, and an organic semiconductor single-crystal material prepared separately from the substrate, wherein the insulating film is adhered to the organic semiconductor single-crystal material by electrostatic attraction or mechanical strength.例文帳に追加

本発明に係る電界効果デバイスは、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、該基板とは別々に作製された有機半導体単結晶とからなり、該絶縁膜と有機半導体単結晶とが、静電引力または機械的な力で接着されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the field effect device, the substrate having the insulating film and the plurality of electrodes, and the organic semiconductor single-crystal material are prepared separately, and then the organic semiconductor single-crystal material is adhered to the insulating film softly by electrostatic attraction or mechanical strength.例文帳に追加

本発明に係る電界効果デバイスの製造方法は、絶縁膜および複数の電極を有する基板と、有機半導体単結晶とを別々に作製した後、該有機半導体単結晶とゲート絶縁膜とを静電引力または機械的な力でソフトに接着することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electron gun for a cathode-ray tube that has improved in the voltage resistance property by making longer the surface distance between the electrodes in the insulating support member that fixes and supports a plurality of electrodes making potential difference and by weakening the electric field strength in the vicinity of triple contact point, and a cathode ray-tube.例文帳に追加

電位差を生ずる複数の電極を固定支持する絶縁支持部材における当該電極間の沿面距離を大きくすると共に、三重接点近傍での電界強度を弱めることによって、耐電圧特性を改善した陰極線管用電子銃及び陰極線管を提供する。 - 特許庁