interface flatnessとは 意味・読み方・使い方

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, superior uniformity of a composition of an interface with a semiconductor base, and sufficiently high adhesiveness with a Schottky junction layer.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To improve interface adhesion between a low dielectric constant film and a protection film without damaging excellent dielectric properties of an organic low dielectric constant material, flatness and gap filling characteristics.例文帳に追加

有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。 - 特許庁

Since no void is formed on the bonding interface in the compression bonding step, unacceptable flatness or mounting caused by a void can be prevented.例文帳に追加

これにより、圧着工程において接合界面にボイドが形成されることがなく、ボイドに起因する平坦度の不良や実装後の不具合を防止することができる。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

To efficiently manufacture a SIMOX substrate which has little defect such as threading dislocation, has a highly safe SOI layer, and has a surface and an interface of high flatness.例文帳に追加

貫通転位などの欠陥が少なく、完全性の高いＳＯＩ層を有し、かつ、平坦度の高い表面及び界面を有するＳＩＭＯＸ基板を効率良く製造する。 - 特許庁

To restrain warpage of a substrate to improve the flatness thereof, and also to reduce stress caused due to the difference in the coefficient of thermal expansion between first and second underfill resins and applied to an interface between a chip and the substrate.例文帳に追加

基板の反りを抑制してその平坦性を高め、且つ、第１及び第２のアンダーフィル樹脂の熱膨張係数差に起因してチップと基板との接合部に加わる応力を抑制する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor for improving the flatness of gm and achieving lower distortion characteristics by minimizing a band gap difference on the interface between n-InGaAs and n-GaAs.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＧａＡｓとｎ−ＧａＡｓ界面でのバンドギャップ差を最小化させることで、ｇｍの平坦性を改善させ、より低歪みな特性を実現させることの出来る電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁