「interface flatness」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laminated film in which flatness is obtained at an interface between an Si substrate and a metal layer formed adjacent thereto so as to reduce junction leakage at the Si/metal interface in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体デバイスなどにおけるＳｉ／金属界面では接合リークを抑制すべく、Ｓｉ基板と、これに隣接して形成される金属層との界面平坦性を確保した半導体積層膜を提供する。 - 特許庁

To efficiently manufacture a SIMOX substrate which has little defect such as threading dislocation, has a highly safe SOI layer, and has a surface and an interface of high flatness.例文帳に追加

貫通転位などの欠陥が少なく、完全性の高いＳＯＩ層を有し、かつ、平坦度の高い表面及び界面を有するＳＩＭＯＸ基板を効率良く製造する。 - 特許庁

Since no void is formed on the bonding interface in the compression bonding step, unacceptable flatness or mounting caused by a void can be prevented.例文帳に追加

これにより、圧着工程において接合界面にボイドが形成されることがなく、ボイドに起因する平坦度の不良や実装後の不具合を防止することができる。 - 特許庁

To provide a high quality, high performance single crystal of SiC not only little in the generation of micropipe defects and interface defects, but having a wide terrace and high in the flatness of the surface.例文帳に追加

マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCの提供すること。 - 特許庁

To improve interface adhesion between a low dielectric constant film and a protection film without damaging excellent dielectric properties of an organic low dielectric constant material, flatness and gap filling characteristics.例文帳に追加

有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor for improving the flatness of gm and achieving lower distortion characteristics by minimizing a band gap difference on the interface between n-InGaAs and n-GaAs.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＧａＡｓとｎ−ＧａＡｓ界面でのバンドギャップ差を最小化させることで、ｇｍの平坦性を改善させ、より低歪みな特性を実現させることの出来る電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To restrain warpage of a substrate to improve the flatness thereof, and also to reduce stress caused due to the difference in the coefficient of thermal expansion between first and second underfill resins and applied to an interface between a chip and the substrate.例文帳に追加

基板の反りを抑制してその平坦性を高め、且つ、第１及び第２のアンダーフィル樹脂の熱膨張係数差に起因してチップと基板との接合部に加わる応力を抑制する。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

To improve steepness of an interface by upgrading flatness at an atomic level and providing a semiconductor layer having excellent crystallinity with small dislocation and to provide a semiconductor light emitting element having excellent photoelectric characteristics.例文帳に追加

原子レベルでの平坦性を良くし、なおかつ、転位の少ない結晶性の優れた半導体層を提供することで界面の急峻性を向上し、優れた光電特性を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an ohmic junction layer which has superior surface flatness, superior uniformity of a composition of an interface with a semiconductor base, and sufficiently high adhesiveness with a Schottky junction layer.例文帳に追加

表面平坦性に優れ、半導体基体との界面における組成の均一性に優れ、ショットキー接合層との十分に高い密着性が得られるオーミック接合層を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

While the alloy layer 116 which contains Ni being prevented from Au atom diffusing into the semiconductor layer, the internal dispersion and the absorption loss are eliminated at the interface between the semiconductor layer 111 or the contact layer 114 and the electrode 115 by preventing the aggravation of the interface flatness between the semiconductor layer and the electrode 115.例文帳に追加

上記Ｎiを含む合金層１１６が、Ａu原子の半導体層中への拡散を防止する共に、半導体層と電極１１５との界面の平坦性の悪化を防止して、半導体層１１１やコンタクト層１１４および半導体層と電極１１５との界面での内部散乱や吸収損失をなくす。 - 特許庁

To prevent an air layer from being generated or left on the interface of a kneaded matter and a metal plate because flatness of the kneaded matter before curing is not high on the plane touching the metal plate.例文帳に追加

硬化前の混練物は金属板に接する面の平坦度は高いとはいえないので放熱板における混練物と金属板との界面での空気層の発生あるいは残存してしまうものを防止する目的のものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which no void is formed on a bonding interface in a step for compression- bonding a reinforcing member and unacceptable flatness or mounting caused by a void can be prevented.例文帳に追加

補強部材を接合する圧着工程において接合界面にボイドが形成されることがなく、ボイドに起因する平坦度の不良や実装不具合を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for treating the surface of a resin board, capable of improving the adhesion between the resin board and a conductor layer while maintaining the flatness of the interface between them and also capable of suppressing the flocculate precipitation of photocatalyst microparticles during light irradiation.例文帳に追加

樹脂基板と導体層の界面の平坦性を維持しつつ、両層の密着性を向上させ、ならびに光照射中の光触媒微粒子の凝集沈殿を抑制できる樹脂基板の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical element manufacturing method that is capable of manufacturing an optical element having predetermined light distribution characteristics, without creating a density distribution in a transparent layer and without reducing yields, and that is capable of ensuring the flatness of the interface surface between a transparent layer of a microlouver and a light absorbing layer.例文帳に追加

透明層の密度分布を生じさせず、歩留まりの低下を来すことなく、かつ、マイクロルーバの透明層と光吸収層との境界面の平面度を確保することが可能な、所定の配光特性を有する光学素子を製造することができる光学素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to make the uniformity of step flatness and in-surface polishing amount compatible by using a hard and unfoamable polishing pad, this polishing device is provided with a precision machining mechanism for cutting and grinding, capable of forming a smooth pad surface and a groove for efficiently carrying slurry to an interface between the pad and a wafer on a rotating surface plate.例文帳に追加

硬質・非発泡の研磨パッドを用いて、段差平坦性と面内研磨量の均一性を両立させるため、平滑なパッド面の創生及びパッドとウェーハの界面に研磨用スラリーを効率よく搬送するための溝を回転定盤上で行うこと形成することが可能な切削もしくは研削などの精密加工機構を研磨装置に備えた。 - 特許庁

To solve a problem which the surface adhesion of a foamed sheet of a synthetic resin is usually weak because of its insufficient flatness when printed or laminated, to cause peeling at the interface between the foamed sheet and an adhesive layer, for example, even when a decorative sheet is laminated and is too weak to occur the breakage of the laminated material.例文帳に追加

合成樹脂発泡シートは、表面の平面性が不十分なため、印刷やラミネートの際の接着性が不十分であり、例えば、化粧シートを接着剤を用いてラミネートしても、発泡シートと接着剤層の界面で剥離が生じ、貼り合せた素材の破壊に至るほどの強い接着力が得られなかった点を改善することを課題としている。 - 特許庁

To provide a microfabricated PN junction interface with good flatness by reducing low-frequency noise by solving problems of cooling within a range of, especially, 270 to 150°C during formation of a P-type region as a base before an N-type impurity is added such as a P-type wafer substrate of a MOS integrated circuit and a base region of an NPN transistor of a bipolar integrated circuit etc.例文帳に追加

ＭＯＳ集積回路のＰ型ウェーハ基板やバイポーラ集積回路のＮＰＮトランジスタのベース領域など、Ｎ型不純物を添加する以前の下地となるＰ型領域形成時の特に２７０〜１５０℃の範囲の冷却には問題があり、それらの問題を解決し低周波雑音を低減し、平坦性の良い微細化ＰＮ接合界面を提供する。 - 特許庁