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interface segregationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 界面偏析
「interface segregation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
This is because the segregation coefficient of arsenic at the interface between a silicon film 4 and the oxide film 3 is small.例文帳に追加
その後、前記多結晶シリコン膜に偏析係数がリンのそれより小さいｎ型半導体をイオン注入する。 - 特許庁
The solder bonding part has segregation of a low-melting-point phase of solder on an interface between the land 32 on the back surface 13b side and a fillet 22 of lead-free solder 21.例文帳に追加
はんだ接合部は、裏面１３ｂ側のランド３２と鉛フリーはんだ２１のフィレット２２との界面に、はんだの低融点相の偏析を有する。 - 特許庁
Because of segregation of the fine particle material on the interface, micro domain structures can be stably formed even for different kinds of material which are poorly compatible to one another.例文帳に追加
微粒子材料が界面に偏析することで、相溶性が低い異種材料の混合物であってもミクロドメイン構造を安定して形成可能になった。 - 特許庁
To reduce a thickness of a metamorphic layer caused by diffusion/segregation of In in the hetero-interface between a compound semiconductor including In and a compound semiconductor not including In.例文帳に追加
Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。 - 特許庁
To prevent center segregation by applying a large quantity of light rolling reduction to the limit which dose not develop squeezing out concentrated molten steel, without developing the crack in the interface between the solid and the liquid in a cast slab when the center segregation in the continuously cast slab is reduced with the light rolling reduction method.例文帳に追加
軽圧下方法により連続鋳造鋳片の中心偏析を低減する際に、鋳片の固液界面に割れを発生させることなく、濃化溶鋼の絞り出しが発生しない限界まで軽圧下量を大きくして中心偏析を防止する。 - 特許庁
To reduce center segregation by applying a large quantity of light rolling reduction to the limit which does not cause the squeezing of concentrated molten steel, without caursing the crack in the interface between the solid and the liquid in a cast slab.例文帳に追加
鋳片の固液界面に割れを発生させることなく、濃化溶鋼の絞り出しが発生しない限界まで軽圧下量を大きくして、中心偏析を低減する。 - 特許庁
The segregation of impurities on the interface between the gate insulating film 3 and the gate electrode is inhibited, and the peeling of the gate electrode can be prevented, thus improving the reliability of the gate insulating film 3.例文帳に追加
また、ゲート絶縁膜３とゲート電極との界面における不純物の偏析を抑制し、ゲート電極の剥離を防止することができるため、ゲート絶縁膜３の信頼性が高い。 - 特許庁
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「interface segregation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
The surface of the sample is rubbed with a copper wire before the analysis so that, in a figure, a peak is shown in the distribution of copper caused by segregation to the interface between a polycrystal silicon film and a silicon dioxide film.例文帳に追加
図には、分析前に試料表面を銅線で擦っておいたため、銅の分布に多結晶シリコン膜と二酸化シリコン膜界面への偏析に起因するピークが現れる。 - 特許庁
To provide a powder mixture for powder metallurgy which hardly causes segregation of powder for alloy or the like, is excellent in flowability and also is excellent in lubricity with a mold interface upon molding.例文帳に追加
合金用粉末等の偏析が生じにくく、しかも流動性に優れ且つ成形時における金型界面との潤滑性にも優れた粉末冶金用粉末混合物を提供する。 - 特許庁
To provide an impurity concentration analysis method of an interface for accurately analyzing the impurity concentration at the interface, by suppressing the increase in a secondary ionization probability due to the segregation of a primary ion in the impurity concentration analysis method of the interface of different kinds of materials due to the secondary ion mass spectrometry method.例文帳に追加
二次イオン質量分析法による異種材料の界面の不純物濃度分析方法において、一次イオンの偏析による二次イオン化確率の増大を抑制し、界面における不純物濃度を精度良く分析する界面の不純物濃度分析方法を提供する事を目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element that can suppresses an increase in element resistance by preventing segregation of a dopant in a region near a hetero interface, thereby enabling both stable operation and high output under high temperatures.例文帳に追加
ヘテロ界面近傍の領域におけるドーパントの偏析を抑制して素子抵抗の上昇を抑制し、高温での安定動作と高出力化を両立可能とする半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加
Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁
A semiconductor device is constituted of a silicon substrate 10, a gate insulating film 18 on the silicon substrate 10, a gate electrode 30 formed on the gate insulating film 18 and has a silicon film 26 on at least a face in contact with the gate insulating film 18, and a nitrogen segregation layer with a peak density in the vicinity of an interface between the silicon film 26 and the gate insulating film 18.例文帳に追加
シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成されたゲート絶縁膜１８と、ゲート絶縁膜１８上に形成され、少なくともゲート絶縁膜１８に接する面にシリコン膜２６を有するゲート電極３０と、シリコン膜２６とゲート絶縁膜１８との界面近傍にピーク濃度を有する窒素偏析層とにより半導体装置を構成する。 - 特許庁
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