ionic semiconductorとは 意味・読み方・使い方

The solid p-type semiconductor layer 26 is made with a solution in which the ratio of the concentration of the ionic liquid as an additive to the concentration of the Cu compound is equal to or higher than 0.6% and equal to or lower than 12.5% to contain the Cu compound and the ionic liquid.例文帳に追加

この固体ｐ型半導体層２６は、Ｃｕ化合物の濃度に対する添加剤としてのイオン性液体の濃度の割合を０．６％以上１２．５％以下とした溶液を用いＣｕ化合物及びイオン性液体を含んで作製されている。 - 特許庁

Hereby, an AC electric field is generated between the electrodes, and it becomes easy for sputtered ionic active seeds to reach the interior of the recess of the semiconductor wafer W, and biased to meandering.例文帳に追加

これにより、電極間に交番電界が生じ、スパッタされたイオン性活性種が蛇行するように偏向され、半導体ウェハＷの凹部内へ到達し易くなる。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element constituted of the ionic liquid gel electrolyte obtained by gelatinizing liquid electrolyte made of a redox ion pair with an ionic organic oligomer gelatinizing agent, a dye-absorbing semiconductor electrode (b) provided in contact with a transparent conductive substrate (a), and the ionic liquid gel electrolyte (c) incorporated between counter electrodes (d), as well as the solar cell, are provided.例文帳に追加

イオン性有機オリゴマーゲル化剤により、レドックスイオン対からなる液体電解質をゲル化して得られるイオン性液体ゲル電解質、及び透明導電性基板ａに接して設けた色素吸着半導体電極ｂ及び対極ｄの間に組み込まれたイオン性液体ゲル電解質ｃから構成される色素増感型光電変換素及び太陽電池。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a semiconductor substrate (wafer or chip) has a bending strength large enough to bear the pressure when mounting a chip although it is so thin that a breakup layer cannot be formed and the entry of ionic impurities from the backside of the semiconductor substrate can be prevented.例文帳に追加

破砕層を形成できない薄さの半導体基板（ウェハまたはチップ）でも、チップの実装時の圧力に耐えられる抗折強度を有するとともに、イオン性不純物の半導体基板の裏面からの侵入を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the deposition of copper on the plate of a semiconductor integrated circuit equipment having the undulation of a submicron siz by the electroplating, a substrate is immersed in an electroplating bath prepared from a concentrated solution containing an effective amount of an ionic copper and a defect reducing agent.例文帳に追加

サブミクロンサイズの起伏を有する半導体集積回路機器基板上に銅を電気鍍金で析出させる方法および対応する電気鍍金浴を調製する濃厚液。 - 特許庁

The semiconductor material is formed of a bipolar polymer film which is effective for the transfer of holes or electrons, containing polymer that has a conjugate skeleton stare possessed of a functional part capable of promoting the transfer of ionic charge.例文帳に追加

半導体材料は、イオンの電荷輸送を促進できる機能部分を持った共役骨組構造を有するポリマーを含む、ホールまたは電子移送に有効なバイポーラポリマー膜からなる。 - 特許庁

In a method for polishing a group III-V nitride semiconductor substrate by using slurry, the slurry contains a substance having chemical potential sufficient for unbonding an ionic bond of a molecule composing the group III-V nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

スラリーを用いてIII−Ｖ族窒化物半導体基板を研磨する研磨方法であって、前記スラリーは、前記III−Ｖ族窒化物半導体基板を構成する分子のイオン性結合を切断するために十分な化学ポテンシャルを有する物質を含む。 - 特許庁

The photoelectric transfer element includes a semiconductor electrode 9 having a semiconductor layer 6 having a pigment adsorbed, a counter electrode 3 provided opposedly to the semiconductor electrode 9, and an electrolyte layer 4 containing an ionic solution, nitroxyl radical and an oxoammonium salt, and provided to contact respectively with the semiconductor layer 6 of the semiconductor electrode 9 and the counter electrode 3, in a position sandwiched by the semiconductor electrode 9 and the counter electrode 3.例文帳に追加

色素を吸着させた半導体層６を有する半導体電極９と、半導体電極９に対向して設けられる対電極３と、イオン液体、ニトロキシルラジカル、および、オキソアンモニウム塩を含み、半導体電極９および対電極３に挟まれる位置に、半導体電極９の半導体層６および対電極３それぞれに接して設けられる電解質層４と、を有する光電変換素子を提供する。 - 特許庁