isotropic pointとは 意味・読み方・使い方

The composition can, especially, obtain more isotropic heat conduction than ever, when the composition contains of a metal powder having a melting point of ≥ 500°C in an amount of 1-10 vol% and a low-melting alloy having a melting point of ≤ 500°C in an amount of 1-10 vol%.例文帳に追加

特に、融点が５００℃以上の金属粉を１〜１０ｖｏｌ％と、融点が５００℃以下の低融点合金を１〜１０ｖｏｌ％含むことにより、より等方的な熱伝導を得ることができる。 - 特許庁

The liquid crystal compound expresses no optical activity in an isotropic phase state above the melting point or in a solvent-diluted state, has optically active helical structure in a liquid crystalline state and has in the molecule no asymmetric carbon atom.例文帳に追加

融点以上の等方相状態または溶媒に希釈した状態では光学活性を示さず、液晶状態にて光学活性な螺旋構造を有し、分子内に不斉炭素原子を有さない液晶化合物を用いる。 - 特許庁

To provide a polymerizable liquid crystal composition which has an NI point in a temperature range suitable for producing patterned optical elements in two or more phase difference parts and two or more isotropic parts, and in which a precipitate or the like is not generated.例文帳に追加

複数の位相差部と複数の等方部にパターニングされた光学素子を生産する上で好適な温度範囲にＮＩ点を有し析出物等が発生しない重合性液晶組成物を提供する。 - 特許庁

The display part 2 is composed of a reversible thermosensitive display layer 12 mainly composed of a low molecular cholesteric liquid crystal compound having an isotropic phase transfer temperature higher a fusing point.例文帳に追加

表示部２は等方相転移温度が融点よりも高い低分子コレステリック液晶性化合物を主成分とする可逆性感熱表示層１２からなる。 - 特許庁

This sintered material is obtained by incorporating a high melting point metal or alloy with at least one kind among hydrogen, helium, carbon, nitrogen, oxygen, fluorine, neon, chlorine and argon by ≤500 ppm, has a theoretical density ratio of ≥98.5%, has the average grain size of 10 to 600 μm and has been subjected to isotropic press sintering treatment.例文帳に追加

焼結材料は、高融点金属又は合金に、水素、ヘリウム、炭素、窒素、酸素、沸素、ネオン、塩素、及びアルゴンのうちの少くとも一種を５００ｐｐｍ以下含有し、理論密度比が９８．５％以上で、平均粒径が１０〜６００μｍであり、等方加圧焼結処理されている。 - 特許庁

A single crystal 11 is subjected to hot isotropic pressing treatment in a stable atmosphere for the crystal, at a pressure of 0.2-304 MPa and a temperature at least 0.85 times as high as a melting point (absolute temperature) of the crystal, for 5 to 20 min. and thereafter it is annealed.例文帳に追加

単結晶体１１をこの単結晶体１１の安定な雰囲気下、０．２〜３０４ＭＰａの圧力でこの単結晶体１１の絶対温度による融点の０．８５倍以上の温度で５分間〜２０時間、熱間等方圧加圧処理を行った後に徐冷する。 - 特許庁

An image accepting device of the image processing apparatus accepts images, a matrix generating device generates a matrix based on a function of assuring the minimum value in the geometrically isotropic and uniform point dispersion, and a noise adding device adds noise to the image accepted with the image accepting device by a periodical mask process using the matrix generated with the matrix generating device.例文帳に追加

画像処理装置の画像受付手段は、画像を受け付け、行列生成手段は、幾何的に等方的で均一的な点分散において最小値を取ることを保証する関数に基づいて、行列を生成し、雑音付加手段は、前記行列生成手段によって生成された行列を用いて周期的にマスク処理して前記画像受付手段によって受け付けられた画像に雑音を付加する。 - 特許庁

In such a buffered substrate having the buffer layer 102, the buffer layer 102 has a melting point higher than a limit temperature of the substrate 100, and further, in crystallization of the silicon layer 104, defines nuclear density of the silicon layer for forming uniform silicon crystal particles on the buffer layer 102, and still further, functions as a basis for isotropic grain growth.例文帳に追加

バッファ層１０２を有するこのようなバッファ化基板において、該バッファ層１０２は、基板１００の限界温度よりも高い融点を有し、さらに、シリコン層１０４の結晶化に際し、バッファ層１０２上に均一なシリコン結晶粒子を形成するためシリコン層１０４の核生成密度を規定し、かつシリコン層１０４の結晶化過程における等方粒成長の基礎として機能する。 - 特許庁