polishing marksとは 意味・読み方・使い方

To provide a polishing method for semiconductor wafers for maintaining the cleanliness of wafers, without causing marks due to polishing abrasive on the surface of the wafers.例文帳に追加

研磨砥粒を起因とする傷をウェーハ表面に生じず、ウェーハの清浄度を維持し得る半導体ウェーハの研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vibration barrel polishing method capable of finishing a work without dents and at a sufficient degree of glossiness even after removing finishing marks before barrel polishing.例文帳に追加

ワークに打痕なきよう、且つバレル研磨前の仕上痕を取り去って光沢度も十分な程度に仕上げることのできる振動バレル研磨法を提供する。 - 特許庁

Since aggregation of the fumed silica hardly occurs in the composition, even when external load is applied and/or the composition is preserved over a long period, polishing marks, particularly, polishing marks having diameters of ≥0.2 μm hardly occur on the surface of the semiconductor device; and moreover, the composition has a high polishing speed.例文帳に追加

該組成物は、外的負荷および／または長期保存によるヒュームドシリカの凝集がほとんど起こらないので、半導体デバイス表面の研磨傷、特に径０．２μｍ以上の研磨傷をほとんど発生させることがなく、しかも高い研磨速度を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal wiring using a chemical mechanical polishing method capable of preventing corrosion marks.例文帳に追加

腐食痕が発生しない、化学的機械的研磨法による金属配線の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second wiper 42 wipes the second region 8a2 by relatively moving to the surface 8a in a direction of the polishing marks 8b2.例文帳に追加

第２ワイパ４２は、表面８ａに対して研磨目８ｂ２の方向に相対移動することにより、第２領域８ａ２をワイピングする。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for semiconductor that can markedly reduce the occurrence of polishing marks on the surface of a semiconductor device, without decelerating the polishing speed which is the advantage of fumed silica, while the composition contains the fumed silica as an abrasive.例文帳に追加

研磨剤としてヒュームドシリカを含有するにも係わらず、ヒュームドシリカの長所である高い研磨速度を損なうことなく、半導体デバイス表面の研磨傷の発生を著しく減少させる。 - 特許庁

Further, the slurry is carried to the next polishing process, thus suppressing defects generated on a surface to be polished in the semiconductor wafer W by polishing using the slurry and suppressing stain and marks generated on the back.例文帳に追加

さらに、次の研磨工程にスラリーが持ち込まれて、このスラリーを用いた研磨により半導体ウェハＷの被研磨面に発生する欠陥や、裏面に発生するシミや傷を抑制できる。 - 特許庁

According to this configuration, since an oxide formed in the first chemical mechanical polishing is removed substantially completely in the second chemical mechanical polishing, the corrosion marks will not generate.例文帳に追加

このような構成により、１回目の化学的機械的研磨によって形成された酸化物が２回目の化学的機械的研磨の際に略完全に除去されるので、腐食痕が発生しない。 - 特許庁