ss Gとは 意味・読み方・使い方

Concretely, the ammonia nitrogen sludge load falls into the range of ≥0.06 g-NH_4-N/g-SS/day and ≤0.30 g-NH_4-N/g-SS/day and the dissolved oxygen concentration falls into the range of ≥0.18 mg/L and ≤0.52 mg/L.例文帳に追加

具体的には、前記アンモニア性窒素汚泥負荷が0.06 g-NH_４-N /g-SS/日以上0.30 g-NH_４-N /g-SS/日以下の範囲内であり、かつ、前記溶存酸素濃度が0.18 mg/L以上0.52 mg/L以下の範囲内であるように制御する。 - 特許庁

A foundation work B is placed on the bottom part G of a revetment slope SS to lay a suction prevention mat M along the slope SS.例文帳に追加

護岸法面ＳＳの底部Ｇに基礎工Ｂを打設し、法面ＳＳに沿って吸出し防止マットＭを敷設する。 - 特許庁

The injection rate of the ozone-containing gas is preferably 1 mg×O_3/g×SS or larger.例文帳に追加

オゾン含有ガスの吹き込み量は、１ｍｇ・Ｏ_３／ｇ・ＳＳ以上とすることが好ましい。 - 特許庁

The ozone injection rate is controlled within the range of 0.005-0.015g-0_3/g-ss.例文帳に追加

オゾンの注入率は０．００５〜０．０１５ｇ−０_３／ｇ−ＳＳ の範囲になるように制御される。 - 特許庁

g per liter waste water flowing into the biological treatment tank 1, wherein X means an organic inflow load in the flowing waste water, the sum total of BOD and organic SS not contained in BOD.例文帳に追加

ただしＸは、流入する廃水における有機性流入負荷濃度を意味し、ＢＯＤ＋ＢＯＤに含まれない有機性ＳＳの総和である。 - 特許庁

When the photoresist is patterned by using the photomask M, a fine length flat surface RS is formed on the photoresist, among a plurality of opening parts G by the fine length light-shielding part SS.例文帳に追加

フォトマスクＭを用いてフォトレジストをパターニングすると、細長遮光部ＳＳによって、複数の開口部Ｇ間においてフォトレジストに細長平坦表面ＲＳが形成される。 - 特許庁

A metal gate electrode G is formed via an insulating layer, in a region between the source/drain regions SD1 and SD2 on the surface of the substrate region SS, and an FET (field effect transistor) element part F11 is formed.例文帳に追加

サブストレート領域ＳＳ表面のソース／ドレイン領域ＳＤ１及びＳＤ２の間の領域に絶縁層を介して金属ゲート電極Ｇを形成して、ＦＥＴ素子部Ｆ１１とする。 - 特許庁