substitution elementとは 意味・読み方・使い方

A perovskite oxide with the deficiency of oxygen and constituent element substitution or the like is used for the electrode buffer layer 7.例文帳に追加

電極バッファ層７には、酸素欠損や構成元素置換を有するぺロブスカイト型酸化物などか用いられる。 - 特許庁

A minimum one of gradation values of respective colors Y, M, C, of the selected pixel is selected as a substitution reference value (step 204), the substitution reference value is multiplied by an element of a substitution rate matrix corresponding to the selected pixel, as a replacement value (step 206).例文帳に追加

選択された画素の、Ｙ，Ｍ，Ｃ色の各々の階調値のうちの最小の階調値を選択して置換基準値とし（ステップ２０４）、置換基準値に、選択された画素に対応する置換率マトリックスの要素を掛けて置換値とする（ステップ２０６）。 - 特許庁

Preferable electrode performance can be obtained in the middle temperature range by enhancing a substitution rate x of a B element to an A element in comparison with the conventional rate.例文帳に追加

Ａ元素に対するＢ元素の置換率ｘを従来に比して高めることにより中温域において好ましい電極性能が得ることができる。 - 特許庁

The interleaving section makes each element of the input interleaver matrix correspond to each element of an output interleaver matrix assumed for the substitution of data.例文帳に追加

次に、インターリーブ部は、入力インターリーバ行列の各要素を、データの置換のために想定される出力インターリーバ行列の各要素に対応付ける。 - 特許庁

To provide a memory element allowing substitution of a normally operating row or column of another memory element for a defective row or column of one given memory element; and to provide a system architecture related to it.例文帳に追加

ある与えられたメモリ素子の欠陥ロウまたはカラムを、別のメモリ素子の正常動作ロウまたはカラムと置換することを可能にするメモリ素子およびそれに対応づけられたシステムアーキテクチャを提供する。 - 特許庁

To obtain coercive force expected from the substitution amount of an RH element with a composition of an R-T-B-based sintered magnet which contains ≥1.5% by atom of the RH element.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において、ＲＨ元素が１．５原子％以上含まれる組成において、ＲＨ元素の置換量から期待される保磁力を得る。 - 特許庁

For molding an optical element material into an optical element, a mold set 15 is thrown into an IN port load lock chamber 12, subjected to vacuuming, then subjected to nitrogen substitution and thrown into a molding chamber 8.例文帳に追加

光学素子材料に対し成形を行うには、金型組１５をＩＮポートロードロック室１２に投入し、真空引きした後、窒素置換を行い、成型室８内に投入される。 - 特許庁

To obtain a method of growing a crystal, which prevents reduction in crystallizability of the crystal and formation of a distortion modified layer due to a group V desorption or a group V substitution, in a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

Ｖ族脱離、あるいはＶ族置換に起因する結晶性の低下、歪変成層の形成を防ぐ結晶の成長方法を得る。 - 特許庁