substrate temperature effectとは 意味・読み方・使い方

To provide a composite substrate which can be manufactured at a relatively low cost while exhibiting high improvement effect of temperature characteristics, and in which combination of a piezoelectric substrate and a support substrate is not limited to one set.例文帳に追加

温度特性の改善効果が高く、比較的低コストで製造可能であり、圧電基板と支持基板との組み合わせも１組に限定されない複合基板を提供する。 - 特許庁

To provide a heating apparatus, or the like, that uniformly heats the whole substrate by reducing the effect of an initial temperature distribution generated on a substrate surface, when the substrate is carried into a heating chamber.例文帳に追加

加熱室に搬入した際に基板表面に生じる初期温度分布の影響を低減して、基板全体を均一に加熱することの可能な加熱装置等を提供する。 - 特許庁

Thereby, the film-forming apparatus can form the film with little film-thickness dispersion within the face of the substrate 5 so that the discharge of the production gas 6 does not exert an effect on the temperature of substrate 5 held at a predetermined temperature.例文帳に追加

このことから、生成ガス６の吐出が所定の温度に保持された基板５の温度に影響を与えることなく、基板５面内の膜厚ばらつきの少ない成膜処理を可能とする。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a structure that realizes sure and secure low-temperature operation without applying a substrate bias voltage.例文帳に追加

基板バイアス電圧を印加することなく、正確且つ確実な低温動作を実現する構成を有する電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To reduce the harmful effect of phosphorous atoms in an InP substrate being emitted from a grid site, and going into an epitaxial layer formed on the substrate when it is heated to a growth temperature.例文帳に追加

成長温度に加熱されたときに、ＩｎＰ基板中のＰ原子が格子サイトから放出され、基板上に形成されたエピタキシャル層に入る有害な効果を減少させる。 - 特許庁

The epitaxial wafer for the field effect transistor comprises an InGaN low-temperature deposit layer 5 provided on the sapphire substrate 6, and GaN field effect transistor structures 1 to 3 provided on the layer 5 via a GaN buffer layer 4.例文帳に追加

サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit substrate, preventing an ion residue problem of the ion for the cleavage separation in a semiconductor circuit and eliminating an effect, such as shrinking, on the target substrate by a deionizing process under a high temperature, even if an insulating substrate such as a glass substrate, which can not withstand the high temperature, is used as a target substrate.例文帳に追加

半導体回路における、劈開分離のためのイオンのイオン残りを防止するとともに、ターゲット基板としてガラス基板等の、高温に耐えることができない絶縁基板を用いた場合でも、高温下での脱イオン処理によるシュリンク等のターゲット基板への影響を排除することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composite piezoelectric substrate which when it is changed in temperature, provides high temperature improvement effect and small variation in in-plane frequency temperature coefficient and which has excellently stable frequency temperature characteristic and warps little with heat.例文帳に追加

基板を温度変化させたときに、温度改善効果が高く、圧電基板において面内周波数温度係数のばらつきが小さく、周波数温度特性が優れた安定性を有するものであるとともに、熱により生じる反りが小さい複合圧電基板を提供する。 - 特許庁