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The process for producing an Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v substrate comprises the steps of providing a dissimilar substrate (11) and growing a Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer having a main surface on the dissimilar substrate (11).例文帳に追加
本発明のＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材の製造方法は、異種基板１１を準備する工程と、異種基板１１上に、主表面を有するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁
The composition ratio x+v located in the main surface of the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer satisfies 0<x+v<1.例文帳に追加
Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層における主表面に位置する組成比ｘ＋ｖは、０＜ｘ＋ｖ＜１である。 - 特許庁
The arms 113u, v, w are connected in parallel with a power supply 120 and motor windings 22u, v, w are connected to the points of the arms 113u, v, w where the switching elements 111a, b are interconnected.例文帳に追加
各アーム１１３ｕ，ｖ，ｗは電源１２０に並列接続され、各アーム１１３ｕ，ｖ，ｗにおけるスイッチング素子１１１ａ，ｂの相互接続点にモータ巻線２２ｕ，ｖ，ｗが接続される。 - 特許庁
To provide: an Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v substrate that can maintain a high level of crystallinity and can maintain low cost; an epitaxial wafer; and processes for producing the substrate and the epitaxial wafer.例文帳に追加
高い結晶性を維持し、かつ低いコストを維持するＳｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v基材、エピタキシャルウエハ、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v monotonously increases or monotonously decreases from the interface with the dissimilar substrate 11 to the main surface.例文帳に追加
Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面から主表面に向けて組成比ｘ＋ｖが単調増加または単調減少する。 - 特許庁
In the Si_(1-v-w-x)C_wAl_xN_v layer, the composition ratio x+v at the interface with the dissimilar substrate 11 is closer to that of the dissimilar substrate 11 material than the x+v in the main surface.例文帳に追加
Ｓｉ_(1-v-w-x)Ｃ_wＡｌ_xＮ_v層において、異種基板１１との界面の組成比ｘ＋ｖは、主表面の組成比ｘ＋ｖよりも異種基板１１の材料に近い。 - 特許庁
The ferroelectric material has a chemical composition expressed by general formula of Bi_4-xLa_xTi_3-yA_yO_12, wherein La represents lanthanum or a lanthanoide, A represents V, W, Nb or Ta, and x and y satisfy 0.1≤x≤3 and 0.01≤y≤0.1.例文帳に追加
一般式Bi_4-xLa_xTi_3-yA_yO_12（式中、Laはランタンまたはランタノイド元素を表し、AはV, W, NbまたはTaを表し、0.1≦x≦3、0.01≦y≦0.1である。）で表される化学組成を有する強誘電体。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「v・w」の英訳 |
VW
出典:『Wiktionary』 (2024/12/01 00:00 UTC 版)
発音
- IPA: (initialism) /viːˈdʌbəljuː/, (full form) /ˈvoʊkswæɡən/
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「v・w」を含む例文一覧
該当件数 : 124件
An operating signal generation section 32 sets inverter operating signals g*# (*=u,v,w; #=n,p) accordingly.例文帳に追加
操作信号生成部３２では、これに基づきインバータの操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｎ，ｐ）を設定する。 - 特許庁
The three-phase line (U, V, W phase) is connected to the three-phase motor 4 respectively.例文帳に追加
ここで、三相ライン（Ｕ，Ｖ，Ｗ相）は、各々三相モータ４と接続している。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING Si(1-v-w-x)CwALxNv SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER, Si(1-v-w-x)CwAlxNv SUBSTRATE, AND EPITAXIAL WAFER例文帳に追加
Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、Ｓｉ（１−ｖ−ｗ−ｘ）ＣｗＡｌｘＮｖ基材およびエピタキシャルウエハ - 特許庁
Based on the signal, an operation signal generation unit 22 sets an operation signal g*# (*=u, v, w; #=n, p) for an inverter.例文帳に追加
操作信号生成部２２では、これに基づきインバータの操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｎ，ｐ）を設定する。 - 特許庁
The composition formula is R_3-xBi_xFe_5-v-w-yMa_zMb_vMc_wRh_yO_12, where R denotes a rare earth element including yttrium; Ma denotes a bivalent positive element; Mb denotes a trivalent positive element; and Mc denotes a quadrivalent positive element.例文帳に追加
組成式は、Ｒ_3-x Ｂｉ_x Ｆｅ_5-v-w-y Ｍａ_z Ｍｂ_v Ｍｃ_w Ｒｈ_y Ｏ_12但し、Ｒはイットリウムを含む希土類元素、Ｍａは２価の陽性元素、Ｍｂは３価の陽性元素、Ｍｃは４価の陽性元素、で表される。 - 特許庁
One mounting plate (40) for upper arm and multiple connecting plates (70) for upper arm are used as wiring for electrically connecting the upper arm-side switching elements (130) to a positive node (P) or output terminals (U, V, W).例文帳に追加
正側ノード（P）又は出力端子（U,V,W）に上アーム側スイッチング素子（130）を電気的に接続するための配線として、１つの上アーム用搭載板（40）及び複数の上アーム用接続板（70）が用いられている。 - 特許庁
The projected portion 23 is put into between the edge of the opening 22 and each of the extension lines 13 (u, v, w), 14 to prevent each of the extension lines 13 (u, v, w), 14 from being directly brought into contact with the frame chassis 3.例文帳に追加
前記突出部２３は、開口２２の縁と各引出線１３（ｕ,ｖ,ｗ）,１４との間に入り込み、各引出線１３（ｕ,ｖ,ｗ）,１４がフレームシャーシ３と直接に接触するのを防止する。 - 特許庁
An operation signal generation unit 32 sets the operation signal g*#(*=u,v,w;#=n,p) of an inverter based on the high frequency voltage command signal.例文帳に追加
操作信号生成部３２では、これに基づきインバータの操作信号ｇ＊＃（＊＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｎ，ｐ）を設定する。 - 特許庁
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