x dependenceとは 意味・読み方・使い方

The extremely excellent piezoelectric characteristic hardly having temperature dependence is achieved by creating a state of a morphotropic phase boundary by adjusting the composition (value of x) of the non-lead piezoelectric material that is the SnZrO_3-SnTiO_3 solid solution [Sn(Zr_xTi_1-x)O_3].例文帳に追加

ＳｎＺｒＯ_３—ＳｎＴｉＯ_３固溶体（Ｓｎ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３）である非鉛圧電材料の組成（ｘの値）を調整して組成相境界の状態を作り出すことにより、温度依存性のほとんどないきわめてすぐれた圧電特性を実現する。 - 特許庁

A control unit 11 is provided so that the AC voltage source 5, the flash X-ray source 6, and/or the partial discharge detection device 10 are/is controlled or, in particular, controlled in dependence upon the applied AC voltage.例文帳に追加

コントロール・ユニット１１が設けられ、交流電圧源５、フラッシュＸ線源６、および／または、部分放電検出装置１０が、コントロールされ、特に加えられる交流電圧に依存して、コントロールされる。 - 特許庁

This humidity dependence-improving agent for a polymer film is provided by containing any of compounds expressed by the general formulae (1) and (2) [wherein, Ra to Rc are each alkyl, alkenyl, alkynyl, aryl or heterocyclic; X^1 to X^6 are each a single bond or a divalent linking group; R^1 to R^6 are each H, alkyl, alkenyl, alkynyl, aryl or heterocyclic].例文帳に追加

下記一般式のいずれかで表される化合物を含む高分子フィルム用湿度依存性改良剤（Ｒａ〜Ｒｃはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基；Ｘ^1〜Ｘ^6は単結合または２価の連結基；Ｒ^1〜Ｒ^6は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基または複素環基）。 - 特許庁

To provide a triaxial acceleration sensor by which a precise acceleration in the three-dimensional direction such as the X-axis, Y-axis and Z-axis directions can be sensed although its circuit constitution is on a small scale and to provide a correction method for its Z-axis dependence.例文帳に追加

小規模な回路構成であるにも拘わらず、Ｘ、Ｙ及びＺ軸方向といった３次元方向の正確な加速度を検出できる３軸加速度センサ及びそのＺ軸依存性の補正方法を提供する。 - 特許庁

To obtain techniques to improve the performance in microprocessing of a semiconductor element using high energy rays, in particular, KrF excimer laser light, X-rays, electron beams or EUV (extreme UV) rays, and to provide a negative resist composition satisfying the requirements for high sensitivity, high resolution, a preferable pattern profile and preferable dependence on the pattern density.例文帳に追加

高エネルギー線、特にＫｒＦエキシマレーザー、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好な疎密依存性を同時に満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness (LER) and good dependence on a density distribution particularly in lithography using electron beams, X-rays or EUV light as an exposure light source, and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス（Line edge roughness: LER）、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a new nitrogen-containing organic compound suitably used for a chemically-amplified resist material applicable to immersion exposure that gives a high-resolution image and reduces dependence on mask coverage in photolithography for microfabrication, especially in lithography using as a light source a KrF laser, an ArF laser, an F2 laser, extremely-short ultraviolet rays, an electron beam, X-rays and the like.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、ＡｒＦレーザー、Ｆ2レーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、高解像性を達成すると共に、マスク被覆率依存性を低減し、更には液浸露光にも適用可能な化学増幅型レジスト材料に好適に用いられる新規な含窒素有機化合物の提供。 - 特許庁