「"へきさくろろ"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ヘキサクロロシクロヘキサンの分解方法例文帳に追加

DECOMPOSITION METHOD FOR HEXACHLOROCYCLOHEXANE - 特許庁

前記ヘキサハロエタンとしては、ヘキサクロロエタンが好ましい。例文帳に追加

The hexahaloethane is preferably hexachloroethane. - 特許庁

ヘキサクロロベンゼン含有廃液の処理方法例文帳に追加

METHOD FOR TREATING LIQUID WASTE CONTAINING HEXACHLOROBENZENE - 特許庁

ヘキサクロロルテニウム酸アンモニウム及びルテニウム粉末の製造方法、並びにヘキサクロロルテニウム酸アンモニウム例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING AMMONIUM HEXACHLORORUTHENATE AND RUTHENIUM POWDER, AS WELL AS AMMONIUM HEXACHLORORUTHENATE - 特許庁

一・二・三・四・五・六－ヘキサクロロシクロヘキサン（別名リンデン）例文帳に追加

1,2,3,4,5,6-Hexachlorocyclohexane (alias Lindane)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

鉛を含有するヘキサクロロイリジウム（ＩＶ）酸アンモニウムの精製方法例文帳に追加

METHOD FOR REFINING AMMONIUM HEXACHLOROIRIDATE (IV) CONTAINING LEAD - 特許庁

ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。例文帳に追加

To provide the deposition of a silicon containing film from hexachlorosilane. - 特許庁

ヘキサクロロヘキサヒドロメタノベンゾジオキサチエピンオキサイド（別名ベンゾエピン）例文帳に追加

Hexachlorohexahydromethanobenzodioxathiepinoxide; 6,7,8,9,10,10-Hexachloro-1,5,5a,6,9,9a-hexahydro-6,9-methano-2,4,3-benzodioxathiepine 3-oxide (alias Benzoepin)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ヘキサクロロアセトンを金属化合物触媒存在下フッ化水素により液相フッ素化する。例文帳に追加

Hexachloroacetone is subjected to a liquid phase fluorination with hydrogen fluoride in the presence of a metallic compound catalyst to provide the objective 1,1,3,3-tetrachloro-1,3-difluoroacetone. - 特許庁

ヘキサクロロシクロヘキサン、特にベントナイト等の他の粉体成分と混合したヘキサクロロシクロヘキサン粉剤を、温和な条件で効率よく分解する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for efficiently decomposing hexachlorocyclohexane, particularly its powder mixed with other powder components such as bentonite under a moderate condition. - 特許庁

この焙焼炉を用いて、ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムを６００〜１０５０℃で酸化焙焼することにより品質の安定した酸化イリジウム粉が得られる。例文帳に追加

Ammonium hexachloroiridate (IV) or potassium hexachloroiridate (IV) is subjected to oxidation roasting at 600-1,050°C by using the roasting furnace, thus iridium oxide powder with stable quality can be obtained. - 特許庁

ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムを、酸化雰囲気下において６００〜１０５０℃で焙焼することによって、平均粒径が４０〜１００ｎｍであり、単相からなる酸化イリジウム粉を得る。例文帳に追加

The iridium oxide powder having an average particle diameter of 40-100 nm and comprising a single phase is obtained by roasting ammonium hexachloroiridate (IV) or potassium hexachloroiridate (IV) at 600-1,050°C in an oxidizing atmosphere. - 特許庁

八十四　一・四・五・六・七・七―ヘキサクロロビシクロ［二・二・一］―五―ヘプテン―二・三―ジカルボン酸（別名クロレンド酸）例文帳に追加

(lxxxiv) 1,4,5,6,7,7-hexachlorobicyclo[2.2.1]-5-heptene-2,3-dicarboxylic acid; chlorendic acid  - 日本法令外国語訳データベースシステム

一・四・五・六・七・七－ヘキサクロロビシクロ［二・二・一］－五－ヘプテン－二・三－ジカルボン酸（別名クロレンド酸）例文帳に追加

1,4,5,6,7,7-Hexachlorobicyclo [2.2.1]-5-heptene-2,3-dicarboxylic acid (alias Chlorendic acid)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

一・二・三・四・十・十－ヘキサクロロ－一・四・四ａ・五・八・八ａ－ヘキサヒドロ－エキソ－一・四－エンド－五・八－ジメタノナフタレン（別名アルドリン）例文帳に追加

1,2,3,4,10,10-Hexachloro-1, 4, 4a, 5, 8, 8a-hexahydro-exo-1,4-endo-5,8-dimethanonaphthalene (alias Aldrin)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ヘキサクロロシクロヘキサンを２−プロパノ−ルと、触媒及びアルカリ化合物の存在下に反応させて脱塩素・無害化する。例文帳に追加

This method comprises rendering hexachlorocyclohexane harmless by reacting 2-propanol therewith in the presence of a catalyst and an alkali compound to dechlorinate. - 特許庁

ヘキサクロロジシランおよびアンモニアを用いた原子層蒸着によるシリコン含有固体薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-CONTAINING SOLID THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION BY USING HEXACHLORODISILANE AND AMMONIA - 特許庁

シーメンス法により高純度の多結晶シリコンを製造する際の排ガスから蒸留によりヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 ）を製造する。例文帳に追加

Hexachlorodisilane (Si_2Cl_6) is produced by distillation from a waste gas produced in the manufacture of high purity polycrystalline silicon by a Siemens method. - 特許庁

フッ化珪素（Ｓｉ_2 Ｆ_6 ）を製造する場合の歩留りを高めることが可能なヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 ）を製造する。例文帳に追加

To produce hexachlorodisilane (Si_2Cl_6) with which the yield in the production of silicon fluoride (Si_2F_6) is improved. - 特許庁

この焙焼炉を用いて、昇温時に各加熱領域を別々に温度制御しながら、ヘキサクロロイリジウム（IV）酸アンモニウム又はヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウムを６００〜１０５０℃で酸化焙焼することにより品質の安定した酸化イリジウム粉が得られる。例文帳に追加

Using this roasting furnace, an iridium oxide powder having stable qualities is obtained by oxidatively roasting ammonium hexachloroiridate (IV) or potassium hexachloroiridate (IV) at 600-1,050°C while controlling the temperature of the each heating area separately when raising the temperature. - 特許庁

制御部２１は、排気管１６を１００℃〜２００℃に加熱するとともに、アンモニアの導入量がヘキサクロロジシランの導入量の２０〜５０倍となるように、処理ガス導入管１３からヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給する。例文帳に追加

The control unit 21 heats the exhaust tube 16 up to 100 to 200°C and supplies hexachlorodisilane and ammonia from a treatment gas inlet tube 13 to the reaction tube so as to cause the input amount of the ammonia to be 20 to 50 times the input amount of the hexachlorodisilane. - 特許庁

ヘキサクロロシクロヘキサン（ＢＨＣ）やヘキサクロロベンゼン（ＨＣＢ）等の主として残留性農薬を分解処理するための分解処理方法に関し、アルカリ金属分散体を用いる方法であるにもかかわらず、残留性農薬のような固体状の難分解性有機ハロゲン化合物を好適に分解処理させることを課題とする。例文帳に追加

To provide a method whereby a hardly decomposable solid organic halogen compound such as a persistent agrochemical [e.g. hexachlorocyclohexane (BHC) or hexachlorobenzene (HCB)] is properly decomposed though the method uses an alkali metal dispersion. - 特許庁

ヘキサクロロルテニウム酸アンモニウム（(NH_4)_3RuCl_6）を焼成してルテニウム粉末を製造する工程において、ヘキサクロロルテニウム酸アンモニウムを500〜800℃で焼成して得た粗ルテニウムを粉砕後、800〜1000℃で再焼成することにより、ルテニウム粉末中の塩素含有量が100mass ppm以下であるルテニウム粉末を製造する方法。例文帳に追加

In the method where ammonium hexachlororuthenate ((NH_4)_3RuCl_6) is fired, so as to produce ruthenium powder, ammonium hexachlororuthenate is fired at 500 to 800°C to obtain crude ruthenium, and the crude ruthenium is pulverized and is thereafter refired at 800 to 1,000°C, thus the content of chlorine in the ruthenium powder is controlled to ≤100 mass ppm. - 特許庁

三百八十八　六・七・八・九・一〇・一〇―ヘキサクロロ―一・五・五ａ・六・九・九ａ―ヘキサヒドロ―六・九―メタノ―二・四・三―ベンゾジオキサチエピン＝三―オキシド（別名エンドスルファン又はベンゾエピン）例文帳に追加

(ccclxxxviii) 6,7,8,9,10,10-hexachloro-1,5,5a,6,9,9a-hexahydro-6,9-methano-2,4,3-benzodioxathiepine 3-oxide; endosulfan  - 日本法令外国語訳データベースシステム

一・二・三・四・十・十－ヘキサクロロ－六・七－エポキシ－一・四・四ａ・五・六・七・八・八ａ－オクタヒドロ－エキソ－一・四－エンド－五・八－ジメタノナフタレン（別名ディルドリン）例文帳に追加

1,2,3,4,10,10-Hexachloro-6,7-epoxy-1,4, 4a, 5, 6, 7, 8, 8a-octahydro-exo-1,4-endo-5,8-dimethanonaphthalene; 1,2,3,4,10,10-Hexachloro-6,7-epoxy-1,4, 4a, 5, 6, 7, 8, 8a-octahydro-endo-1,4-exo-5,8-dimethanonaphthalene (alias Dieldrin)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

一・二・三・四・十・十－ヘキサクロロ－六・七－エポキシ－一・四・四ａ・五・六・七・八・八ａ－オクタヒドロ－エンド－一・四－エンド－五・八－ジメタノナフタレン（別名エンドリン）例文帳に追加

1,2,3,4,10,10-Hexachloro-6,7-epoxy-1,4, 4a, 5, 6,7,8, 8a-octahydro-endo-1,4-endo-5,8-dimethanonaphthalene; 1,2,3,4,10,10-Hexachloro-6,7- epoxy-1,4, 4a, 5, 6,7,8, 8a-octahydro-exo-1,4-exo-5,8-dimethanonaphthalene (alias Endrin)  - 日本法令外国語訳データベースシステム

四　一・二・三・四・十・十—ヘキサクロロ—一・四・四ａ・五・八・八ａ—ヘキサヒドロ—エキソ—一・四—エンド—五・八—ジメタノナフタレン（別名アルドリン。第三条の表第三号において「アルドリン」という。）例文帳に追加

iv) 1,2,3,4,10,10-Hexachloro-1,4,4a,5,8,8a-hexahydro-exo-1,4-endo-5,8-dimethano-naphthalene (also known as Aldrin; referred to as "Aldrin" in item (iii) of the table in Article 3  - 日本法令外国語訳データベースシステム

五　一・二・三・四・十・十—ヘキサクロロ—六・七—エポキシ—一・四・四ａ・五・六・七・八・八ａ—オクタヒドロ—エキソ—一・四—エンド—五・八—ジメタノナフタレン（別名ディルドリン。第三条の表第四号において「ディルドリン」という。）例文帳に追加

v) 1,2,3,4,10,10-Hexachloro-6,7-epoxy-1,4,4a,5,6,7,8,8a-octahydro-exo-1,4-endo-5,8-dimethano naphthalene (also known as Dieldrin; referred to as "Dieldrin" in item (iv) of the table in Article 3  - 日本法令外国語訳データベースシステム

六　一・二・三・四・十・十—ヘキサクロロ—六・七—エポキシ—一・四・四ａ・五・六・七・八・八ａ—オクタヒドロ—エンド—一・四—エンド—五・八—ジメタノナフタレン（別名エンドリン）例文帳に追加

vi) 1,2,3,4,10,10-Hexachloro-6,7-epoxy-1,4,4a,5,6,7,8,8a-octahydro-endo-1,4-endo-5,8-dimethano naphthalene (also known as Endrin  - 日本法令外国語訳データベースシステム

ルテニウムの塩酸溶液に塩化アンモニウムを加えて製造されたヘキサクロロルテニウム酸アンモニウムを焼成して、ルテニウム粉末を製造する際に、粉砕性に問題がない程度に、含水率を下げる。例文帳に追加

To reduce the moisture content to a degree having no problem for pulverizing property when a ruthenium powder is manufactured by baking an ammonium hexachlororuthenate manufactured by adding ammonium chloride to a hydrochloric acid solution of ruthenium. - 特許庁

その後、ヘキサクロロジシロキサンのような架橋分子材料の蒸気に曝露して、ダイヤモンド微粒子間を化学的に結合し、膜の強度を高めるようにした。例文帳に追加

Then the substrate is exposed to a vapor of a crosslinking molecule material such as hexachloro-di-siloxane to enhance the strength of the film by chemically bonding the fine diamond particles. - 特許庁

ヘキサクロロベンゼンの含有量が少ない塩素化金属フタロシアニン顔料を、より少ない芳香族炭化水素の使用量で製造するための、環境に優しい方法を提供する。例文帳に追加

To provide an eco-friendly method for producing a chlorinated metal phthalocyanine pigment having low hexachlorobenzene content by using reduced amount of aromatic hydrocarbons. - 特許庁

農園芸用殺菌剤として有用な2,4,5,6-テトラクロロ-1,3-ベンゼンジカルボニトリルに含有される、有害な不純物であるヘキサクロロベンゼンの含有量を低減する精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of purification for 2,4,5,6-tetra-chloro-1,3- benzenedicarbonitrile useful as fungicide for agriculture and horticulture by reducing hexachlorobenzene which is a harmful impurity included in the compound. - 特許庁

好ましくは、他の粉体成分を含むヘキサクロロシクロヘキサン粉剤をアルカリと反応させた後に、他の粉体成分を除去し、触媒を添加して脱塩素・無害化する。例文帳に追加

The preferable method comprises reacting the hexachlorocyclohexane powders containing other powder components with alkalis, removing the other powder components, and finally adding the catalyst for dechlorination to make harmless. - 特許庁

１，１，１，２，２，３，３−ヘプタクロロプロパンを相間移動触媒の存在下にアルカリ金属水酸化物の水溶液と反応させることを特徴とする、１，１，１，２，３，３−ヘキサクロロプロペンの製造方法。例文帳に追加

This method for producing the 1,1,1,2,3,3-hexachloropropene, characterized by reacting 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoropropane with the aqueous solution of an alkali metal hydroxide in the presence of a phase transfer catalyst. - 特許庁

熱処理装置１の制御部１００は、半導体ウエハＷにヘキサクロロジシランとアンモニアとを含む成膜用ガスを供給して薄膜を形成する成膜処理を複数回実行する。例文帳に追加

A control part 100 of a heat treatment apparatus 1 executes more than once a film forming process of forming a thin film by supplying a film forming gas containing hexachlorodisilane and ammonia to semiconductor wafers W. - 特許庁

このジシランは、有機溶媒中でヘキサクロロジシランをその６倍モル以上の量の式：ＲＮＨ_2 （ここで、Ｒは、Ｃ__1 〜Ｃ_4 炭化水素基）で示されるモノヒドロカルビルアミンと反応させることにより製造することができる。例文帳に追加

The disilane can be produced by performing a reaction of hexachlorodisilane with ≥6 fold moles of a monohydrocarbylamine expressed by the formula: RNH_2 (wherein R is a 1-4C hydrocarbon group) in an organic solvent. - 特許庁

熱処理装置１はヘキサクロロジシラン及びアンモニアを供給して半導体ウエハ１０にシリコン窒化膜を形成する反応管２と、反応管２に接続された排気管１６とを備えている。例文帳に追加

A heat treatment device 1 comprises a reaction pipe 2 for forming a silicon nitride film on a semiconductor wafer 10, by supplying hexachlorodisilane and ammonia; and an exhaust pipe 16 connected to the reactive pipe 2. - 特許庁

基板１に形成されたトレンチ５の内壁に下地絶縁膜として、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤ）Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 を含む原料ガスを用いた化学気相堆積法によりシリコン窒化膜（ＨＣＤ−シリコン窒化膜）７を形成する。例文帳に追加

A silicon nitride film (HCD-silicon nitride film) 7 is formed on the inwall of a trench 5 formed on a substrate 1 as a ground insulating film by chemical vapor deposition, using a material gas containing hexachloro-disilane (HCD) Si_2Cl_6. - 特許庁

セメント製造工程において、ダイオキシン、ジベンゾフラン、ＰＣＢ、ヘキサクロロベンゼン等の有機塩素化合物の生成を十分に抑制することが可能な、有機塩素化合物生成の抑制方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for suppressing the generation of organic chlorine compounds capable of sufficiently suppressing the generation of the organic chlorine compound, such as dioxins, dibenzofurane, PCB, and hexachlorobenzene, in a cement manufacturing process. - 特許庁

シーメンス法による多結晶シリコンの製造工程で生じる排ガスを原料とし、蒸留操作の繰り返しプロセスによりヘキサクロロジシラン（Ｓｉ_2 Ｃｌ_6 ）を分離抽出する。例文帳に追加

The method uses an exhaust gas generated in a production process of polycrystalline silicon by Siemens method as the raw material and separates and extracts hexachlorodisilane (Si_2Cl_6) by a process for repeating distillation operations. - 特許庁

ジナフトチエノチオフェン等の化合物に、ヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する新規なα−ジケトン化合物を提供する。例文帳に追加

The new α-diketone compound having such a structure that a double-bond-bearing compound such as hexachlorocyclopentadiene is eliminably bound to a compound such as dinaphthothienothiophene is provided. - 特許庁

シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。例文帳に追加

The silicon containing film is formed on a substrate by supplying the substrate into a treatment chamber of the treatment system, heating the substrate, and exposing the substrate with a hexa chlorosilane (HCD) process gas. - 特許庁

ジナフトチエノチオフェン等の化合物に、ヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する新規な付加化合物を提供する。例文帳に追加

The new adduct compound having such a structure that a double-bond-bearing compound such as hexachlorocyclopentadiene is eliminably added to a compound such as dinaphthothienothiophene, is provided. - 特許庁

ここで、第１の付加化合物は、ジナフトチエノチオフェン等の化合物にヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する。例文帳に追加

Here, the first adduct compound has a structure wherein a compound, such as hexachlorocyclopentadiene, having a double bond is added in an eliminable state to a compound such as dinaphthothienothiophene. - 特許庁