「"ショットキー接合"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ショットキー接合型不揮発性メモリ例文帳に追加

SCHOTTKY JUNCTION TYPE NONVOLATILE MEMORY - 特許庁

ショットキー接合型半導体光検出素子例文帳に追加

SCHOTTKY JUNCTION SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR - 特許庁

ショットキー接合接点を備えたユニポールフォトダイオード例文帳に追加

UNIPOLAR PHOTODIODE HAVING SCHOTTKY JUNCTION CONTACT - 特許庁

アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。例文帳に追加

The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer. - 特許庁

第２半導体層は、金属部とショットキー接合している。例文帳に追加

The second semiconductor layer is Schottky coupled to the metal portion. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６とゲート電極１０と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をｐ型の浅い接合によって囲まれるようにする。例文帳に追加

When incorporating a Schottky junction into a MOSFET, the Schottky junction is positioned at a place distant from a p-body region 6 and a gate electrode 10 of the MOSFET so that the ends of the Schottky junction are surrounded by p-type shallow junctions. - 特許庁

ショットキーソース・ドレイン１２は、半導体基板１とショットキー接合を形成する。例文帳に追加

The Schottky source/drain 12 forms Schottky junction with a semiconductor substrate 1. - 特許庁

ｎ- 層31とショットキー接合を形成するアノード電極36が形成されている。例文帳に追加

An anode electrode 36 is formed, to compose a schottky junction with the n-layer 31. - 特許庁

アノード電極４は、チャネル層３とショットキー接合を有するように形成されている。例文帳に追加

The anode electrode 4 is formed so as to have the channel layer 3 and a Schottky junction. - 特許庁

ｎオフセット領域６にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。例文帳に追加

A Schottky junction 16 is formed by providing an anode electrode 15 in an n-offset region 6. - 特許庁

ショットキー接合ダイオード等に比べて高いアバランシェ耐量を実現することを課題とする。例文帳に追加

To actualize a high avalanche resistance compared with that of a Schottky junction diode or the like. - 特許庁

ショットキー接合・ソース／ドレイン１１５上にソース／ドレイン電極１１４が形成されている。例文帳に追加

A source/drain electrode 114 is formed on the Schottky junction source/drain 115. - 特許庁

これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。例文帳に追加

Thus, the formation of a gate electrode having a good Schottky junction is obtained. - 特許庁

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。例文帳に追加

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni. - 特許庁

さらに、ショットキー接合後に窒素ガス雰囲気下で６００℃、３０秒の熱処理を行う。例文帳に追加

Further, after the Schottky junction, heat treatment is performed under a nitrogen gas atmosphere at 600°C, for 30 seconds. - 特許庁

ｎ-半導体領域５とソース金属層４とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The n^- semiconductor area 5 and the source metallic layer 4 are Schottky-joined with each other. - 特許庁

ゲート電極２０３は、ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４とショットキー接合を形成している。例文帳に追加

The gate electrode 203 is formed in a Schottky junction with the n-AlGaN layer 104. - 特許庁

ショットキー接合を形成する金属層を異なるφＢｎを有する２種類の金属層とする。例文帳に追加

Metal layers forming a Schottky junction are two kinds of metal layers having different ϕBn. - 特許庁

ショットキー接合領域に、正六角形状のＰ＋型半導体領域を複数設ける。例文帳に追加

A plurality of right hexagonal P+ type semiconductor regions are provided in a Schottky junction region. - 特許庁

シリサイド層７と低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２はショットキー接合を形成する。例文帳に追加

The silicide layer 7 and the low-concentration n-type SOI layer 12 form a Schottky junction. - 特許庁

つまり、ショットキー接合界面で発生したリーク電流がカソード側に漏れるのを遮断できる。例文帳に追加

In other words, a leak current generated on the Schottky junction interface and flowing to the cathode side can be interrupted. - 特許庁

層端部１４ａの表面でのショットキー接合が消滅し、電界集中を無くすことができる。例文帳に追加

On the top surface of the layer end part 14a, the Schottky junction disappears to eliminate electric field concentration. - 特許庁

また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The surface negative electrode 7 and the barrier layer 6 are subjected to Schottky junction. - 特許庁

金属酸化物膜と導電性高分子膜を積層してショットキー接合素子を形成する際に、従来よりもコストを抑え、且つ、所望の特性を有するショットキー接合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky junction element having desired characteristics while reducing the cost when the Schottky junction element is formed by laminating a metal oxide film and a conductive polymer film. - 特許庁

ショットキー接合形成用半導体基板、それを使用した半導体素子、およびショットキーバリアダイオード例文帳に追加

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR FORMING SCHOTTKY JUNCTION, SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND SCHOTTKY BATTIER DIODE - 特許庁

保護リングは、ショットキー接合又はショットキーダイオードの一部である半導体領域に形成される。例文帳に追加

A guard ring is formed in a semiconductor region that is part of a Schottky junction or Schottky diode. - 特許庁

このゲート電極７は、前述の半導体層３と反応すると共に、導電性半導体層３とショットキー接合をする金属が用いられる。例文帳に追加

For this gate electrodes 7, metal is used which reacts on the semiconductor layer 3 and has Schottky junction with the conductive semiconductor layer 3. - 特許庁

第２のトレンチの側壁において、第２の主電極と、第１の半導体層と、によるショットキー接合が形成されている。例文帳に追加

Schottky junctions are formed between the second main electrode and the first semiconductor layer on the side surfaces of the second trench. - 特許庁

ショットキー電極３０は、ＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されており、ソース電極２４に電気的に接続されている。例文帳に追加

The Schottky electrodes 30 are Schottky-connected to an AlGaN layer 20 and are electrically connected to the source electrode 24. - 特許庁

下部電極６は、シリコン系基板２とショットキー接合を有し、仕事関数の大きい金属または合金から構成されている。例文帳に追加

The lower electrode 6 has the silicon system substrate 2 and the Schottky junction, and is composed of metal or metal alloy having the large work function. - 特許庁

ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance. - 特許庁

前記第二トレンチ６b内にソース電極９を形成して第二トレンチ６b底部にショットキー接合を形成する。例文帳に追加

A source electrode 9 is formed in the second trench 6b to form a Schottky junction at a bottom part of the second trench 6b. - 特許庁

このフィールド絶縁膜５を貫通して、ＳｉＣエピタキシャル層４の表面に、アノード電極７をショットキー接合させる。例文帳に追加

An anode electrode 7 is Schottky-joined onto a first surface of the SiC epitaxial layer 4 so as to penetrate the field insulating film 5. - 特許庁

２つの金属層のショットキー接合面積比により、ＶＦ、ＩＲ特性が詳細なレンジで制御できる。例文帳に追加

The VF, IR characteristics can be controlled in the detailed ranges by a Schottky junction area ratio of the two metal layers. - 特許庁

ＡｌＧａＮ層１４に、高窒化率のＴａＮ層２２を積層し、良好な特性のショットキー接合を得る。例文帳に追加

A TaN layer 22 having a high nitriding rate is stacked on an AlGaN layer 14 to obtain a Schottky junction having good characteristics. - 特許庁

このショットキー接合部分が、半導体基板１７におけるダイヤフラム領域１８に含まれており、圧力を感知する領域となる。例文帳に追加

This Schottky junction part is included in the diaphragm region 18 of the semiconductor substrate 17 and becomes the region for sensing pressure. - 特許庁

このショットキー接合部分が、ｎ型半導体基板３におけるダイヤフラム部５に含まれており、圧力を感知する領域となる。例文帳に追加

This Schottky junction part is included in the diaphragm part 5 in the n-type semiconductor substrate 3 to form a region for sensing pressure. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴのソース領域の濃度を低減し、ソース領域と電極層（ソース電極層）間にショットキー接合を形成する。例文帳に追加

The density of the source region of the MOSFET is reduced, and a Schottky junction is formed between the source region and an electrode layer (source electrode layer). - 特許庁

ＳＢＤ２０のショットキー接合は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ１７の複数のベース領域４の間に形成されている。例文帳に追加

The Schottky junction of the SBD 20 is formed between the plurality of base regions 4 of the SJMOSFET 17. - 特許庁

ショットキー接合ゲート型の電界効果トランジスタの製造工程でゲート電極の剥がれや折れを完全に防止する。例文帳に追加

To prevent peeling and breakage of a gate electrode in a manufacturing process of a Schottky junction gate type field-effect transistor. - 特許庁

ソース７ａまたはドレイン７ｂ又はソース７ａ／ドレイン７ｂの両方に、強磁性体と強磁性半導体とのショットキー接合を用いる。例文帳に追加

A Shottky junction of a ferromagnetic body and a ferromagnetic semiconductor is employed in the source 7a and/or the drain 7b. - 特許庁

横型の素子のためショットキー接合の面積を十分大きく取ることができず、順方向電圧降下が十分低減できない。例文帳に追加

To reduce a forward voltage drop by increasing the area of a Schottky junction for a horizontal element. - 特許庁

ｎ電極１の直下に相当する部分のＺｎＯ層がショットキー接合となるように構成する。例文帳に追加

Further, the portion of the ZnO layer which is present correspondingly just under the n-electrode 1 is constituted to become a Schottky junction. - 特許庁

ショットキー接合電極の耐熱性を改善し、パワー性能、信頼性に優れたＧａＮ系半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a GaN-based semiconductor device that is excellent in power performance and reliability by improving the heat resistance of a Schottky junction electrode. - 特許庁

ソース電極７０とＮ型ＳｉＣエピタキシャル領域２０の表面とは、ショットキー接合を形成する。例文帳に追加

The surface of the source electrode 70 and the surface of the N-type SiC epitaxial area 20 form shot key junction. - 特許庁