「"半導体量子ドット"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体量子ドット素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

半導体量子ドット構造及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

半導体量子ドット素子とその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

化合物半導体量子ドットの製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT - 特許庁

半導体量子ドット素子の作製方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT DEVICE - 特許庁

半導体量子ドット構造の製造方法例文帳に追加

PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT STRUCTURE - 特許庁

半導体量子ドット及び同形成方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT AND METHOD OF FORMING THE SAME - 特許庁

半導体積層構造の製造方法及び半導体量子ドット構造の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT STRUCTURE - 特許庁

半導体量子ドット素子、その製造方法、光スイッチ、半導体レーザ、および光検出器例文帳に追加

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL SWITCH, SEMICONDUCTOR LASER, AND PHOTODETECTOR - 特許庁

特性の優れた半導体量子ドット装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot device having improved characteristics, and to provide a manufacturing method of the semiconductor quantum dot device. - 特許庁

半導体量子ドットのバンドギャップを広範囲に制御するため、化合物半導体基板上に、互いの高さが均一である複数の半導体量子ドットを形成すること。例文帳に追加

To form a plurality of semiconductor quantum dots having heights equivalent to one another on a compound semiconductor substrate in order to control a band gap of the semiconductor quantum dots in a wide range. - 特許庁

化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor quantum dot which has a dot-like favorable shape characteristic capable of achieving a three-dimensional electron trapping on a Si substrate and has a favorable crystallinity. - 特許庁

半導体量子ドット素子１において、化合物半導体基板２と、化合物半導体基板２上に形成された複数の半導体量子ドット３と、を備え、複数の半導体量子ドット３は、直径が化合物半導体基板２の中心から周縁側に向かうに従って徐々に小さく高さがほぼ一定に形成されていること、を特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor quantum dot element 1 includes the compound semiconductor substrate 2, the plurality of semiconductor quantum dots 3 formed on the compound semiconductor substrate 2, and is characterized in that the plurality of semiconductor quantum dots 3 are formed to gradually reduce the diameters thereof toward a peripheral side from the center of the compound semiconductor substrate 2 and to set the heights thereof nearly constant. - 特許庁

合金化された半導体量子ドットおよび合金化された濃度勾配量子ドット、これらの量子ドットを含むシリーズ、ならびにこれらに関する方法例文帳に追加

ALLOYED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT AND CONCENTRATION-GRADIENT ALLOYED QUANTUM DOT, SERIES INCLUDING THE SAME, AND METHODS RELATED THERETO - 特許庁

半導体量子ドットを有する半導体部材の製造方法、半導体レーザ及びそれを用いた光モジュール例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMBER HAVING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT, SEMICONDUCTOR LASER, AND OPTICAL MODULE - 特許庁

多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot element having quantum dots whose diameters are uniform, even if they are made multilayered, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

半導体量子ドット及び微細配線形成方法、及びこれらを用いた半導体デバイスとその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT, MICROWIRING FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE DOT AND THE METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE - 特許庁

耐光性に優れ、著しく高い電流変換効率を有する半導体量子ドット増感太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot sensitized solar cell having high light resistance and substantially high current conversion efficiency. - 特許庁

量子ドットの作製方法並びに該方法により作製された量子ドット構造及び半導体量子ドットレーザ例文帳に追加

FORMATION OF QUANTUM DOTS, QUANTUM DOT STRUCTURE FORMED THEREBY AND SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT LASER - 特許庁

プリント制御システムにより、半導体量子ドットを含んだナノ蛍光体溶液が樹脂層１５０に噴射される。例文帳に追加

A nano fluorescence material solution containing semiconductor quantum dots is injected to the resin layer 150 by a print control system. - 特許庁

半導体量子ドットに代表されるナノ微粒子のサイズをナノオーダで制御して基板上に堆積してナノデバイスを作製する。例文帳に追加

To manufacture a nano device by controlling the size of nano particles represented by semiconductor quantum dots, in nano order to deposit them on a substrate. - 特許庁

高密度を有し、且つ高品質性を有する半導体量子ドット素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot element which is high in density and excellent in quality, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

従来のＭＯＶＰＥ成長を用いた半導体量子ドットの製造方法における限界あるいは欠点を解決するためになされたもので、良好な光学特性、高い面密度、高い均一性を兼ね備えた半導体量子ドットをＭＯＶＰＥ成長により実現することを目的とする。例文帳に追加

To solve the limits or defects in a process for fabricating semiconductor quantum dots employing conventional MOVPE growth, and to attain semiconductor quantum dots having good optical characteristics, high surface density and high uniformity by MOVPE growth. - 特許庁

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4. - 特許庁

並びに、蛍光性半導体量子ドットと２以上のＣＯＯＨ基及びチオール基を有するポリカルボン酸化合物を混合し、硫黄原子を介して該化合物を蛍光性半導体量子ドットに結合し、次いで、該ＣＯＯＨ基を介して標的細胞に選択的に結合可能な物質を結合することを特徴とする、光感受性薬剤の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the photosensitive medicine is characterized by mixing the fluorescent semiconductor quantum dot with the polycarboxylic acid compound having two or more COOH groups and a thiol group to bind the compound to the fluorescent semiconductor quantum dot through the sulfur atom, and then binding the substance capable of selectively binding to the target cell through the COOH group. - 特許庁

可視の情報パターン１２を有する情報記録媒体１１が所定位置に載置され又は送り込まれると、発光ダイオード１３から発行する半導体量子ドットのバンドギャップよりもエネルギーが高い励起光Ｈ１を情報パターン１２に照射し半導体量子ドットを熱膨張させる。例文帳に追加

When the information recording medium 11, having the visible information patterns 12, is loaded on or transmitted to a predetermined position, the information patterns 12 is irradiated with excited light H1, with energy higher than that of the band gap of a semiconductor quantum dot to be issued from a light-emitting diode 13 to thermally expand the semiconductor quantum dot. - 特許庁

半導体量子ドットは、ＬＥＤチップ１２０から放射され、ナノ蛍光体層１６０に入射した光子の少なくとも一部を吸収し、その入射した光子とは波長が異なる光子を放出する。例文帳に追加

The semiconductor quantum dots absorb a part of photons radiated from the LED chip 120 and incident upon the nano fluorescence material layer 160, and emit photons having different wavelengths from the incident photons. - 特許庁

半導体量子ドットによって構成された量子デバイスにおいて、１量子ビットの個別制御手段及び複数量子ビット同時制御手段を提供すること。例文帳に追加

To provide an individual control means for one quantum bit and a simultaneous control means for a plurality of quantum bits in a quantum device composed of semiconductor quantum dots. - 特許庁

第１電極１５のうち半導体量子ドット領域１３の上方部分に貫通孔１８が設けられ、第１電極１５と第２電極１６との間に間隙１９が設けられている。例文帳に追加

A through-hole 18 is provided at a portion of the first electrodes 15 above the semiconductor quantum dot region 13, and a space 19 is provided between the first electrode 15 and the second electrode 16. - 特許庁

高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。例文帳に追加

To realize a highly efficient quantum dot device which reflects narrow state density of quantum dot by forming a semiconductor quantum dot structure with highly uniform size distribution. - 特許庁

量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor quantum dot element provided with high density quantum dots having a peak-like state density of steep energy width by arranging the thickness of quantum dot structure arbitrarily. - 特許庁

ポリカルボン酸化合物で表面処理された蛍光性半導体量子ドットが、標的細胞に選択的に結合可能な物質に結合されてなる光感受性薬剤。例文帳に追加

The photosensitive medicine is characterized in that a fluorescent semiconductor quantum dot subjected to a surface treatment using a polycarboxylic acid compound is bound to a substance capable of selectively binding to a target cell. - 特許庁

均一性の高い量子ドットの作製条件を見つけることにより、フォトルミネッセンス半値幅を極限まで狭めることができる半導体量子ドット素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot element and its manufacturing method, wherein the condition that quantum dots of high uniformity are formed, the half-width of photoluminescence can be narrowed down to an irreducible minimum. - 特許庁

巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor quantum dot for maintaining the quality and shape of a nanostructure with high quality without causing a problem of a decrease in crystal quality resulting from the shape of a huge island, and a method of forming the same. - 特許庁

高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。例文帳に追加

To obtain a high-performance quantum-dot device, which reflects the narrow-state density of the quantum dots by forming the structure of the semiconductor-quantum dots having the highly uniform size distribution. - 特許庁

近赤外領域に発光帯を有する半導体量子ドット、および、この半導体量子ドットの表面を被覆する被覆層、を有する、水溶性近赤外蛍光材料であって、この被覆層は、システイン、および２〜８のアミノ酸残基から構成されおよびアミノ酸残基中に１またはそれ以上のシステイン残基が含まれるペプチドからなる群から選択される被覆ペプチド類から構成される層である、水溶性近赤外蛍光材料。例文帳に追加

The aqueous near-infrared fluorescent material has a semiconductor quantum dot having an emission band in the near-infrared region and a coating layer coating the surface of the semiconductor quantum dot, wherein the coating layer is a layer composed of coated peptides selected from the group consisting of cysteine and consisting of peptides which are composed of 2-8 amino acid residues and contain one or more cysteine residues in amino acid residues. - 特許庁

透明電極側に形成された酸化チタンなどの金属酸化物ｎ型半導体膜と、このｎ型半導体膜に担持されたＣｄＳ、ＰｂＳなどの直径６ｎｍ以下の半導体量子ドットと、多硫化物水溶液などの無機系液体電解質と、対極とを備えていることを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor quantum dot sensitized solar cell is equipped with a metal oxide n-type semiconductor film such as titanium oxide formed on the transparent electrode side; semiconductor quantum dots having a diameter of 6 nm or less such as Cds or Pbs carried on the n-type semiconductor; an inorganic liquid electrolyte such as a polysulfide aqueous solution; and a counter electrode. - 特許庁

格子点上に、周囲にエネルギーポテンシャルの高い領域が形成され電子が閉じ込められた半導体量子ドットを配置することにより、隣接した量子ドット間を電子が移動可能であり、電子のエネルギー分散が波数依存性をほとんど持たないフラットバンド構造が電子エネルギーバンドに含まれるようにすることにより磁性体が形成される。例文帳に追加

This magnetic substance is formed by making electrons movable between adjacent quantum dots and including the flat-band structure, in which energy diffusion of electrons hardly depends on wave number, in an electron energy band by locating the semiconductor quantum dots, with which the area of high energy potential is formed around the periphery and the electrons are contained, on grid points. - 特許庁

本発明の半導体量子ドット素子は、第１の半導体層３と、前記第１の半導体層３の上に設けられた活性層１３と、前記活性層１３の上に設けられた第２の半導体層６とから成り、前記活性層１３が、複数の単位量子ドットから成る量子ドット層４と、前記複数の単位量子ドット間を満たすように設けられた膜厚調整層５とから成る事を特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor quantum dot element comprises a first semiconductor layer 3, an active layer 13 provided on the first semiconductor layer 3, and a second semiconductor layer 6 provided on the active layer 13 wherein the active layer 13 comprises a quantum dot layer 4 having a plurality of unit quantum dots and a film thickness adjusting layer 5 provided to fill the gap between the plurality of unit quantum dots. - 特許庁

半導体発光素子１は、超伝導の第１電極１３と絶縁層１４とに跨って埋め込まれた第１半導体層１７と、第１半導体層１７と接するとともに、絶縁層１４と超伝導の第２電極１５とに跨って埋め込まれた第２半導体層１８と、第１半導体層１７と第２半導体層１８との接合面に設けられた半導体量子ドット領域１９とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element 1 includes: a first semiconductor layer 17 buried spreading over a superconducting first electrode 13 and an insulating layer 14; a second semiconductor layer 18 brought into contact with the first semiconductor layer 17 and buried spreading over the insulating layer 14 and a superconducting second electrode 15; and a semiconductor quantum dot region 19 provided in a junction surface between the first semiconductor layer 17 and the second semiconductor layer 18. - 特許庁