「"BARRIER DIODE"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the protection element (13), a Schottky barrier diode is formed as the protection element.例文帳に追加

保護素子部分（１３）に保護素子としてのショットキーバリアダイオードが形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which materializes a miniaturization and a low cost, and can decrease noises.例文帳に追加

小型化・低コスト化を実現しつつ雑音を低減できるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SCHOTTKY JUNCTION例文帳に追加

ショットキバリアダイオードおよびショットキ接合を有する半導体デバイスを作製する方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is improved in surge resistance without changing rectifying characteristics.例文帳に追加

整流特性を変えることなくサージ耐性を向上させたショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING BURIED LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置の埋込み層形成方法、ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has high ESD resistance and a small backward leakage current.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has a low ON resistance and a small chip size.例文帳に追加

オン抵抗が低くチップサイズが小さいショットキーバリアダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which well operates in response to a high-frequency signal.例文帳に追加

高周波の信号に応じて精度よく動作するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An output signal of the shot key barrier diode 23 is inputted to the decoding part 31.例文帳に追加

そして、ショットキーバリアダイオード２３の出力信号が解読部３１に入力される。 - 特許庁

To make a nitride-based Schottky barrier diode high in breakdown voltage and to reduce a leakage current.例文帳に追加

窒化物系ショットキーバリアダイオードを高耐圧化し、且つリーク電流が低減する。 - 特許庁

To improve the adhesiveness of the Schottky junction of a Schottky barrier diode by a simple manufacturing method.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのショットキ接合部の密着性を簡略な製造方法で向上する。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the conductive plate 17 via an anisotropic conductive film 22.例文帳に追加

導電プレート１７上に異方性導電膜２２を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is formed of superior crystals and equipped with a substrate having no dry spot.例文帳に追加

基板の荒れがなく、良質な結晶のショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode having comprehensively superior leakage characteristics and withstanding voltage characteristics.例文帳に追加

リーク特性および耐圧特性が総合的に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the die pad 17 via an anisotropic conductive film 21.例文帳に追加

ダイパッド１７上に異方性導電膜２１を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

Each Schottky barrier diode is formed in mesa, and a high resistance polysilicon, an oxide film 10 Å or less, and an intermediate transient level are formed at the Schottky junction of each Schottky barrier diode.例文帳に追加

各ショットキーバリアダイオードをメサ状に形成し、各ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部に高抵抗ポリシリコンや１０Å以下の酸化膜や複数の中間遷移準位を形成する。 - 特許庁

In the pulse modulator for a nonradiative dielectric line, a metallic member 8 having a face opposed to a Schottky barrier diode 7 is arranged closely on the side opposite to a mode suppressor 1b of the Schottky barrier diode 7.例文帳に追加

非放射性誘電体線路用のパルス変調器において、ショットキーバリアダイオード７のモードサプレッサ１ｂと反対側に、ショットキーバリアダイオード７に対向する面を有する金属部材８が近接配置されている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a Schottky barrier diode, with which a leakage current when applying a reverse voltage can be reduced, and a Schottky barrier diode.例文帳に追加

逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することができるショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a Schottky barrier diode deteriorates in diode characteristics and so on owing to mechanical damage due to a load and ultrasonic vibration when wire bonding to an anode electrode of the Schottky barrier diode is carried out.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードのアノード電極にワイヤボンディングする時の荷重と超音波振動による機械的ダメージにより、ダイオード特性が劣化するなどの問題が発生していた - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 - 特許庁

A Schottky barrier diode 100 includes a semiconductor layer 1 containing GaN, and a Schottky electrode 2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１００は、ＧａＮを含む半導体層１と、ショットキー電極２とを備えている。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 41, a gallium nitride epitaxial layer 45 is formed on a group III nitride substrate 45 having a conductivity.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード４１では、窒化ガリウム系エピタキシャル層４５は、導電性を有するIII族窒化物基板４５上に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus including a Schottky barrier diode obtaining high voltage resistance and using a nitride semiconductor.例文帳に追加

高耐圧を得ることのできる窒化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

The switching element can be various elements including a Zener diode, a Schottky barrier diode, or an MIM.例文帳に追加

スイッチング素子は、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオード、または、ＭＩＭを含む様々な素子であることが可能である。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a of a GaN self-supporting substrate 2.例文帳に追加

このショットキーバリアダイオード１は、ＧａＮ自立基板２の表面２ａ上に形成された、ＧａＮエピタキシャル層３を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a Schottky barrier diode, capable of obtaining full margin with respect to current surge endurance.例文帳に追加

電流サージ耐量に対して充分なマージンを得ることが可能なショットキーバリアダイオードを有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The rectification circuit includes a DC cut capacitor, a Schottky barrier diode, and a smoothing capacitor.例文帳に追加

整流回路は、直流遮断用キャパシタと、ショットキーバリアダイオードと、平滑用キャパシタを含んでいる。 - 特許庁

A metal thin film 2 and an SOI layer 3 form a Schottky barrier diode (hereinafter, a diode) 1.例文帳に追加

金属薄膜２とＳＯＩ層３とは、ショットキー・バリア・ダイオード（以下、ダイオード）１を形成している。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 - 特許庁

To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance.例文帳に追加

ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky barrier diode which displays VF and IR characteristics surely as desired with high reproducibility.例文帳に追加

所望するＶＦ特性およびＩＲ特性を再現性よく、確実に得ることができるショットキーバリアダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve reliability in a semiconductor device having a Schottky barrier diode in the same chip and manufacturing techniques therefor.例文帳に追加

同一チップ内にショットキーバリアダイオードを備える半導体装置およびその製造技術において、信頼性を向上させる。 - 特許庁

To easily obtain an SiC Schottky barrier diode, small in the leakage current of a Schottky electrode and excellent in element characteristics.例文帳に追加

ショットキー電極のリーク電流が小さい良好な素子特性のＳｉＣショットキーバリアダイオードを容易に得る。 - 特許庁

By this constitution, it is possible to realize a state that a Schottky barrier diode is formed across both electrodes 102, 103.例文帳に追加

この構成により、両電極１０２、１０３間には、ショットキーバリアダイオードが形成されている状態が実現される。 - 特許庁

With this configuration, the sheet resistance value in the cathode region in the Schottky barrier diode 1 is reduced.例文帳に追加

この構造により、ショットキーバリアダイオード１のカソード領域でのシート抵抗値が低減される。 - 特許庁

To provide a Schottky-barrier diode having a field plate structure capable of stably providing an electric field concentration mitigating effect.例文帳に追加

安定して電界集中緩和効果を得ることが可能なフィールドプレート構造を有するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which forward voltage drop can be lowered while ensuring breakdown voltage surely.例文帳に追加

耐圧を確実に確保しながら、順方向降下電圧が低くすることが出来るショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An interval between the Schottky barrier diode and the smoothing capacitor is set to λg/22.5 to λg/14 wherein λg is a wavelength of a microwave to be received.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードと平滑用キャパシタとの間隔を、受信するマイクロ波の波長をλｇとして、λｇ／２２．５〜λｇ／１４とする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode improved in reverse breakdown voltage through a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

Thus, in the temperature compensating circuit 20, the second MESFET 21 functions as a Schottky barrier diode (SBD) in the manner of an equivalent circuit.例文帳に追加

したがって、この温度補償回路２０内では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device in which a P-channel power MOSFET and a Schottky barrier diode are formed on an identical substrate.例文帳に追加

ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとが同一半導体基板に形成された半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode exhibiting a sufficient characteristic and having a mesa-structure, and to provide a method of manufacturing the diode.例文帳に追加

良好な特性を示す、メサ構造部を備えたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, each Schottky barrier diode is allocated in each output terminal side of the armature coil 31.例文帳に追加

また、各ショットキーバリアダイオードは、ＭＯＳＦＥＴよりも電機子巻線３１の各出力端側に配置されている。 - 特許庁