「"ION MILLING"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ION MILLING DEVICE AND ION MILLING METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置及びその方法 - 特許庁

ION MILLING SYSTEM AND ION MILLING METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置およびイオンミリング方法 - 特許庁

ION MILLING DEVICE AND FINAL POINT DETECTION METHOD OF ION MILLING例文帳に追加

イオンミリング装置およびイオンミリングの終点検出方法 - 特許庁

To automatically correct the fluctuation in the ion milling condition associated with adhering to a work to be ion-milled, in an ion milling method and an ion milling apparatus.例文帳に追加

イオンミリング方法及びイオンミリング装置に関し、被ミリング物の付着に伴うイオンミリング条件の変動を自動的に補正する。 - 特許庁

ION MILLING DEVICE, ION MILLING METHOD, ION BEAM IRRADIATION DEVICE AND ION BEAM IRRADIATION METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置、イオンミリング方法、イオンビーム照射装置並びにイオンビーム照射方法 - 特許庁

ION MILLING METHOD AND ITS DEVICE例文帳に追加

イオンミリング加工方法およびその装置 - 特許庁

ION MILLING DEVICE AND METHOD例文帳に追加

イオンミリング装置、およびイオンミリング方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ION MILLING例文帳に追加

イオンミリング方法及びイオンミリング装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ION MILLING例文帳に追加

イオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING ION MILLING SAMPLE AND SAMPLE MOLDER例文帳に追加

イオンミーリング試料作製装置および試料ホルダ - 特許庁

A substrate temperature is 100°C, when ion milling.例文帳に追加

イオンミリング時における基板温度は約１００℃である。 - 特許庁

ION MILLING EVALUATION BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

イオンミリング評価用基板およびその製造方法 - 特許庁

WAFER HOLDER AND ION MILLING DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

ウェーハホルダ及びこれを備えたイオンミリング装置 - 特許庁

MASK FOR ION MILLING SAMPLE MANUFACTURING APPARATUS AND SAMPLE MANUFACTURING APPARATUS例文帳に追加

イオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置 - 特許庁

Consequently, an ion milling method is appropriately employed for the polishing process.例文帳に追加

そのため、研磨処理のため、イオンミリング法が好適に採用される。 - 特許庁

Two-dimensional arrays of vertical-cavity-surface-emitting laser diodes (VCSELs) have been fabricated by an ion-milling etching-technique. 例文帳に追加

２次元アレイ面発光レーザ（VCSEL）ダイオードは、イオン・ミリング・エッチング技術で製造されてきた。 - コンピューター用語辞典

A first metal layer 24 is used as a mask layer in ion milling process with a multilayer film T1.例文帳に追加

第１金属層２４を多層膜Ｔ１のイオンミリング加工時のマスク層として用いる。 - 特許庁

To realize a cooling device having high thermal conductivity and durability in an ion milling apparatus.例文帳に追加

イオンミリング装置において、高い熱伝導性と耐久性とを兼ね揃えた冷却装置を実現する。 - 特許庁

Thereafter, a laminate film is processed by ion milling to satisfy w=100 nm and l=100 nm.例文帳に追加

その後、イオンミリングにより積層膜をｗ＝１００ｎｍ、ｌ＝１００ｎｍとなるように加工する。 - 特許庁

Specially, the milling can be stopped the moment the nonmagnetic layer 31 is removed by the ion milling.例文帳に追加

特に、非磁性層３１をイオンミリングで除去した瞬間にミリングを止めることも可能になる。 - 特許庁

Alternatively, the resist residue is removed by a physical method such as an ion milling method or the like.例文帳に追加

また、レジスト残渣の除去を、イオンミリング法などの物理的方法により行う。 - 特許庁

The free magnetic layer 28 is not damaged greatly by the ion milling.例文帳に追加

従って、フリー磁性層２８はイオンミリングによって大きなダメージを受けなくなる。 - 特許庁

The angle of the ion milling is specified to be 5° or less to the normal of the substrate.例文帳に追加

そして、イオンミリングの角度を基板面の法線に対し５゜以下とする。 - 特許庁

Low-voltage ion milling is performed at an angle θ with respect to the normal to the surface of the seed layer.例文帳に追加

低電力イオンミルは、シード層表面の法線に対して角度θで実施される。 - 特許庁

To the regions, frequency characteristics are adjusted by an ion milling method.例文帳に追加

当該領域に対しイオンミリング法により周波数特性調整を行う。 - 特許庁

To provide a method for ion milling, which method is suitable for making the position irradiated by an ion beam coincide with a target machining position; and further to provide an apparatus for ion milling.例文帳に追加

本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。 - 特許庁

To provide an ion milling device capable of easily manufacturing a sample without performing parallel processing in the case where the mask surface side and loading surface of the sample are non-parallel, and to provide an ion milling method.例文帳に追加

本発明の目的は、試料のマスク面側と搭載面とが非平行の場合に、平行に加工する必要が無く試料作製を容易に行うことができるイオンミリング装置及びその方法を提供することにある。 - 特許庁

The influence of electrification resulting from an ion milling system is avoided by reducing the ion milling processes after formation of the magnetoresistive effect thin film magnetic head as much as possible.例文帳に追加

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド形成後のイオンミリング工程をできるだけ減らすことにより、イオンミリング装置起因の帯電の影響を回避する。 - 特許庁

To provide an ion milling device and an ion milling method, capable of carrying out shielding position adjustment simply and accurately without taking time, in carrying out adjustment of a shielding position of a sample and a mask.例文帳に追加

試料とマスクとの遮蔽位置の調整を行うに際して、手間取らずに簡便且つ精度の良い遮蔽位置調整が可能なイオンミリング装置及びイオンミリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method for ion milling by which a material to be worked can be formed in a desired worked shape by arbitrarily changing the intensity distribution of an ion beam at the time of performing ion milling.例文帳に追加

イオンミリングにおいて、イオンビームの強度分布を任意に変更して、被加工物の所望の加工形状を達成できるようにする。 - 特許庁

This allows the total ion milling etch mask thickness to be well controlled before the ion milling process used to define the sensor side walls.例文帳に追加

これにより、イオンミリングプロセスを使用してセンサ側壁を画定する前に、イオンミリングエッチングマスクの合計厚を適切に制御することが可能である。 - 特許庁

To provide an ion milling device, which facilitates detaching operation for respective substrates after ion milling processing, without lowering heat radiation effect from a substrate holder, when the ion milling processing is carried out, while the substrates are arrayed on the substrate holder, shortens the operation time for the detachment of the substrates from the substrate holder, and reduces the breakage rate of the substrates.例文帳に追加

基板ホルダーに複数枚の基板を配列してイオンミリング処理を行う際、該基板ホルダーからの放熱効果を低下させることなく、イオンミリング処理後における各々の基板の取り外し作業を容易にし、基板ホルダーからの基板の取り外し作業時間をの短縮し、また、基板の破損率の低減を可能としたイオンミリング装置を提供する。 - 特許庁

The n-type gallium nitride substrate 1 is irradiated with argon ions 5 by an acceleration voltage not higher than 1 kV by using an ion milling device.例文帳に追加

イオンミリング装置を用い加速電圧１ＫＶ以下にてアルゴンイオン５をｎ型窒化ガリウム基板１に向けて照射する。 - 特許庁

After that etching for the remaining electrode film 12 is made by Ar ion milling being slightly over etching and the electrode film 12 is eliminated completely.例文帳に追加

この後、残った電極膜１２を、Ａｒイオンミリングでオーバーエッチングぎみにエッチングし、電極膜１２を完全に除去する。 - 特許庁

After the sensor stack body is formed by ion milling, the hard mask may be removed by reactive ion etching.例文帳に追加

センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。 - 特許庁

To provide an ion milling apparatus capable of uniformly radiating a beam even when conditions of an ion source are changed.例文帳に追加

イオン源の条件を変えた場合でも、均一ビーム照射が可能なイオンミリング装置を提供することにある。 - 特許庁

The obtained die stock for forming is formed into a required shape by a working method such as ion milling and ion sputtering to obtain a die for forming.例文帳に追加

得られた成形用金型素材をイオンミリング、イオンスパッタリングなどの加工方法にて所要形状に成形して成形用金型を得る。 - 特許庁

To provide an inexpensive ion milling device while preventing increase in a distance between an ion gun and a specimen.例文帳に追加

本発明は、イオン銃と試料間の距離が大きくすることなく、安価なイオンミリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To surely remove a re-deposition layer formed on the side face of a resist mask in a main pole processing by using an ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを用いて主磁極加工する際、レジストマスク側面に生成する再付着層を確実に除去する。 - 特許庁

Subsequently, ion milling is used in order to remove the exposed part of substrate material of the slider 502 to produce a recessed area 514.例文帳に追加

次いでスライダー５０２の基板材料の露光された部分を取り除くためにイオン・ミリングが用いられ、リセス領域５１４を作り出す。 - 特許庁

To provide a mask for an ion milling sample manufacturing apparatus and the sample manufacturing apparatus which manufacture a sample having a desired cross section.例文帳に追加

所望の断面を有する試料を作製することができるイオンミーリング試料作製装置用マスクおよび試料作製装置を提供する。 - 特許庁

After the resist pattern is removed, the portion of the power feeding metal film formed with no metal plating layer is removed by the ion milling method.例文帳に追加

レジストパタ−ンを除去後、給電用金属膜の金属めっき層が形成されていない部分をイオンミリング法によって除去する。 - 特許庁

The low-energy ion milling is low in milling rate and can make the margin of a milling stop position narrow.例文帳に追加

低エネルギーのイオンミリングはミリングレートが遅く、ミリング止め位置のマージンを狭くすることが可能になる。 - 特許庁

The step serves to gradually decrease an ion milling rate from a central portion of the main magnetic pole to a boundary to the non-magnetic film.例文帳に追加

段差は、主磁極の中心部から非磁性膜との境界部に向けてイオンミリングレートを漸次減少させる役割を担う。 - 特許庁

Finally, by using an ion milling device, the observation part 14 is thinned to approximately several hundred nm, thus completing a sample for a transmission electron microscope.例文帳に追加

最後にイオンミリング装置を用い、観察部分１４を数百ｎｍまで薄片化して透過型電子顕微鏡用の試料を完成させる。 - 特許庁