「"SB a"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When the supply of a plurality of covers is detected sensors Sa, Sb, a change- over gate 7 is actuated so as to feed the covers into a tray 8.例文帳に追加

センサＳａ、Ｓｂにより、複数枚の表紙が給紙されたことを検出すると、切り替えゲ−ト７が動作して表紙をトレイ８に搬入する。 - 特許庁

As for the service centers SS, there are an analysis center SA, a custom office work center SB, a maintenance center SC, a material center SD, a utility management center SE, a waste recycle center SF, etc.例文帳に追加

サービスセンタＳＳとしては、分析センタＳＡ、税関事務センタＳＢ、保全センタＳＣ、資材センタＳＤ、用役管理センタＳＥ、廃棄物リサイクルセンタＳＦなどである。 - 特許庁

A solar light of the present invention comprises a solar battery SB, a storage battery BT for charging the solar battery SB, a lighting circuit 1 actuated for lighting with the power of the storage battery BT, and a control unit 2 for actuating the lighting circuit 1 for lighting when the output voltage is compared with and lower than a reference value that can be set variable.例文帳に追加

太陽電池ＳＢと、この太陽電池ＳＢの電力を充電する蓄電池ＢＴと、この蓄電池ＢＴの電力で点灯動作する点灯回路１と、太陽電池ＳＢの出力電圧を可変設定可能な基準値と比較して出力電圧が基準値より低下すると点灯回路１を点灯動作させる制御ユニット２とを備えている。 - 特許庁

An HS control to adjust a hue and a saturation comprises a rotation ring RR, a saturation increase / decrease button SB, a ring button RB, a cursor CUR, and the hue ring HR.例文帳に追加

色相および彩度を調整するためのＨＳコントロールは、回転リングＲＲ、彩度増減ボタンＳＢ、リングボタンＲＢ、カーソルＣＵＲ、色相環ＨＲによって構成されている。 - 特許庁

A sensor device 2 is provided with a top sensor St, a bottom sensor Sb, a front sensor Sf, and a rear sensor Sr arranged between two rows of rolling elements 5, and a processing means for processing the outputs of these sensors.例文帳に追加

センサ装置2は、二列の転動体5の中間に配置された頂部センサSt、底部センサSb、前部センサSfおよび後部センサSrと、これらのセンサの出力を処理する処理手段とを備えている。 - 特許庁

When it is assumed that the area of a part facing the outside of a valve body 4 of a capacitor is Sa and the area of a part facing the inside of a case 2 is Sb, a ratio of Sa to Sb is set to 0.25 or less.例文帳に追加

本発明のキャパシタの弁体４の外部に面した部分の面積をＳａ、ケース２内部に面した部分の面積をＳｂとしたとき、これらＳａとＳｂの比Ｓａ／Ｓｂを０．２５以下とした。 - 特許庁

A first element Sa, a sixth element Rb, a third element Ra, and the third rotational element Y3 are connected to a fourth element Sb, a first rotational element Y1, an input shaft 2 and an output member 3, respectively.例文帳に追加

第１要素Ｓａと第４要素Ｓｂとが、第６要素Ｒｂと第１回転要素Ｙ１とが、第３要素Ｒａと入力軸２とが、第３回転要素Ｙ３と出力部材３とが夫々連結される。 - 特許庁

The integrated circuit device 10 includes a scanning driver block SB, a high-speed I/F circuit block HB, and a scanning driver pad placing region PR, where a pad to electrically connect the scanning output line of the scanning driver block SB to a scanning line is placed.例文帳に追加

集積回路装置１０は、走査ドライバブロックＳＢと高速Ｉ／Ｆ回路ブロックＨＢと、走査ドライバブロックＳＢの走査出力線と走査線とを電気的に接続するためのパッドが配置される走査ドライバ用パッド配置領域ＰＲを含む。 - 特許庁

Sensor information Sc in a sensor coordinate system is converted into senor information Sd in a world coordinate system by using the robot information Sb a driving signal Sg is found from the sensor information Sd, and the robot arm 16 is driven by the driving signal Sg.例文帳に追加

センサ座標系表記のセンサ情報Ｓｃは、ロボット情報Ｓｂを用いて世界座標系表記のセンサ情報Ｓｄに変換され、センサ情報Ｓｄから駆動信号Ｓｇが求められて、駆動信号Ｓｇによりロボットアーム１６が駆動される。 - 特許庁

A first element Sa, a sixth element Rb, a third element Ra, three connection bodies Ra-Cc, and an eleventh element Cd are connected to a fourth element Sb, a seventh element Sc and a tenth element Sd, an eighth element Cc, an input shaft 2, and an output member 3, respectively.例文帳に追加

第１要素Ｓａと第４要素Ｓｂとが、第６要素Ｒｂと第７要素Ｓｃと第１０要素Ｓｄとが、第３要素Ｒａと第８要素Ｃｃとが、３連結体Ｒａ−Ｃｃと入力軸２とが、第１１要素Ｃｄと出力部材３とが夫々連結される。 - 特許庁

The phase-change recording film has a composition consisting of, by atomic percentage, 15-30% of Ge, 15-25% of Sb, a total of 0.1-13% of one or both of Al and Si, and the balance made of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜２５％を含有し、さらにＡｌおよびＳｉの内の１種または２種を合計で０．１〜１３を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

As a calculation method for finding out a time difference between detection signals SA, SB, a method (X) for finding out the time difference from a phase difference between the detection signals SA, SB by the φ measurement part 70 and a method (Y) for directly finding out the time difference between the detection signals SA, SB by the Δt measurement part 90 are adopted.例文帳に追加

検出信号ＳＡ、ＳＢ間の時間差を求める演算方法としては、φ計測部７０による検出信号ＳＡ、ＳＢ間の位相差から時間差を求める方式（Ｘ）と、Δｔ計測部９０による検出信号ＳＡ、ＳＢ間の時間差を直接求める方式（Ｙ）とがある。 - 特許庁

Thermoelectric elements 2 and 3 are configured to provide, in a junction between it and an electrode 4 in a thermoelectric material 8 consisting of alloy containing Sb, a diffusion prevention layer 9 formed of a sintered material of mixed powder which consists of Ti powder and/or Ti alloy powder and Al powder, and in which the content of the Al powder is 10-20 wt.%.例文帳に追加

熱電素子2,3は、Ｓｂを含む合金からなる熱電材料８における電極９との接合部に、Ｔｉ粉末および／またはＴｉ合金粉末とＡｌ粉末とからなり、かつＡｌ粉末の含有量が１０〜２０wt％である混合粉末の焼結体で形成された拡散防止層９を設けたものである。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor has: a base layer 103 formed on a collector layer 102 and consisting of a compound semiconductor configured by Ga, As, and Sb; a spacer layer 104 contacting with and formed on the base layer 103; and an emitter layer 105 contacting with and formed on the spacer layer 104 and consisting of a compound semiconductor configured by In and P.例文帳に追加

コレクタ層１０２の上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０３と、ベース層１０３の上に接して形成されたスペーサ層１０４と、スペーサ層１０４の上に接して形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを備える。 - 特許庁

The acceleration sensor is provided with a semiconductor substrate SB, sensor elements formed on the semiconductor substrate SB, a polysilicon junction frame FD which is formed on the semiconductor substrate SB and surrounds the sensor elements, and a glass cap CA which separates a predetermined space and covers the upper part of the sensor, by jointing the upper surface of polysilicon junction frame FD.例文帳に追加

本発明に係る加速度センサは、半導体基板ＳＢと、半導体基板ＳＢ上に形成されているセンサ素子と、半導体基板ＳＢ上に形成されており、センサ素子を囲繞しているポリシリコン接合枠ＦＤと、ポリシリコン接合枠ＦＤの上面と接合することにより、所定の空間を隔てて前記センサの上方を覆っているガラスキャップＣＡとを、備えている。 - 特許庁