「"and er"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND PROGRAM FOR CONTROLLING LMA AND ER OF LASER DIODE GENERATING BURST SIGNAL, LASER DIODE DRIVE CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT, TRANSMITTER AND COMMUNICATIONS SYSTEM例文帳に追加

バースト信号を発するレーザダイオードの光変調振幅制御方法及び消光比制御方法、光変調振幅制御プログラム、消光比制御プログラム並びにレーザダイオード駆動回路、集積回路、送信装置、通信システム - 特許庁

Thereafter, the silicide process (including at least a kind of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er) is conducted to each gate electrode, source region and drain region of the n-channel MISFET and p-channel MISFET.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

After that, in each gate electrode, source region, and drain region of N-channel type MISFET and P-channel type MISFET, silicidation (at least one of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er is included) is performed.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

A sufficient shape controllability can be achieved without using conventional Cl2 gas, protective effect of the sidewall of an etched metal layer is enhanced and ER microloading can be improved.例文帳に追加

これにより、従来のＣｌ_2ガスを用いなくても十分な形状制御性が達成されると共に、エッチングされたメタル層の側壁の保護効果が高められ、ＥＲマイクロローディングを改善できる。 - 特許庁

The rare earth acid sulfide is preferably a magnetic material compound represented by general formula (1): R_2O_2S (wherein R is at least one kind of rare earth element selected from Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho and Er).例文帳に追加

また、前記希土類酸硫化物が、一般式：Ｒ_２Ｏ_２Ｓ ……（１）（式中、ＲはＣｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，ＨｏおよびＥｒから選択される少なくとも一種の希土類元素を示す。）で表わされる磁性体化合物であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method and a system for dry etching and a method and a system for forming a gate electrode in which excellent shape controllability of a metal layer is exhibited in etching and ER microloading can be suppressed sufficiently.例文帳に追加

エッチングにおけるメタル層の形状制御性に優れると共に、ＥＲマイクロローディングを十分に抑制できるドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

By using TW, TA, and CD and Er, TN is successively subtracted by one until TN satisfying both conditions; CD<TW-Er (step S8) and CD<TA (step S9) is found.例文帳に追加

そして、これらＴＷ、ＴＡと、上記ＣＤ、及びＥｒを用いて、ＣＤ＜ＴＷ−Ｅｒ（ステップＳ８）、ＣＤ＜ＴＡ（ステップＳ９）の両方の条件を満たすものが見つかるまで、ＴＮを順次１減算していく。 - 特許庁

When the dimmers 7 are in a non-limit mode, light rays emitted from the elliptic reflecting plates 13 are diffused by the dimmers 7 and made to incident on both left and right eyes EL and ER of the observer.例文帳に追加

調光体７が非制限モードとされている場合には、楕円反射板１３から出射された光が調光体７により拡散され、観察者の両眼ＥＬ，ＥＲに入射される。 - 特許庁

When voltages applied to the second grid G2, the shield grid GS, and the third grid G3 are defined as Ec, Vf, and Er, a relation of Ec <Vf< Er is satisfied.例文帳に追加

第２グリッドＧ２、シールドグリッドＧＳ、第３グリッドＧ３に印加する電位をそれぞれＥｃ、Ｖｆ、及びＥｒとすると、Ｅｃ＜Ｖｆ＜Ｅｒの関係を満たすことを特徴とする。 - 特許庁

The optical fiber (10) for amplification comprises a quarts glass as a main component, and Er element as well as Al element at 4 wt.% or higher is added to at least a part of the light propagation region containing the core region (11).例文帳に追加

また、当該増幅用光ファイバ(10)は、石英ガラスを主成分とし、該コア領域(11)を含む光伝搬領域の少なくとも一部には、Ｅｒ元素及び４ｗｔ％以上のＡｌ元素が添加されている。 - 特許庁

From the velocity Vc, a flying distance D and an amount of shift ΔD in landing position of a nozzle row for magenta 40M and a nozzle row for yellow 40Y in the horizontal direction, are calculated (S70), and the shift amounts ΔDf and ΔDr are added in absolute value to calculate the evaluation values Ef and Er (S80).例文帳に追加

速度Ｖｃからマゼンタのノズル列４０Ｍとイエローのノズル列４０Ｙの水平方向の飛距離Ｄ及びそのずれ量ΔＤが算出され（Ｓ７０）、ずれ量ΔＤｆ，ΔＤｒが絶対値和算されて評価値Ｅｆ，Ｅｒが算出される（Ｓ８０）。 - 特許庁

Noise is added to reproduced sounds CL and CR reproduced by a sound field tuning section 20 and based upon reproduced sounds CL' and CR' generated by adding the noise, sound quality of the reproduced sounds CL' and CR' at listening positions EL and ER is evaluated.例文帳に追加

音場チューニング部２０により生成された再生音ＣＬ、ＣＲに対して、雑音を付加し、この雑音が付加された再生音ＣＬ’、ＣＲ’に基づいて、聴取位置ＥＬ、ＥＲにおける再生音ＣＬ’、ＣＲ’の音質を評価する構成とした。 - 特許庁

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources.例文帳に追加

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。 - 特許庁