「"blocking layers"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Other layers, such as blocking layers or smoothing layers, may also be incorporated into the fiber.例文帳に追加

遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。 - 特許庁

To provide light emitting devices having blocking layers comprising one or more metal complexes.例文帳に追加

１種又は複数の金属錯体を含む阻止層を有する発光デバイスを提供する。 - 特許庁

In the blocking layers 15a and 15b, the blocking layers 15a and 15b and the Dye layer 14 emit red light by recombination in the form of an excited complex.例文帳に追加

第１および第２のホールブロッキング層１５ａ、１５ｂにおいては、励起錯体の形で再結合することにより、第１および第２のホールブロッキング層１５ａ、１５ｂおよびＤｙｅ層１４は赤色の光を発する。 - 特許庁

ELectrode light blocking layers 41 are formed including portions where second pitches P2 increase with the distance from the center of the imaging region PA to the periphery.例文帳に追加

撮像領域ＰＡの中心から周囲へ離れるに伴って、第２のピッチＰ２が広がる部分を含むように、電極遮光層４１を形成する。 - 特許庁

The double hole blocking layer 23 has a structure where a hole transportation layer 12b is interposed between hole blocking layers 15a and 15b.例文帳に追加

ダブルホールブロッキング層２３は、正孔輸送層１２ｂを、ホールブロッキング層１５ａ、１５ｂによって挟み込む構造を有する。 - 特許庁

After the layers 2 are formed, an n-type InP layer 3 is formed on the substrate 1 and the current blocking layers 2.例文帳に追加

次に、ｎ型ＩｎＰ基板１およびｐ型電流阻止層２の上に、ｎ型ＩｎＰ層３を形成する。 - 特許庁

In addition, a p-type GaAs contact layer 10 and a p-type electrode 11 are successively formed on the second clad layer 8 and current blocking layers 9.例文帳に追加

第二のクラッド層８上及び電流ブロック層９上にｐ−ＧａＡｓコンタクト層１０、Ｐ型電極１１を順次有している。 - 特許庁

The current blocking layers 121 are each formed on both sides of the ridge portion 116a, and are composed of zinc oxide having crystalline structure.例文帳に追加

電流ブロック層１２１は、リッジ部１１６ａの両側方の領域にそれぞれ形成され、結晶構造を有する酸化亜鉛からなる。 - 特許庁

With the aid of this arrangement or of the method, light-permeable as well as also light-impermeable gas-blocking layers are produced using only one sputtering installation.例文帳に追加

装置または方法の使用により、単一のスパッタリング装置を用いて、光不透過層だけでなく、光不透過ガス遮断層をも形成できる。 - 特許庁

Thereby a crystal defect, transition and distortion in current blocking layers 7 and 8 and a contact layer 9 are prevented.例文帳に追加

したがって、電流ブロック層７,８およびコンタクト層９内での結晶欠陥、転移、歪の発生を防止できる。 - 特許庁

In the organic layer 21, a blue luminescent layer 13, two hole blocking layers 15a and 15b, and a green luminescent layer 16 are stacked from the positive electrode side.例文帳に追加

有機層２１には、陽極側から青色発光層１３、２層のホールブロッキング層１５ａ、１５ｂ、緑色発光層１６が積層される。 - 特許庁

There are provided: a pair of electrodes 101, 104; a photoelectric conversion layer 102 arranged between the pair of electrodes 101, 104; and electric charge blocking layers 105, 103 provided between at least one of the pair of electrodes 101, 104 and the photoelectric conversion layer 102, wherein the electric charge blocking layers 105, 103 contain a hydrogenation inorganic oxide.例文帳に追加

一対の電極１０１，１０４と、一対の電極１０１，１０４の間に配置された光電変換層１０２と、一対の電極１０１，１０４のうち少なくとも一方と光電変換層１０２との間に設けられた電荷ブロッキング層１０５，１０３とを備え、電荷ブロッキング層１０５，１０３が水素化無機酸化物を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ridge semiconductor laser having high oscillation efficiencies without making an etching stop layer exist between blocking layers and a first upper clad layer.例文帳に追加

ブロック層と第１上クラッド層との間にエッチングストップ層が存在せず、発振効率の高いリッジ型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ridge semiconductor laser having a high oscillation efficiency without making an etching stop layer exist between blocking layers and a first upper clad layer and to provide a method of manufacturing the ridge semiconductor laser.例文帳に追加

ブロック層と第１上クラッド層との間にエッチングストップ層が存在せず、発振効率の高いリッジ型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this laser element, a layer which is grown to bury the mesa strip 15a is constituted of an Si current blocking layer 18 containing AlGaAs, and Si current blocking layers 19 and 20 containing AlGaInP.例文帳に追加

この半導体レーザ素子は、メサストライプ１５ａを埋め込む成長層が、AlGaAsを含むSi電流ブロック層１８及びAlGaInPを含むSi電流ブロック層１９、２０から構成されている。 - 特許庁

The side of the ridge shaped clad layer 6 forms the light guide between the current blocking layers 8 of a semiconductor laser diode, and its side parallel with the output direction is covered with a dielectric film 7 such as SiO_2.例文帳に追加

半導体レーザダイオードの電流ブロック層８に挟まれた光導波路を構成するリッジ状のクラッド層６の出力方向に平行な側面をＳｉＯ_２などの誘電膜７で被覆する。 - 特許庁

Pixel parting light blocking layers 42 are formed including portions where third pitches P3 increase with the distance from the center of the imaging region PA to the periphery.例文帳に追加

撮像領域ＰＡの中心から周囲へ離れるに伴って、第３のピッチＰ３が広がる部分を含むように、画素分断遮光層４２を形成する。 - 特許庁

After that, blocking layers 10 are respectively formed on both sides of a ridge 12, the layer 8 is removed by etching and a cap layer 11 is formed on the layers 10 and the layer 7.例文帳に追加

その後、リッジ部１２の両側にブロック層１０を形成し、エッチングによりマスク層８を除去し、ブロック層１０およびコンタクト層７の上に、キャップ層１１を形成する。 - 特許庁

The n-type current blocking layers 114 and 124 consist of an identical material which is transparent with respect to respective oscillation wavelengths, that is n-type Al_0.5In_0.5P.例文帳に追加

ｎ型電流ブロック層１１４と、ｎ型電流ブロック層１２４とが、共に各々の発振波長に対して透明な同一材料系すなわちｎ型Ａｌ_0.5Ｉｎ_0.5Ｐから構成されている。 - 特許庁

The blocking layers 15A and 15B block the intrusion to the light emitting surface of the underfill resin executed when mounting the surface light emitting element 10 on a sub mount or the like.例文帳に追加

阻止層１５Ａ，１５Ｂは、面発光素子１０をサブマウント等に実装したときに施されるアンダーフィル樹脂の発光面への浸入を阻止する。 - 特許庁

Then p-type InAsP current blocking layers 2 are formed to fill up the recessed sections of the diffraction grating surface by introducing the substrate 1 into an atmosphere containing a gas containing an element that becomes a p-type impurity, and raising the temperature of the substrate 1 up to 600°C.例文帳に追加

次に、基板を、ｐ型の不純物となる元素を含む気体を含む雰囲気中に導入して６００℃まで昇温することにより、ｐ型ＩｎＡｓＰからなる，回折格子面を埋めるｐ型電流阻止層２を形成する。 - 特許庁

Metal complexes suitable for blocking layers can be selected by comparison of HOMO and LUMO energy levels of materials comprising adjacent layers in devices of the present invention.例文帳に追加

阻止層に適した金属錯体は、本発明のデバイス中の隣接する層に含まれる材料のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギーレベルを比較することによって選択できる。 - 特許庁

Metal complexes suitable for blocking layers can be selected by comparison of HOMO and LUMO energy levels of materials comprising adjacent layers in the devices.例文帳に追加

阻止層に適した金属錯体は、本発明のデバイス中の隣接する層に含まれる材料のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギーレベルを比較することによって選択できる。 - 特許庁

Further, the current blocking layers 8 do not grow farther from the side of the clad layer 6 and there is nothing to stop the growth of the clad layer 6.例文帳に追加

またクラッド層６の側壁部分からは電流ブロック層８が成長しないので成長を阻害する要因がなくなり、従って従来より厚く成長させることができる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises: a first cladding layer 111; a nitride semiconductor layer 101 including an active layer 113 and a second cladding layer 116; and current blocking layers 121 for selectively injecting current into the active layer 113.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。 - 特許庁

The resonant cavity includes a layer 8 of laser active material sandwiched between spacer layers 9, 10, and blocking layers 16, 19 which confine energizing electric currents to flow through the cavity 2 between a metallic contact layer 13 on the underside of the Bragg reflector 4 and a contact 17.例文帳に追加

共振空洞にはスペーサ層９，１０の間に挾まれたレーザ能動材料の層８と、阻止層１６，１９が含まれ、阻止層は励起用電流がBragg反射器４の下側の上にある金属接触層１３と接触部１７との間を空洞２を通って流れるのを制限している。 - 特許庁

The laser elements 10 and 20 are respectively constituted by successively laminating n-type clad layers 11 and 21, MQW active layers 12 and 22, p-type clad layers 13 and 23, current blocking layers 14 and 24, and p-type contact layers 15 and 25 upon another in this order.例文帳に追加

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０は、ｎ−クラッド層１１，２１、ＭＱＷ活性層１２，２２、ｐ−クラッド層１３，２３、電流ブロック層１４，２４およびｐ−コンタクト層１５，２５が順に積層されてなる。 - 特許庁

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。 - 特許庁

In order to support a preselected resonant mode, a series of concentric rings 18 are formed in the blocking layers 16, 19 surrounding the resonant cavity 2 so as to provide a Bragg structure which reflects light from the cavity with a phase characteristic that supports the preselected transverse resonant mode.例文帳に追加

予め選んだ共振モードを支持するために、一連の同心円状リング１８が共振空洞２を取囲んでいる阻止層１６，１９内に形成されて、予め選んだ横共振モードを支持するような位相特性をもつ空洞からの光を反射するBragg構造を呈するようにしている。 - 特許庁

In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁

Carbon nanotubes in which electron blocking layers are formed are arranged on the surface of the first electrode, so that they may be oriented in the direction of the second electrode.例文帳に追加

第１の電極及び第２の電極と、前記電極間に導電性高分子とフラーレン誘導体とを含有する光電変換層を備え、前記第１の電極の表面に前記第２の電極方向に配向するように表面に電子ブロッキング層が形成されたカーボンナノチューブが配置されていることを特徴とする有機太陽電池による。 - 特許庁

A p electrode 12 and an n electrode 13 are provided through the insulating layer 4 on the light emitting surface of the light emitting part 11, and belt-like blocking layers 15A and 15B having the characteristics of wettability worse than that of the insulating layer 4 or the like exposed around the light emitting part 11 are provided between the electrodes 12 and 13 and the light emitting part 11.例文帳に追加

発光部１１の発光面には、絶縁層４を介してｐ電極１２及びｎ電極１３が設けられ、この電極１２，１３と発光部１１の間には、発光部１１の周囲に露出する絶縁層４等よりも濡れ性が悪い特性を有する帯状の阻止層１５Ａ，１５Ｂが設けられている。 - 特許庁

In the full-color organic electroluminescence light emitting element, among red color, green color and blue color expressed using conventional phosphor (singlet exciton) substances, red subpixels and blue subpixels contain phosphor (triplet exciton) substances; green subpixels contain a phosphor (singlet exciton) substance; and hole blocking layers (HBL) are formed only on light emitting layers formed of the phosphor (triplet exciton) substances.例文帳に追加

フルカラー有機電界発光素子によって、従来の蛍光物質を用いて表現される赤色と緑色と青色のうち、赤色及び青色のサブ画素が燐光物質を含み、緑色のサブ画素が蛍光物質を含んだ発光層とを含み、燐光物質で形成された発光層上にのみホール遮断層（ＨＢＬ）を形成する。 - 特許庁

This lens sheet is constituted by laminating a lens sheet base material 3 which has the resin-made lens part 2 having many unit lenses arranged on one surface in parallel at a pitch of ≤0.3 mm and light blocking layers 9 on the reverse surface at non-convergence positions of the unit lenses, and a resin-made base 4 which is thicker than the lens sheet base material 3 with an adhesion layer 5.例文帳に追加

片面に単位レンズ１が０．３ｍｍ以下のピッチで多数並列された樹脂製レンズ部２を有、反対面に前記単位レンズの非集光位置に遮光層９を設けたレンズシート基材３と、該レンズシート基材３の厚さより厚い樹脂製支持体４とを接着層５を介して積層したレンズシートとした。 - 特許庁