「"low-k material"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a bipolar transistor with a low K material in an emitter-base spacer region.例文帳に追加

本発明はエミッタ−ベーススペーサ領域中に低Ｋ材料を有するバイポーラトランジスタの作製方法を提供する。 - 特許庁

On the surface of the wafer W, a copper wiring film and an insulating film composed of a low-K material are formed.例文帳に追加

ウエハＷの表面には、銅配線膜および低誘電率材料からなる絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

Multilayer spacers 306 and 307 are provided with a low k material layer 306 for reducing floating capacitance, and a material layer 307 for indicating etching selectivity for a substrate and an insulation oxide.例文帳に追加

本発明によれば多層スペーサー３０６、３０７は、浮遊キャパシタンスを低下させる低ｋ材料層３０６と基板と絶縁酸化物に対しエッチング選択性を示す材料の層３０７を有する。 - 特許庁

To prevent spread-out from occurring in a channel region of an organic semiconductor thin film in a BG type organic TFT having a gate insulating film with a Low-k material.例文帳に追加

本発明の目的は、Low-k材でゲート絶縁膜を設けたBG型有機TFTにおける有機半導体薄膜のチャネル領域でのスプレットアウトを防止することである。 - 特許庁

In a multilevel microelectronic integrated circuit, air comprises a permanent line level dielectric, and an ultra-low-k material constitutes a via level dielectric.例文帳に追加

マルチレベル超小型電子集積回路において、空気は、永久ライン・レベル誘電体を構成し、超低ｋ（ultra-low-k）物質は、バイア・レベル誘電体を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent diffusion of Cu from a Cu interconnection to a low dielectric constant material (Low-k material) and can prevent an increase in resistance of the Cu interconnection.例文帳に追加

Ｃｕ配線から低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）絶縁膜へのＣｕの拡散を防止することができるとともに、Ｃｕ配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The protection for the copper structure 40 allows a high-conductivity copper to be used, combined with a known low-dielectric constant (low-k) material resistive to diffusion of oxygen and water.例文帳に追加

銅構造４０に対する保護は、高導電率の銅を、酸素および水の拡散に耐えることが知られている低誘電率（ｌｏｗ ｋ）材料と組み合わせて使用することを可能とし、高い信号伝搬速度をもたらす。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method, capable of reducing the possibility of time degradation or alteration of an interlayer insulating film even in a substrate using Low-k material as the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜にＬｏｗ−ｋ材を使用した基板であっても、層間絶縁膜の経時劣化や変質の可能性を低くできる基板の処理方法を提供すること。 - 特許庁

Since no etch step is required in forming the air gaps within the photo-patternable low k material, the methods disclosed in this invention provide highly reliable interconnect structures.例文帳に追加

光パターン化可能低ｋ材料内部の空隙を形成するのに、エッチ・ステップを必要としないで、本発明において開示する方法は、高信頼性の相互接続構造体を提供する。 - 特許庁

Methods for producing air-gap-containing metal-insulator interconnect structures for VLSI and ULSI devices using a photo-patternable low k material as well as the air gap-containing metal-insulator interconnect structure that is formed are disclosed.例文帳に追加

ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩ用の空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を、光パターン化可能低ｋ材料を用いて作成する方法、及び形成した空隙含有金属・絶縁体相互接続構造体を開示する。 - 特許庁

Low-load flattening work is effected due by employing electrolytic grinding whereby a multi-layer wiring structure employing a low-k material 9 as an interlayer insulating film is constituted.例文帳に追加

電解研磨を用いるため低負荷な平坦化加工が可能となるので、層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ材料９を用いた多層配線構造も構築可能となる。 - 特許庁

Further, the second insulator substantially contains a low-K material.例文帳に追加

ポリシリコン層２０２は、厚さが少なくとも２０００オングストロームであると共に、幅が０．１４μm以下であり、かつ、第２の絶縁体部分は実質的にlow-K材料を含んでいる。 - 特許庁

To provide a processing liquid and a substrate processing method and apparatus using the processing liquid whereby any water mark can be suppressed from being formed on the surface of a low-permittivity material (low-k material).例文帳に追加

低誘電率材料（Ｌｏｗ−ｋ材料）の表面にウォータマークが形成されてしまうことを抑制することができる処理液を提供する。 - 特許庁

The method is disclosed to make a pure-silica-zeolite film more implementable as a low-k material, specifically, as a more hydrophobic, homogeneous and crack-free material.例文帳に追加

純粋シリカゼオライトフィルムを低ｋ材料、具体的には、より疎水化、均一化され、クラックが存在しない材料としてより実装可能とする方法が開示されている。 - 特許庁

To estimate physical resistance of a package process after backgrinding, when a fragile porous low-k material which has less bondability and is easily peeled is used as an insulating film, and in a thin chip having a chip thickness of 100 μm or less.例文帳に追加

脆弱であり、かつ、密着性に乏しくて剥離し易い多孔質状ｌｏｗ−ｋ材が絶縁膜として用いられた場合において、更にはチップ厚が１００μｍ以下と言った薄型タイプのものにおいて、バックグラインド以降におけるパッケージプロセスの物理的耐性の評価を出来るようにすることである。 - 特許庁

The local layer has an interlayer dielectric 3 principally comprising silicon oxide, the intermediate layer has an interlayer dielectric 5 composed of a low-k material, and the global layer has an interlayer dielectric 6 principally comprising silicon oxide.例文帳に追加

ローカル層は酸化シリコンを主成分とする層間絶縁膜３を有しており、中間層はｌｏｗ−ｋ材料からなる層間絶縁膜５を有しており、グローバル層は酸化シリコンを主成分とする層間絶縁膜６を有している。 - 特許庁

The method of forming the insulating film includes the steps of spin coating on an underlying layer etc., a precursor solution formed by distributing a low-k material in a solvent, heating the coating film for several minutes at temperature near solvent boiling point, and performing a baking treatment (steps S1-S3).例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ材料を溶媒中に分散させて形成した前駆体溶液を下地層等の上にスピンコートし、その塗膜に対して溶媒沸点付近の温度でおよそ数分間加熱しベーク処理を行う（ステップＳ１〜Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a cleaning method which removes particles, chemicals, or the like left on a substrate after scrub cleaning a substrate with at least a part of its surface formed by a low-k material or a substrate with a part of its surface formed by a water-repellent material by chemicals.例文帳に追加

表面の少なくとも一部がＬｏｗ−ｋ材で形成された基板あるいは表面の少なくとも一部が撥水性の材料で形成された基板を薬液でスクラブ洗浄した後に、基板上に残留したパーティクルや薬液等の汚れを洗浄水で除去する洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To easily and correctly estimate breakage of a chip due to impact force in bonding after stacking chips, when a fragile porous low-k material which has less bondability and is easily peeled is used as an insulating film and in a thin chip having a chip thickness of 100 μm or less.例文帳に追加

脆弱であり、かつ、密着性に乏しくて剥離し易い多孔質状ｌｏｗ−ｋ材が絶縁膜として用いられた場合において、更にはチップ厚が１００μｍ以下と言った薄型タイプのものにおいて、チップ積重後のボンディングの際の衝撃力によるチップ破損を、簡単、かつ、正確に評価できるようにすることである。 - 特許庁

To provide a method for mounting a semiconductor element on a wiring substrate through a protrusion electrode for an external connection not containing lead (Pb), and for mitigating stress acting on a wiring layer laminated through an interlayer insulating film composed of a Low-K material in the semiconductor element from the wiring substrate during such mounting, thereby an occurrence of an interlayer detachment may be suppressed.例文帳に追加

鉛（Ｐｂ）を含有しない外部接続用突起電極を介して半導体素子を配線基板に実装する方法であって、当該実装の際に、配線基板から、当該半導体素子に於けるＬｏｗ−Ｋ材料から構成される層間絶縁膜を介して積層されている配線層に作用する応力を緩和して、層間剥離の発生を抑制することができる半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁