「"n H"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is an integer].例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（Ｃ_3Ｈ_6Ｏ_2）_n−Ｈ （Ｉ）（式中、Ｒは炭素数６〜２２の炭化水素基を、ｎは整数を示す。） - 特許庁

To provide a method of forming an insulation film having a low content of N-H bond.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ結合含有量の少ない絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

R-O-(PO)_m-(EO)_n-H (1), and R1-O-[(PO)_x/(EO)_y]-SO3M (2).例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（ＰＯ）m−（ＥＯ）n−Ｈ（１）Ｒ1−Ｏ−[（ＰＯ）x／（ＥＯ）y]−ＳＯ3Ｍ（２） - 特許庁

To provide a method for forming a plasma-CVD film having low N-H bond content.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないプラズマＣＶＤ成膜方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, chlorine produced by the thermal decomposition of the hydrochloric gas binds with hydrogen in the N-H bond and becomes a hydrogen chloride, causing the N-H bond to be cut.例文帳に追加

具体的には、塩化水素ガスが熱分解して発生した塩素が有機窒素原料内でＮ—Ｈ結合していた水素と結合して塩化水素となることで、上記Ｎ—Ｈ結合が切断される。 - 特許庁

The equation n_s=n_l±n_h is satisfied wherein the number of magnets of the high speed rotor 10 is n_h, the number of teeth of the low speed rotor 20 is n_l and the number of magnetic material pieces of the stationary portion 30 is n_s.例文帳に追加

高速ロータ１０の磁石数をｎ_ｈ、低速ロータ２０の歯数をｎ_ｌ、固定部３０の磁性体片数をｎ_ｓとするとき、ｎ_ｓ＝ｎ_ｌ±ｎ_ｈが満たされる。 - 特許庁

A difference between refractive indexes n_h and n_l(n_h>n_l) at a central wavelength λ for first and second polarized light which enter the optical element and whose polarization directions are different from each other is at least 0.1.例文帳に追加

該光学素子に入射する、偏光方向が互いに異なる第１の偏光及び第２の偏光に対する中心波長λでの第１の層の屈折率ｎ_ｈ，ｎ_ｌ（ｎ_ｈ＞ｎ_ｌ）の差は０.１以上である。 - 特許庁

According to the N-H bond, this hydrogen storage nitride material can store a large quantity of hydrogen safely.例文帳に追加

本水素貯蔵窒化物材料は、Ｎ−Ｈ結合により、安全に大量の水素を貯蔵することができる。 - 特許庁

To provide a method of preventing the diffusion of N-H base groups into a photoresist where they can render the photoresist insoluble.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ塩基基がフォトレジスト内へ拡散してフォトレジストを不溶性にすることを防ぐ方法を提供する。 - 特許庁

A lower layer silicon nitride film is formed by a CVD method by using NH_3 as the nitrogen source gas and contains more N-H bondings than that in the upper layer.例文帳に追加

下層の窒化シリコン膜は、窒素ソースガスにＮＨ_３を用いてＣＶＤ法で形成され、Ｎ−Ｈ結合を上層よりも多く含む。 - 特許庁

Alternatively, the size of the font is changed so that the horizontal line width is n_V pixels or greater and the vertical line width is n_H pixels or greater.例文帳に追加

あるいは、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅がｎ＿Ｈ画素以上となるようにフォントの大きさを変更する。 - 特許庁

The three light stabilizers are a piperidine derivative, a compound having N-H bonds, and a compound having N-CH3 bonds.例文帳に追加

その耐光安定剤は、ピペリジン誘導体、Ｎ−Ｈ結合を有する化合物、およびＮ−ＣＨ_3結合を有する３種の化合物である。 - 特許庁

The annealing treatment excites the N-H bond in the thin film and dissociation removes H from the film.例文帳に追加

このアニール処理により、薄膜中のＮ−Ｈ結合が励起され、解離によりＨが膜中から除去される。 - 特許庁

(In the formulae, Ph is a benzene ring such as phenyl, phenylene or the like m≥0, n≥0, m+n≥1, P≥0).例文帳に追加

Ph(OH)-[HC(Ph)-(Ph)OH)]_m[CH_2-(Ph)-CH_2-(Ph)OH]_n-H………………(2) Ph(OH)-[CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)]_p-CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)……(3) （式中Phは,フェニル、フェニレン等ベンゼン核残基であり、ｍ≧０、ｎ≧０で、ｍ＋ｎ≧１、ｐ≧０である） - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is a number of 1 to 7].例文帳に追加

Ｒ−Ｏ−（Ｃ_3Ｈ_6Ｏ_2）_n−Ｈ （Ｉ）（式中、Ｒは炭素数６〜２２の炭化水素基を、ｎは１〜７の数を示す。） - 特許庁

The verifier investigates whether or not a condition of H(m, r)≤h(s) mod n<H(m, r)+2^2&verbar;n&verbar;/3 is fulfilled and when the condition is fulfilled, the signature is decided as a success.例文帳に追加

検証者は Ｈ（ｍ，ｒ）＜ｈ（ｓ）mod ｎ＜Ｈ（ｍ，ｒ）＋２^２｜ｎ｜／３ （ここでＡ^ＢはＡ^B を表わす）を満すかを調べ、満たせば合格とする。 - 特許庁

A transfer servant selection part 16 selects N (h, c, p)-pieces of servants of the transfer destination on the basis of a predetermined method.例文帳に追加

次に、転送先サーバント選択部１６は予め定められた方法に基づいて、転送先のサーバントをＮ（ｈ，ｃ，ｐ）個選択する。 - 特許庁

Further, the pitch control agent contains a compound consisting of a polyoxyalkylene group represented by general formula: HO-(AO)_n-H (wherein, AO is a 2-4C oxyalkylene group; and n is an integer of 1-200).例文帳に追加

ＨＯ−（ＡＯ）ｎ−Ｈ…（Ｉ）（但し、ＡＯは炭素数２から４のオキシアルキレン基を表し、ｎは１から２００の整数である。） - 特許庁

The verifier investigates whether or not a condition of H(m, T)≤h(s) mod n<H(m, T)+2^2&verbar;n&verbar;/3 (A B represents AB) is fulfilled and when the condition is fulfilled, the signature is decided as a success.例文帳に追加

検証者は Ｈ（ｍ，Ｔ）＜ｈ（ｓ）mod ｎ＜Ｈ（ｍ，Ｔ）＋２^２｜ｎ｜／３ （ここでＡ^ＢはＡ^B を表わす） を満すかを調べ、満たせば合格とする。 - 特許庁

A transfer destination servant number determination part 15 determines the number of transfer destination servants to N (h, c, p) on the basis of a predetermined function N.例文帳に追加

転送先サーバント数決定部１５は予め定められた関数Ｎに基づいて転送先サーバント数をＮ（ｈ，ｃ，ｐ）と決定する。 - 特許庁

Formula (1) is represented by H-L-(X-L)_n-H, where L is a bivalent group derived from indoles and phenols with an abundance ratio (by mole) within the range from 1:9 to 9:1; X is a bivalent group derived from a crosslinking agent such as aldehyde, ketone, xylylene glycol or divinylbenzene; and n is a numerical value of 1-10.例文帳に追加

H-L-(X-L)_n-H （１） ここで、Lはインドール類及びフェノール類から生じる2価の基であり、両者の存在割合（モル比）が１：９〜９：１の範囲であり、Ｘはアルデヒド、ケトン、キシリレングリコール、ジビニルベンゼン等の架橋剤から生じる2価の基であり、ｎは１〜１０の数を示す。 - 特許庁

The tensile stress nitride film 15 is configured so that the N-H peak area ratio to the Si-H peak area falls in a range of 2.5 to 2.7 when the Si-H peak area and the N-H peak area are obtained by FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy).例文帳に追加

この引張応力窒化膜１５は、ＦＴＩＲ（フーリエ変換型赤外分光）法により、Ｓｉ-Ｈピーク面積およびＮ-Ｈピーク面積を求めたときに、Ｓｉ-Ｈピーク面積に対するＮ-Ｈピーク面積の比が２．５〜２．７の範囲内となる構造を有している。 - 特許庁

Formula (1) is represented by H-L-(X-L)_n-H, where L is a bivalent group derived from carbazoles and phenols with an abundance ratio (by mole) within the range from 5:95 to 95:5; X is a bivalent group derived from the crosslinking agent such as aldehyde, ketone, xylylene glycol or divinylbenzene; and n is a numerical value of 1-10.例文帳に追加

H-L-(X-L)_n-H （１） ここで、Lはカルバゾール類及びフェノール類から生じる2価の基であり、両者の存在割合（モル比）が５：９５〜９５：５の範囲であり、Ｘはアルデヒド、ケトン、キシリレングリコール、ジビニルベンゼン等の架橋剤から生じる2価の基であり、ｎは１〜１０の数を示す。 - 特許庁

The structural laminated rubber bearing 1 for suppressing the shake of a structure caused by vibrating external force is set so that buckling load N_H in micro deformation caused by vertical load of laminated rubber and shearing rigidity K_S of the laminated rubber satisfy the relation of N_H≤5K_S/3 to enhance buckling stability in a large deformation region.例文帳に追加

振動外力による構造物の揺れを抑制するための構造用積層ゴム支承１において、積層ゴムの鉛直方向の荷重による微小変形時の座屈荷重Ｎ_Hと積層ゴムのせん断剛性Ｋ_Sが、Ｎ_H≦５Ｋ_S／３の関係を満たすように設定し、大きな変形領域での座屈安定性を高める。 - 特許庁

In the heat developable sensitive material having at least one photosensitive layer and a protective layer on a support, the photosensitive layer contains a photosensitive silver halide and the protective layer contains a compound represented by the formula (I): R-O-(CH_2CH_2O)_n-H wherein R represents an 8-20C alkyl; and n represents an integer of 20-80.例文帳に追加

支持体上に少なくとも一層の感光層と、保護層とを有する熱現像感光材料において、前記感光層が感光性ハロゲン化銀を含有し、前記保護層が下記一般式(I)： R-O-(CH_2CH_2O)_n-H ・・・ (I)（ただし一般式(I)中、Rは炭素数８〜20のアルキル基を表し、nは20〜80の整数を表す。）により表される化合物を含有する熱現像感光材料。 - 特許庁

The electron releasing material is constituted by forming an amorphous or microcrystalline carbon nitride film containing an N-H terminal, more particularly the carbon nitride film which is above the absorption area of the C-H terminal in the absorption area of the N-H terminal in the IR absorption spectra of the carbon nitride film on the surface of a conductive base material.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜、特に窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおけるＮ−Ｈ終端の吸収面積がＣ−Ｈ終端の吸収面積以上である窒化炭素膜を導電性の基材表面に形成することによって、電子放出材料を構成する。 - 特許庁

In this case, the hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 made of silicon nitride preferably contains the hydrogen [Si-H] bound to silicon larger than hydrogen [N-H] bound to nitrogen.例文帳に追加

尚、窒化シリコンからなる水素含有シリコン系絶縁膜１３には、窒素に結合した水素［Ｎ−Ｈ］よりもシリコンに結合した水素［Ｓｉ−Ｈ］を多く含むことが好ましい。 - 特許庁

N-H base groups are prevented from diffusing from the low-k dielectric film and neutralizing acid catalysts in the photoresist used to define a dual damascene opening.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ塩基基が、低ｋ誘電体膜から拡散し、デュアル・ダマシン開口部を規定するために使用されるフォトレジスト中の酸触媒を中和することを防止する。 - 特許庁

The hydrogen storage nitride material is produced by mechanically crushing a metal nitride and one or more nonmetal nitrides in a hydrogen atmosphere to form a N-H bond.例文帳に追加

金属窒化物および非金属窒化物の一種以上を、水素雰囲気にて機械的粉砕処理し、Ｎ−Ｈ結合を生成させることにより水素貯蔵窒化物材料とする。 - 特許庁

One group of such compounds contains an increased binding energy hydrogen species selected from the group consisting of H_n, H_n^- and H_n^+, where n is an integer from one to three.例文帳に追加

この化合物の一つの群は、Ｈ_n、Ｈ_n^-及びＨ_n^+から成る群から選択される結合エネルギー増加水素種を含み、ｎは１〜３の整数である。 - 特許庁

The nitrogen-containing film prevents the formation of undesirable copper oxides, and the oxygen-containing film prevents the diffusion of N-H base groups into the low-k dielectric film.例文帳に追加

窒素含有膜１１は望ましくない酸化銅の形成を防止し、酸素含有膜１３は低ｋ誘電体膜内へのＮ−Ｈ塩基基の拡散を防止する。 - 特許庁

A split barrier layer enables copper interconnection wires to be used in conjunction with a low-k dielectric film by preventing the diffusion of N-H base groups into the photoresist where they can render the photoresist insoluble.例文帳に追加

銅配線ワイヤを低ｋ誘電体膜とともに用いることが、分割バリア層によって、Ｎ−Ｈ塩基基がフォトレジスト内へ拡散してフォトレジストを不溶性にすることを防ぐことで可能になる。 - 特許庁

Thereby the dissociation of N-H bonds in the amine-based compounds can be promoted to decompose the amine-based compounds in a short time in comparison with the conventional devices.例文帳に追加

これにより、アミン系化合物のＮ−Ｈ結合の解離を促進して、従来の装置に比べて、アミン系化合物の分解処理を短時間で行なうことができる。 - 特許庁

The high purity metals consisting of high purity chromium or high purity manganese are characterized in that the total amount of gas content of O, C, N, H, F, S, or the like is 200 ppm or less.例文帳に追加

Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。 - 特許庁

Based upon extended motion quantity detecting signals MDL' and MDH', feedback coefficients k_L and k_H are generated and multiplied by signals SL and SH to obtain extracted noises n_L and n_H.例文帳に追加

引き延ばされた動き量検出信号ＭＤＬ′，ＭＤＨ′に基づいて、フィードバック係数ｋ_Ｌ，ｋ_Ｈを発生し、信号ＳＬ，ＳＨに掛算して抽出ノイズｎ_Ｌ，ｎ_Ｈを得る。 - 特許庁

In this case, the hydrochloric gas in the metal organic chemical vapor deposition furnace initiates a chemical reaction with the organic nitrogen material, and thereby the N-H bond in the organic nitrogen material is cut.例文帳に追加

この場合、有機金属気相成長炉内の塩化水素ガスが有機窒素原料と化学反応し、有機窒素原料中のＮ—Ｈ結合が切断される。 - 特許庁

The glycols are represented by the formulae HO-(CH2CH2O)n-H (n is an integer 2-10), and HO-R-OH (R is a C4-20 alkylene group).例文帳に追加

前記のグリコールは、一般式 ＨＯ−（ＣＨ_2ＣＨ_2Ｏ）_n−Ｈ（ｎは２〜１０の整数）、および一般式 ＨＯ−Ｒ−ＯＨ（Ｒは炭素数４から２０のアルキレン基）で表わされるグリコールである。 - 特許庁

When a resolution vertically and horizontally decreases to 1/n_V and 1/n_H, a font that has a horizontal line width of n_V pixels or greater and a vertical line width of n_H pixels or greater is used.例文帳に追加

解像度が画面垂直方向、水平方向にそれぞれ１／ｎ＿Ｖ、１／ｎ＿Ｈに低下する場合、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅がｎ＿Ｈ画素以上であるフォントを使用する。 - 特許庁

A low-heat-contraction silicon-rich silicon-nitride film can contain hydrogen in a form of Si-H bond having a concentration of at least half as much again as that of hydrogen in a form of N-H bond.例文帳に追加

低熱収支シリコンリッチ窒化ケイ素膜は、Ｎ−Ｈ結合の水素濃度の少なくとも１．５倍であるＳｉ−Ｈ結合の水素濃度を含むことが可能である。 - 特許庁

A constitution element (M) except for the nitrogen of a nitride film, reaction gas (M-N-H gas), constituted of nitrogen and hydrogen and ammonia, are used and the reaction gas is generated in a mixing chamber 503 installed on the front side of a reaction chamber 3.例文帳に追加

窒化膜の窒素以外の構成元素（Ｍ）と窒素と水素で構成される反応ガス（Ｍ−Ｎ−Ｈガス）とアンモニアを用い、反応室３の手前に設けた混合室５０３で前記反応ガスを生成する - 特許庁

A film structure comprises the low k dielectric films 18 and 42; a barrier layer film 6; and N-H base source films such as an etching stopping film 30 and a hard mask film 54.例文帳に追加

膜構造は、低ｋ誘電体膜１８，４２および、バリア層膜６、エッチング停止膜３０およびハードマスク膜５４のようなＮ−Ｈ塩基源膜を含む。 - 特許庁

The general formula (1): RO(AO)n-H [wherein, R is a 1-12C monohydric alcohol residue; A is a 2-4C alkylene; (n) is the number of 1 to 200].例文帳に追加

ＲＯ（ＡＯ）ｎ−Ｈ （１）式中、Ｒは炭素数１〜１２の１価アルコールの残基、Ａは炭素数２〜４のアルキレン基、ｎは１〜２００の数を表す。 - 特許庁

The water molecule is removed from the protein, and the minimum value of the joint energy is searched in a search region, and N^h pieces of joint structure candidates of the protein and compound are selected.例文帳に追加

蛋白質から水分子を削除してから、探索領域で結合エネルギーの極小値を探索し、蛋白質と化合物の結合構造候補をＮ^h個選択する。 - 特許庁

The attention level estimating section 20 estimates the attention level of the driver from a side of the plane P1 the measured T_N, H_V and H_R are located at.例文帳に追加

注意レベル推定部２０は、測定されたＴ_Ｎ、Ｈ_Ｖ及びＨ_Ｒが平面Ｐ１のいずれの側に位置するかでドライバーの注意レベルを推定する。 - 特許庁

To provide a high-purity metal made of high-purity chromium or high-purity manganese for a sputtering target in which the content of gas components such as O, C, N, H, F and S is 200 ppm or less in total.例文帳に追加

Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用の高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属を提供する。 - 特許庁