「"reference memory"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To shorten a test time for setting a threshold voltage of a reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルの閾値電圧を設定するための試験時間を短縮する。 - 特許庁

The state detection section 4 detects the state of the reference memory cell 3a.例文帳に追加

状態検出部４は、参照メモリセル３ａの状態を検出する。 - 特許庁

In testing a reference memory cell MC_REF, the cell current of the reference memory cell MC_REF is directly measured from an external terminal 3 via a write driver 31.例文帳に追加

リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのテスト時において、外部端子３からライトドライバ３１を介してリファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦのセル電流を直接測定する。 - 特許庁

EIGHT-SLOT CONTENTS REFERENCE MEMORY FOR READING AND WRITING BY INTERLEAVE SYSTEM例文帳に追加

インターリーブ方式で読み出し及び書き込みを行う８スロット内容参照メモリ - 特許庁

RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

選択された基準メモリセルを含む抵抗型メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

To prevent a read error caused by variation of a property of a reference memory cell.例文帳に追加

基準メモリセルの性質の変化によって生じる読み出しエラーを防止する。 - 特許庁

A corresponding point search range 44 of a reference memory 22 is divided into 8 divisions 44-1 to 44-8.例文帳に追加

参照メモリ22の対応点探索範囲44は八つの区分44-1〜8に分割されている。 - 特許庁

A reference memory cell MCr is connected to two reference bit lines BLref 0-1.例文帳に追加

参照メモリセルＭＣｒは、２本の参照ビット線ＢＬｒｅｆ０−１に接続される。 - 特許庁

Accordingly, the electric characteristics of the reference memory cell MC_REF are highly accurately measured.例文帳に追加

したがって、リファレンスメモリセルＭＣ＿ＲＥＦの電気的特性を高精度に測定することができる。 - 特許庁

To reduce power consumption during retrieving of content reference memory, and to increase retrieval operation speed.例文帳に追加

内容参照メモリの検索時の消費電力を低減しかつ検索動作を高速化する。 - 特許庁

This method is a method for refreshing a reference memory cell (Cref) in a non-volatile memory.例文帳に追加

本発明は、不揮発性メモリ（１０）内の基準メモリセル（Ｃｒｅｆ）をリフレッシュする方法である。 - 特許庁

A memory device 50 having an intersection array 100 of a memory cell 130 is provided with a temperature sensor 150 and a reference memory cell 160.例文帳に追加

メモリセル(130)の交点アレイ(100)を有するメモリデバイス(50)は、温度センサ(150)と基準メモリセル(160)を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of simply and easily controlling the setting of a reference memory cell when a value stored in a core memory cell is determined based on the reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルを基にコアメモリセルに記憶されている値を判定する際に、リファレンスメモリセルの設定の制御を簡単かつ容易にすることができる半導体記憶装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

When an IDR (Instantaneous Decoding Refresh) picture emerges, the long-term reference memory is refreshed by the IDR picture.例文帳に追加

ＩＤＲ（Instantaneous Decoding Refresh)ピクチャが出現した場合には、長期間参照メモリは該ＩＤＲピクチャにリフレッシュされる。 - 特許庁

To provide a content reference memory which can perform a retrieval operation promptly with low current consumption.例文帳に追加

検索動作を高速かつ低消費電流で実行することのできる内容参照メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a content reference memory performing a high-speed retrieval operation with low current consumption.例文帳に追加

検索動作を高速かつ低消費電流で実行することのできる内容参照メモリを提供する。 - 特許庁

This invention provides an NVM readout structure using reference memory cells, to distinguish threshold voltage difference between a reference memory cell M_rf and a readout NVM cell M_C with appropriate detection speed and excellent accuracy.例文帳に追加

本発明は、参照メモリセルを利用したＮＶＭ読取構造を提供して、適切な検出速度及び良好な正確度により参照メモリセルM_rf及び読取ＮＶＭセルM_Cの両者間のしきい電圧差を識別する。 - 特許庁

On the other hand, a reference pixel value is once accumulated in a reference memory 2 and inputted to reference registers 4 and 5.例文帳に追加

参照画素値は参照メモリ２に蓄積され、参照レジスタ４，５に入力され、ＰＥ６，７に入力される。 - 特許庁

The sequence of registration data is digitized, a numerical value acquired by the digitalization is used as an address of an index reference memory, and an address of a data registration memory storing the registration data is stored in the address of the index reference memory.例文帳に追加

登録データの並びを数値化し、前記数値化により得られた数値をインデックス参照メモリのアドレスとし、前記インデックス参照メモリの当該アドレスに登録データを格納しているデータ登録メモリのアドレスを格納する。 - 特許庁

The credit memory is provided with a monitor means that includes a reference memory, an event detector that generates marks to be written in the reference memory and the credit memory, and a comparison means that compares the marks used to confirm the credit memory.例文帳に追加

クレジットメモリには、基準メモリと、上記基準メモリと上記クレジットメモリに書き込まれるマークを形成する事象検出器と、クレジットメモリを確認するために使用されるマークを比較する比較手段を含むモニタ手段が設けられる。 - 特許庁

The reference memory space is memory-mapped and referred to from an application 16 executed on the operating system.例文帳に追加

さらに該参照メモリ空間をメモリマッピングしてオペレーティングシステム上で実行されるアプリケーション１６から参照可能にする。 - 特許庁

When the detected memory charge level of the selected memory element is smaller than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the second reference memory element (step S2), and the selected memory element is in a state 1 or 2.例文帳に追加

選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第１基準メモリ素子のそれより小さいとき、検出されたメモリ電荷レベルが第２基準メモリ素子と比較され（ステップＳ２）、選択されたメモリ素子は、状態１又は２のいずれかである。 - 特許庁

To achieve two-dimensional decoding being necessary to achieve a reasonable array aspect ratio for a large capacity content reference memory.例文帳に追加

大容量の内容参照メモリのために合理的なアレイのアスペクト比を達成するのに必要な、２次元復号を実現する。 - 特許庁

Each switch circuit is turned on when receiving the selection signal, and connects a drain of the reference memory cell to a reference global bit line.例文帳に追加

スイッチ回路は、選択信号をそれぞれ受けてオンし、リファレンスメモリセルのドレインをリファレンスグローバルビット線にそれぞれ接続する。 - 特許庁

The memory cell 1 is connected to a current comparison circuit 2 and a reference memory cell 3 for testing is connected to the current comparison circuit 2.例文帳に追加

メモリセル１は電流比較回路２に接続され、該電流比較回路２には試験用基準メモリセル３が接続されている。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device where fluctuations of reference potential in a reference memory cell system can be reduced.例文帳に追加

リファレンスメモリセル方式における基準電位のばらつきを、より一層少なく出来る強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

When the detected memory charge level of the selected memory element is larger than that of the first reference memory element, the detected memory charge level is compared with that of the third reference memory element (step S3), and the selected memory element is in a state 3 or 4.例文帳に追加

選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルが、第１基準メモリ素子のそれより大きいとき、検出されたメモリ電荷レベルは第３基準メモリ素子と比較され（ステップＳ３）、選択されたメモリ素子は状態３又は４のいずれかである。 - 特許庁

Based on a first comparison result, the detected memory charge level of a selected memory element is compared with one selected from that of a second reference memory element having Vt equal to VR1 and that of a third reference memory element having Vt equal to VR3.例文帳に追加

最初の比較結果によって、選択されたメモリ素子の検出されたメモリ電荷レベルがＶＲ１に等しいＶｔを有する第２基準メモリ素子とＶＲ３に等しいＶｔを有する第３基準メモリ素子との内から選択された１つと比較される。 - 特許庁

When writing data to a selected memory cell, the control circuit performs correction writing associated with data writing in accordance with written data in a reference memory cell that is adjacent to the selected memory cell, in which case the data is written to the reference memory cell after data is written to the selected memory cell.例文帳に追加

制御回路は、選択メモリセルへのデータ書き込みに際し、選択メモリセルに隣接し選択メモリセルへのデータ書き込みの後にデータが書き込まれる参照メモリセルの書き込みデータに応じてデータ書き込みに付随する補正書き込みを実行する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device in a reference memory cell system, in which standard electric potential is finely controlled for high accuracy screening.例文帳に追加

基準電位を細かく制御し、高精度のスクリーニングを可能にしたリファレンスメモリセル方式の強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The memory cell 11 includes a resistance change element 13, and a reference memory cell 22 provided in the reading circuit 20 includes a resistance change element 23.例文帳に追加

メモリセル１１は抵抗変化素子１３を含み、読み出し回路２０に備えられた参照メモリセル２２は抵抗変化素子２３を含む。 - 特許庁

For example, in a frame having high significance, prediction efficiency is improved to the maximum by using all the prepared prediction methods and reference memory regions, and in a frame having low significance, the limited prediction methods and reference memory regions are used to simplify coding processing so as to reduce processing amount.例文帳に追加

たとえば、重要度の高いフレームでは用意されたすべての予測方式と参照メモリ領域を用いて最大限予測効率を向上し、重要度の低いフレームでは予測方式や参照メモリ領域を限定して用い、符号化処理を簡素化して処理量を低減する。 - 特許庁

According to at least one embodiment, a method comprises measuring (401) drive current of a reference memory cell (110) of a circuit (101), and determining (402), based on the measured drive current of the reference memory cell, a drive current to be supplied to a calibration memory cell (120) of the circuit to mimic a defective memory cell.例文帳に追加

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、回路(101)の基準メモリセル(110)の駆動電流を測定(401)し、基準メモリセルの測定された駆動電流に基づいて、欠陥メモリセルを模倣するために回路の較正メモリセル(120)に供給されるべき駆動電流を決定する(402)ことを含む。 - 特許庁

The tilt is corrected by driving a liquid crystal device LCD for phase correction by drive data stored in a reference memory 19a.例文帳に追加

参照メモリ１９ａに記憶されている駆動データによって位相補正用の液晶素子ＬＣＤを駆動することでチルト補正を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device having a reference memory cell that generates reference potential with less variation and does not need any refresh operation.例文帳に追加

ばらつきが少ない基準電位を生成し尚且つリフレッシュ動作を必要としない基準メモリセルを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a packet processor capable of non-necessitating queuing processing when updating a reference memory and, at the same time, reducing a capacity of Queue.例文帳に追加

参照用メモリの更新時の待ち合わせ処理を不要にすると共にＱｕｅｕｅの容量を低減できるパケット処理装置を提供する。 - 特許庁

By storing the average value difference in the black reference memory, the storage capacity is reduced compared with when storing the black reference data itself.例文帳に追加

平均値差を黒基準メモリに格納することにより、黒基準データそのものを記憶する場合と比較して記憶容量が低減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the total number of magnetic memory elements equipped to a reference memory cell for generating a reference current.例文帳に追加

基準電流を生成するための基準メモリセルに備えられる磁気メモリ素子の総数を減らすことができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

Common word lines WL1 to WL4 are connected to the memory cells of the strings of the data memory cell block 1 and the reference memory cell block 2.例文帳に追加

データメモリセルブロック１の各ストリングのメモリセルと参照メモリセルブロック２の各ストリングのメモリセルには共通のワード線ＷＬ１〜ＷＬ４を接続する。 - 特許庁

In the inter-frame prediction of a partial image area of a frame section including a partial image, images stored in the long-term reference memory are entirely used as reference images.例文帳に追加

部分画像を含むフレーム区間の部分画像領域のフレーム間予測は、全て、長期間参照メモリに蓄積されている画像を参照画像とする。 - 特許庁

The values of the writing current can be updated with the data from the reference memory cell 160 or the data from writing current values stored in a lookup table.例文帳に追加

書き込み電流の値は、基準メモリセル(160)からのデータ、または、ルックアップテーブルに格納されている書き込み電流値からのデータで更新することができる。 - 特許庁

Thus, bit line currents simultaneously flow in a memory cell array MCA and a reference memory cell array RMCA and a high speed sensing operation is conducted.例文帳に追加

そのため、メモリセルアレイＭＣＡとリファレンスメモリセルアレイＲＭＣＡとにおいて同時にビット線電流が流れ、高速なセンス動作を行なうことが可能となる。 - 特許庁

The reference memory cell 3 for testing includes a reference selection transistor T1r, and a reference cell transistor T2r connected to the reference selection transistor T1r in series.例文帳に追加

試験用基準メモリセル３は、基準選択トランジスタＴ１ｒと、該基準選択トランジスタＴ１ｒに直列接続された基準セルトランジスタＴ２ｒとを有する。 - 特許庁

When testing, a gate voltage of the reference cell transistor T2r is set, and a reference current made to flow through the reference memory cell 3 for testing is adjusted.例文帳に追加

試験時において基準セルトランジスタＴ２ｒのゲート電圧が設定され、試験用基準メモリセル３に流れる基準電流が調節される。 - 特許庁

A MAX extracting part 7, a selector 8 and a reference memory 9 compress the data to supply the one search data to one picture element of the search image data.例文帳に追加

ＭＡＸ抽出部７、セレクタ８、リファレンスメモリ９は、探知画像データの１画素に対して１つの探知データが与えられるようにデータを圧縮する。 - 特許庁