「"single wafer processing"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The reactor has a process chamber well suited to the single wafer processing of semiconductor wafers.例文帳に追加

このリアクタは、半導体ウェハの枚葉処理によく適合した処理チャンバを有する。 - 特許庁

SINGLE-WAFER PROCESSING CLEANING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING PLATE PRODUCT BY USING APPARATUS例文帳に追加

枚葉式洗浄処理装置、及びこれを用いた板状の製品の製造方法 - 特許庁

To provide a single-wafer processing apparatus which allows static electricity charged on a mount to be removed by a simple structure and is superior in maintainability and cost.例文帳に追加

載置台に帯電する静電気を簡単な構造で除電することができ、メンテナンス性およびコスト的に優れた枚葉式処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing wet treating apparatus capable of uniformly treating a central and outer portions of even a large wafer.例文帳に追加

大型のウエハにおいても中心部分と外側部分で均一な処理を行うことが可能な枚葉型のウエット処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide single wafer processing cleaning equipment capable of effectively cleaning an object to be cleaned by preventing incomplete cleaning and drying of the object to be cleaned.例文帳に追加

被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The main body 10 of a semiconductor manufacturing device includes processing chambers 111-113 of, for example, a single wafer processing etching device, and various kinds of gases (GAS) are fed to the chambers 111-113.例文帳に追加

半導体製造装置本体１０は、例えば枚葉式エッチング装置の処理室１１１〜１１３を含み、各種ガス（ＧＡＳ）が投入される。 - 特許庁

Silicon wafers W in which beveling process is finished is transferred one by one to single wafer processing type both sides polishing equipment by a robot hand R.例文帳に追加

面取り工程が終了したシリコンウェーハＷを、ロボットハンドＲにより、枚葉式の両面研磨装置に１枚ずつ移送する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing device capable of performing a high quality treatment even if a treated wafer is of a larger diameter.例文帳に追加

被処理基板が大口径になっても高品質の処理ができる枚葉式基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

The silicon wafer 62 has a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single-wafer processing etching.例文帳に追加

シリコンウェーハ６２は、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。 - 特許庁

To provide a wafer washing method of single wafer processing which can effectively remove a cleaning liquid dropped on the periphery of wafer.例文帳に追加

枚葉式のウエハ洗浄方法であって、ウエハの周辺部に滴下した洗浄液を効果的に除去する。 - 特許庁

To uniformly strip a resist on a wafer surface, while keeping the wafer temp. uniform at a low temp. in a single-wafer processing plasma ashing developing apparatus.例文帳に追加

枚葉式プラズマアッシング現像装置において、低温で均一にウェハ１０の温度を保ちウェハ面のレジストを一様に剥離する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace.例文帳に追加

コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of effectively removing particles or metal contaminants from a surface of a substrate in a short length of time and requiring smaller amounts of etching on the surface of the substrate in cleaning the substrate in a single wafer processing.例文帳に追加

枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment scheduling method for scheduling efficient treatment of all objects to be subjected to single wafer processing in an entire in-line system consisting of a plurality of treatment devices.例文帳に追加

複数の処理装置からなるインライン装置の全体において、枚葉処理される全ての被処理体を効率的に処理するスケジュールを作成する処理スケジュール作成方法を提供すること。 - 特許庁

In the single-wafer processing apparatus, having an electrically insulative mount 3 for mounting a work w in a process chamber 2, the mount 3 has a conductive film 10 on the surface for relieving charged static electricity.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する電気絶縁性の載置台３を備えた枚葉式処理装置において、前記載置台３の表面に、帯電した静電気を逃がすための導電性被膜１０を形成してなる。 - 特許庁

To improve throughput by improving flexibility in layout management of substrates to be treated and transfer efficiency in a single wafer processing system for simultaneously performing a predetermined treatment for a plurality of substrates to be treated in a plurality of processing chambers which are provided in multi stages.例文帳に追加

多段に配置された複数の処理室内で複数の被処理基板に所定の処理を同時に施す枚葉方式において被処理基板配置管理のフレキシビリティや搬送効率を向上させ、スループットの改善をはかること。 - 特許庁

To provide single wafer substrate processing equipment and a method for achieving high efficiency drying when a substrate is processed by single wafer processing while preventing condensation of organic solvent used in dry processing.例文帳に追加

枚葉式で基板を乾燥させる際、乾燥処理に用いる有機溶剤の蒸気の結露を防止しながら高効率な乾燥を実現する枚葉式の基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing lamp heating arrangement with which a temperature of a wafer can correctly be controlled in a temperature region of a wide range from a low temperature region to a high temperature region.例文帳に追加

その目的は、低温領域から高温領域までの広範囲の温度領域で正確にウェーハの温度を制御することができる枚葉式ランプ加熱装置を得る。 - 特許庁

The single wafer processing etching device 10 is constituted so as to apply etching on the upper surface 11a of the wafer 11 by supplying etching solution 14 onto the upper surface 11a of the wafer 11, while turning the wafer 11.例文帳に追加

枚葉式エッチング装置１０は、ウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１４を供給してウェーハ１１の上面１１ａをエッチングするように構成される。 - 特許庁

To provide a single-wafer processing apparatus which is capable of enhancing the uniformity of processing within a wafer surface by keeping the uniformity of the temperature distribution high within a surface of a loading table.例文帳に追加

載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single wafer processing device capable of elevating a processing performance of the wafer to be processed by minimizing a liquid spatter from the vicinity of a sandwiching member of the wafer to be processed and providing a high quality processing.例文帳に追加

被処理基板を挟持部材付近からの液跳ねを最少にして被処理基板の処理能力を上げると共に、高品質の処理ができる枚葉式基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate support unit for supporting semiconductor substrates in a single wafer processing system, and to provide a substrate polishing apparatus using the substrate support unit to polish and clean substrates.例文帳に追加

半導体基板を枚葉処理方式に支持する基板支持ユニットと、これを利用して基板を研磨、及び洗浄する基板研磨装置を提供する。 - 特許庁

In a single-wafer processing apparatus 1, provided with a placing table 3 for placing the work W in a processing chamber 2, a plurality of grooves 30 are formed on the upper surface of the placing table 3, and a plurality of vents 31 piercing the placing table 3 so as to communicate with the grooves 30 are provided.例文帳に追加

処理容器２内に被処理体ｗを載置する載置台３を備えた枚葉式処理装置１において、前記載置台３の上面に複数の溝３０を形成すると共に、その溝３０と連通して載置台３を貫通する複数の通気孔３１を設けている。 - 特許庁

To provide a coating film forming device and a curing apparatus which can highly controllably heat substrates which carry coating films formed on the surfaces of the substrates by performing single wafer processing using a hot plate, while the oxidation problem of the coating films is dissolved effectively at when curing the coating films.例文帳に追加

塗布膜を形成した基板に、硬化処理を施す際に、塗布膜の酸化の問題を有効に解消しつつ、ホットプレートを用いた枚葉処理により制御性良く基板の加熱を行うことができる塗布膜形成装置および硬化処理装置を提供すること。 - 特許庁

The SOI wafer is obtained by using the silicon wafer having a cup-like warpage where the central part of a thin disc wafer is recessed by single wafer processing etching as a supporting substrate, as well as the recessed-surface side of the silicon wafer as the main surface of a laminating surface.例文帳に追加

ＳＯＩウェーハは、薄円板状のウェーハを枚葉式エッチングにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたシリコンウェーハを支持基板とし、シリコンウェーハの凹部面側を貼り合わせ面の主面とすることにより得る。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加

加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁