「あいひこ」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

ナビゲーション装置及びＰＯＩアイコン表示方法例文帳に追加

NAVIGATION SYSTEM AND POI-ICON DISPLAY METHOD - 特許庁

ＰＯＩアイコン表示方法及びナビゲーション装置例文帳に追加

DISPLAY METHOD OF POI ICON AND NAVIGATION SYSTEM - 特許庁

ＳｉとＳｉＧのエッチング時の選択比を向上させる。例文帳に追加

To improve a selection ratio in etching Si and SiG. - 特許庁

非硬質（ｎｏｎｒｉｇｉｄ）の熱可塑性成型組成物例文帳に追加

NONRIGID THERMOPLASTIC MOLDING COMPOSITION - 特許庁

同時に、アイコン群ＩＣ12も画面に表示される。例文帳に追加

Simultaneously an icon group IC12 is also displayed on the screen. - 特許庁

同時に、アイコン群ＩＣ01も画面に表示される。例文帳に追加

Simultaneously an icon group IC01 is also displayed on the screen. - 特許庁

非接触ＩＣチップのＩＤ情報の有効利用。例文帳に追加

To make effective use of the ID information of a noncontact IC chip. - 特許庁

第ＶＩＩＩ因子インヒビター抗体の阻害活性を中和する抗−イディオタイプ抗体例文帳に追加

ANTI-IDIOTYPE ANTIBODY NEUTRALIZING INHIBITOR ACTIVITY OF FACTOR VIII INHIBITOR ANTIBODY - 特許庁

ウルツ鉱型ＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜結晶の製造法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING WURTZITE TYPE GROUP III-V NITRIDE THIN FILM CRYSTAL - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶構造及びその製造方法例文帳に追加

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

埋め込み山型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体レーザダイオード例文帳に追加

EMBEDDED ANGLE II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER DIODE - 特許庁

形態ＩＩＩの抗ヒスタミン性ピペリジン誘導体およびその製造方法例文帳に追加

FORM III ANTIHISTAMINIC PIPERIDINE DERIVATIVE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体構造に対する拡散障壁スパイク例文帳に追加

DIFFUSION BARRIER SPIKES FOR III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法例文帳に追加

III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURE - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法例文帳に追加

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の層構造体、その製造方法例文帳に追加

LAYER STRUCTURE OF GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法例文帳に追加

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ウルツ鉱型ＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜とその製造法例文帳に追加

WURTZITE-TYPE GROUP III-V NITRIDE THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

端面劣化低減構造を備えたＩＩ−ＶＩレーザダイオード例文帳に追加

II-VI LASER DIODE WITH FACET DEGRADATION REDUCTION STRUCTURE - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体ゲート構造およびその製造方法例文帳に追加

III-V SEMICONDUCTOR GATE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

ヒト血液凝固第ＸＩＩＩ因子の安定化された水性液製剤例文帳に追加

STABILIZED WATER-BASED LIQUID FORMULATION OF HUMAN BLOOD COAGULATION XIII FACTOR - 特許庁

熱クロストークが減少したデュアルＩＩＩ−Ｖ窒化物レーザ構造例文帳に追加

DUAL III-V NITRIDE LASER STRUCTURE IN WHICH THERMAL CROSSTALK IS REDUCED - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を利用した電界効果トランジスタ例文帳に追加

FIELD EFFECT TRANSISTOR UTILIZING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体発光素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FABRICATING III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE - 特許庁

ＳＯＩ層の拡がり抵抗測定方法、ＳＯＩチップおよびＳＯＩ基板例文帳に追加

METHOD OF MEASURING SPREADING RESISTANCE OF SOI LAYER, SOI CHIP, AND SOI SUBSTRATE - 特許庁

原子機能（ＡＴＯＭＩＣ−ＦＵＮＣＴＩＯＮＩＮＧ）装置を較正する方法例文帳に追加

METHOD FOR CALIBRATING ATOMIC FUNCTIONING APPARATUS - 特許庁

一般式Ｉ−Ｏ_１＋ｎ−ＳｉＲ^１_２−ｎ−ＣＨ_２−Ｙ （Ｉ）で示される基を有する金属酸化物を、表面上にＯＨ基を有する固体を一般式ＩＩＲＯ_１＋ｎ−ＳｉＲ^１_２−ｎ−ＣＨ_２−Ｙ （ＩＩ）で示されるシランと反応させることによって、製造する。例文帳に追加

A metal oxide having a group expressed by the formula I O_1+n-SiR^1_2-n-CH_2-Y is manufactured by reacting a solid having OH groups on its surface with a silane of the formula II R-O_1+n-SiR^1_2-n-CH_2-Y. - 特許庁

動画アイコンＩの各コマｉa〜ｉjの全てを順次表示すると、この動画アイコンＩの繰り返し動作パターンが一巡する。例文帳に追加

When sequentially displaying all the frames ia-ij of the moving image icon I, a repetition operation pattern of the moving image icon I makes a circuit. - 特許庁

ここで、ＲＦＩＤは、外部との間で非接触通信を行なう。例文帳に追加

A RFID performs non-contact communication with the exterior. - 特許庁

Ｘ線粉末回折パターン、熱特性、および製造の方法によってＩ型（−）−シス−ＦＴＣと区別することができ、ここでは非晶質（−）−ＦＴＣおよびＩＩおよびＩＩＩ型（−）−シス−ＦＴＣ）と呼ばれる（−）−シス−ＦＴＣの固相を提供する。例文帳に追加

A solid phase of amorphous (-)-FTC and (-)-cis-FTC called II and III(-)-cis-FTC which is distinguishable from I(-)-cis-FTC by its powder X-ray diffraction pattern, heat characteristic and production methods is provided. - 特許庁

化合物（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＶ）とを非酸性条件下で反応させることを含む（ＩＩＩ）、（Ｖ）の製造方法。例文帳に追加

The production method of compounds (III) or (V) represented by general formulae (III) or (V), respectively, comprises causing a compound represented by general formula (I) to react with compounds (II) or (IV) represented by general formulae (II) or (IV), respectively, under a non-acidic condition. - 特許庁

式（Ｉ）〜（ＩＩ）の化合物およびＲ^４−ＣＨＯ（ＩＩＩ）の化合物を反応させることを特徴とする、式（ＩＶ）の化合物の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a compound represented by formula (IV) comprises reacting a compound represented by formula (I) with a compound represented by general formula (II) and a compound represented by formula (III): R^4-CHO. - 特許庁

プロセッサ１２−ｉは、デバッグ対象プログラム１３−ｉを実行する場合にはレジスタ１６−ｉに“０”を書き込み、デバッグ制御プログラム１４−ｉの実行が終了した場合にはレジスタ１６−ｉに“１”を書き込む。例文帳に追加

A processor 12-i writes "0" in a register 16-i when executing a program to be debugged 13-i, and writes "1" in the register 16-i when the execution of a debug control program 14-i ends. - 特許庁

この引数が用いられた場合にはobjfileに指定できる引数はひとつだけである。例文帳に追加

When this argument is used, only one objfile argument may be specified.  - JM

光アイソレータのコスト、ひいては光モジュールのコストを抑制する。例文帳に追加

To hold down the cost of an optical isolator and the cost of an optical module. - 特許庁

さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。例文帳に追加

Furthermore, preferably this has an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni layer, and an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer. - 特許庁

さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。例文帳に追加

Further, it is preferable to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu-Ni diffusion layer, and to have an Fe-Ni layer or an Fe-Cu-Ni layer in the middle of the cold rolled steel sheet and the Cu layer. - 特許庁

選択的ＩＦＮ−γ経路インヒビターとしてのヒト抗ＩＦＮ−γ中和抗体例文帳に追加

HUMAN ANTI-IFN-γ NEUTRALIZING ANTIBODY AS SELECTIVE IFN-γ PATHWAY INHIBITOR - 特許庁

開梱確認用の非接触ＩＣタグ及び非接触ＩＣタグを用いた開梱確認方法例文帳に追加

NONCONTACT IC TAG FOR CHECKING UNPACKING AND METHOD FOR CHECKING UNPACKING USING NONCONTACT IC TAG - 特許庁

人がいる場合に可視光通信を行い、人がいない場合に可視光通信を行わない。例文帳に追加

To perform visible light communication when there is a person, and do not carry out visible light communication when there is no person. - 特許庁

ＲＺ−ＡＭＩ光送信機及びこれを利用したＲＺ−ＡＭＩ光信号の生成方法例文帳に追加

RZ-AMI OPTICAL TRANSMITTER AND METHOD FOR GENERATING RZ-AMI OPTICAL SIGNAL USING THE SAME - 特許庁

開梱確認用の非接触ＩＣタグ及び非接触ＩＣタグを用いた開梱確認方法例文帳に追加

NON-CONTACT IC TAG FOR UNPACKING CONFIRMATION AND UNPACKING CONFIRMATION METHOD USING NON-CONTACT IC TAG - 特許庁

比較広告が承認されている場合は，比較広告における商標例文帳に追加

The mark in comparative advertising where such advertising is permitted - 特許庁

ＧＰＩＩｂ−ＩＩＩａをコードしている核酸で許容性の宿主細胞を形質転換し、この宿主細胞をＧＰＩＩｂ−ＩＩＩａが細胞膜に蓄積されるまで培養する。例文帳に追加

A tolerant host cell is transformed with a nucleic acid encoding GPIIb-IIIa and the host cell is then cultured until the GPIIb-IIIa is accumulated in a cell membrane. - 特許庁