「いちえ」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

出力したレーザー光１０ａａ〜１０ｆｆは結像レンズ１１ａ〜１１ｆに送られる。例文帳に追加

The outputted laser beams 10aa to 10ff are sent to image forming lenses 11a to 11f. - 特許庁

（式中、Ｒ^1は、水素原子、−ＣＨ_2ＣＨ_2ＣＯＯＣ_12Ｈ_25、又は−ＣＨ_2ＣＨ_2ＣＯＯＣ_14Ｈ_29である。）例文帳に追加

In the formula, R^1 represents a hydrogen atom, -CH_2CH_2COOC_12H_25 or -CH_2CH_2COOC_14H_29. - 特許庁

式(2)のＲ_3はＣＨ_3、Ｃ_2Ｈ_6またはＣ_3Ｈ_8、Ｒ_4はＨまたはＣＨ_3、ｍは３〜１２の自然数。例文帳に追加

In the formula (2), R_3 is for CH_3, C_2H_6 or C_3H_8, R_4 for H or CH_3 and m for a natural number of 3-12. - 特許庁

第２のＡｌＮ層１１１ａに対する第２のＡｌＮ層１１１ａの厚さの比は４〜５である。例文帳に追加

The ratio of the thickness of the second GaN layer 111a to that of the second AlN layer 111a is 4 to 5. - 特許庁

エンジン制御装置１０は、ＣＰＵ１１、ＲＯＭ１２、ＲＡＭ１３、Ｉ／Ｏ１４等を備える。例文帳に追加

An engine control device 10 comprises CPU 11, ROM 12, RAM 13, I/O 14 and the like. - 特許庁

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。例文帳に追加

The GaN layer 17 is grown on a principal surface 11b of the GaN wafer 11. - 特許庁

また例えば、基準クロック周波数は１４．３１８１８ＭＨｚあるいは１３．５ＭＨｚである。例文帳に追加

Further, a reference clock frequency is, for example, 14.31818 MHz or 13.5 MHz. - 特許庁

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。例文帳に追加

The GaN layer 17 is grown on a major surface 11b of the GaN wafer 11. - 特許庁

マーク本体１１Ａ１は、円弧部分１１Ａ２と、円弧部分１１Ａ２の両端部から延びる一対の直線部１１Ａ３とを備えている。例文帳に追加

Each mark body 11A1 has an arc part 11A2 and a couple of linear parts 11A3 extending from both ends of the arc part 11A2. - 特許庁

ＨＯＯＣ−（ＣＨ_2）_l−（Ｓ）_m−（ＣＨ_2）_n−ＣＯＯＨ・・・一般式（１）〔式中、ｍは１または２を、ｌおよびｎは１〜１１の整数を示す〕例文帳に追加

In general formula (1), m represents 1 or 2, and l and n each represent an integer of 1-11. - 特許庁

電流狭窄層１６は、Ｉｎ_ｘ１Ａｌ_ｙ１Ｇａ_１−ｘ１−ｙ１Ｎ（０≦ｘ１≦０．５，０．５≦ｙ１≦１）からなる。例文帳に追加

The current constricting layer 16 is made of In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N(0≤x1≤0.5, 0.5≤y1≤1). - 特許庁

波長可変レーザ装置１０は、ＰＬＣ１１とＳＯＡ１２とを備えている。例文帳に追加

The wavelength tunable laser apparatus 10 includes a PLC 11 and a SOA 12. - 特許庁

Ｈｓ ＞ Ｈｃ ＞ Ｈｍ （１）包囲層６の基材は、アイオノマー樹脂である。例文帳に追加

The base material of the envelope layer 6 is ionomer resin. - 特許庁

Ｈｓ ≧ Ｈｍ ≧ Ｈｃ （１）包囲層６の基材は、アイオノマー樹脂である。例文帳に追加

Hs≥Hm≥Hc (1) The base material of the envelope layer 6 is ionomer resin. - 特許庁

（１） ４．１＜ｆ_1 ／｜ｆ_2 ｜＜５．０ （２） ０．０７＜｜ｆ_2 ｜／ｆ_T ＜０．１６ （３） ０．１＜Ｄ_4 ／ｈ＜０．７例文帳に追加

(2) 0.07<&verbar;f2&verbar;/fT<0.16, and (3) 0.1<D4/h<0.7. - 特許庁

化学式（１） Ｉ−（ＣＸ_2）_n−Ｉ，Ｘ＝Ｈ又はＦ，ｎ＝１〜１０例文帳に追加

Here, the chemical formula (1) is I-(CX_2)_n-I, X=H or F, and n=1 to 10. - 特許庁

ＲＣ（＝Ｓ）ＮＨ_２ （１） 〔式中ＲはＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５のいずれかを示す。例文帳に追加

(In the formula, R is CH_3 or C_2H_5). - 特許庁

硬度Ｈｓ、硬度Ｈｍ及び硬度Ｈｃは、下記数式（１）を満たす。例文帳に追加

The hardness Hs, the hardness Hm, and the hardness Hc satisfy the following formula (1). - 特許庁

考えさせてください相手の立場に関係なく使える【通常の表現】 例文帳に追加

Let me think about it.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

考えさせてください「それについて（私は）考えなければいけません」【通常の表現】 例文帳に追加

I'm going to have to think about it.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

考えさせてください「考える時間を下さい」とお願いをする【やや丁寧な表現】 例文帳に追加

Please give some time to think about it.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

考えさせてください一晩、また数日考える時間が必要な場合に使う【ややカジュアルな表現】 例文帳に追加

Let me sleep over it.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

考えさせてください「まず頭に（その情報を）しみ込ませる必要がある」という言い回しで、すぐには返事ができない旨を伝える場合【ややカジュアルな表現】 例文帳に追加

I need let it sink in my head first.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

考えさせてください相手の提案などをゆっくりと考えさせてもらいたい場合【通常の表現】 例文帳に追加

Let me think about it.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

考えさせてくださいかなり難しいことを考え込む場合【ややカジュアルな表現】 例文帳に追加

Let me try and figure this out.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

考えさせてくださいゆっくりと考えて、決めたらまた連絡する、という場合【通常の表現】 例文帳に追加

I'll get back to you.  - 場面別・シーン別英語表現辞典

（ＮＨ_２）_２ＣＯ＋２Ｈ_２Ｏ＋ＳＯ_３→（ＮＨ_４）_２ＳＯ_４＋ＣＯ_２ （４）例文帳に追加

(NH2)2CO+2H2O+SO3→(NH4)2SO4+CO2 (4). - 特許庁

Ｌｉ_１＋ｘＭ（Ｉ）_ｘＭ（ＩＩ）_２−ｘＳｉ_ｙＰ_３−ｙＯ_１２・・・（１）例文帳に追加

Li_1+xM(I)_xM(II)_2-xSi_yP_3-yO_12...(1) - 特許庁

また、Ｎｉ：３０〜５２ｍａｓｓ％、Ｃｏ：１〜２０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．０１〜０．１ｍａｓｓ％、Ｓ：１０〜２０ｍａｓｓ ｐｐｍを含有する。例文帳に追加

Alternatively, the thin sheet includes 30-52 mass% Ni, 1-20 mass% Co, 0.01-0.1 mass% Cu, and 10-20 mass ppm S. - 特許庁

Ｌｉ_xＭ１_yＯ_2 （１） Ｌｉ_zＭ２_2wＯ_4 （２） Ｌｉ_sＭ３_tＰＯ_4 （３）例文帳に追加

Li_xM1_yO_2 (1), Li_zM2_2wO_4 (2), Li_sM3_tPO_4 (3). - 特許庁

０．３ ＜ ｆ１／Ｆ ＜ ０．７ −４ ＜ ｆ２／Ｆ ＜ −１．６ ２ ＜ ｆ３／Ｆ ＜ ５例文帳に追加

-4<f2/F<-1.6, and 2<f3/F<5. - 特許庁

演算部１３は所定値ｍ・ｆ_T／ｎ（＝ｆ_m10）を得る。例文帳に追加

The arithmetic section 13 obtains a prescribed value m×f_T/n(=f_m10). - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ単結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING AlxGa1-xN SINGLE CRYSTAL - 特許庁

ＨＭＤＳ処理方法およびＨＭＤＳ処理装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR HMDS PROCESSING - 特許庁

ＡｌｘＧａ１−ｘＮ結晶の成長方法例文帳に追加

METHOD OF GROWING AlxGal-xN CRYSTAL - 特許庁

ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１と、ＧａＮ基板１１の上にエピタキシャル成長されたＧａＮ層１３とを備えている。例文帳に追加

An SBD 10 has a GaN substrate 11, and a GaN layer 13 epitaxially grown on the GaN substrate 11. - 特許庁

例えば漂流棹Ｆａの時刻ｔ１における位置Ｐ１（Ｘ１、Ｙ１、ｔ１）、・・・時刻ｔｎにおける位置Ｐｎ（Ｘｎ、Ｙｎ、ｔｎ）を求める。例文帳に追加

The locations P1 (x1, y1, t1) at a time t1 to the locations Pn (xn, yn, tn) at a time tn of the drifting pole Fa are, for example, obtained. - 特許庁

また、パルス磁場のパルス周波数Ｎを、１Ｈｚ≦Ｎ≦１００Ｈｚ、望ましくは、５Ｈｚ≦Ｎ≦６０Ｈｚ、例えば、Ｎ＝２０Ｈｚに設定した。例文帳に追加

The pulse frequency N of the pulse magnetic field is regulated so as to satisfy the formulas: 1 Hz≤N≤100 Hz, preferably 5 Hz≤N≤60 Hz, for example, N=20 Hz. - 特許庁

視覚誘発電位信号検出システムは、複数の光源１１_ＣＨ１，１１_ＣＨ２，１１_ＣＨ３，１１_ＣＨ４，１１_ＣＨ５，１１_ＣＨ６が配設された観測対象物１０と、光源１１_ＣＨｎを視認する観測者ＯＢの脳波信号を処理する信号処理部２０とを備える。例文帳に追加

This visual evoked potential signal detection system includes an observation object 10 disposed with a plurality of light sources 11_CH1, 11_CH2, 11_CH3, 11_CH4, 11_CH5 and 11_CH6, and a signal processing section 20 for processing brain wave signals of the observer OB viewing the light sources 11_CHn. - 特許庁

各メディアレスカメラ１１０，１２０は、夫々、認証部１１１，１２１、第１通信部１１２，１２２、及び第２通信部１１３，１２３を備える。例文帳に追加

The media-less cameras 110, 120 includes authentication units 111, 121, first communication units 112, 122, and second communication units 113, 123, respectively. - 特許庁

磁気検出部１は、励磁用コイル１１ｄと、検出用コイル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ、１１ｅ，１１ｆ，１１ｇとを有する。例文帳に追加

The magnetic detecting part 1 is provided with an excitation coil 11d, and detecting coils 11a, 11b, 11c, 11e, 11f, 11g. - 特許庁

ネットワーク１０１，１０２，１０３のそれぞれには、辞書データ１２１，１２２，１２３を備えるサーバ１１１，１１２，１１３が接続されている。例文帳に追加

Networks 101, 102 and 103 are respectively connected to servers 111, 112 and 113 provided with dictionary data 121, 122 and 123. - 特許庁

本発明のＡｌＧａＡｓ基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層（０≦ｘ≦１）と、裏面１１ｂに形成されたＧａＡｓ基板１３とを備える。例文帳に追加

An AlGaAs substrate 10 according to the present invention includes: an Al_xGa_(1-x)As layer (0≤x≤1) having a main surface 11a and a rear face 11b on the opposite side of the main surface 11a; and a GaAs substrate 13 formed on the rear face 11b. - 特許庁

−Ｓ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＯＯＨ （Ｉ） （式（Ｉ）中、ｎは１又は２である。） −Ｓ−Ｓ−ＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＯＯＨ （II） −Ｓ−Ｓ−ＣＨ（ＣＯＯＨ）−ＣＨ_２−ＣＯＯＨ （III）例文帳に追加

In the formula (I), n is 1 or 2. - 特許庁

(化１) ＨＯ(ＣＨ_２ＣＲＨＯ)_m−(ＣＨ_２ＣＲＨＯ)_n−(ＣＨ_２ＣＲＨＯ)_LＨ (a) (Ｒは水素又はメチル基を示す) Ｒ_１Ｏ(ＣＨ_２ＣＲＨＯ)_ｎＨ (b) (Ｒ_１はアルキル基、Ｒは水素又はメチル基を示す)例文帳に追加

Then, the formulas (a) and (b) are respectively HO(CH_2CRHO)_m-(CH_2CRHO)_n-(CH_2CRHO)_LH (wherein R represents hydrogen or a methyl group), and R_1O(CH_2CRHO)_nH (wherein R_1 represents an alkyl group, and R hydrogen or a methyl group). - 特許庁