| 例文 (999件) |
いちえの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
ＥＳＬシステム１０は、複数のＥＳＬ１４ａ，１４ｂと、ＥＳＬサーバー１１とを備えている。例文帳に追加
An ESL system 10 has multiple ESL(electric shelf label) 14a, 14b and an ESL server 11. - 特許庁
ＳＢＤ１０は、ＧａＮ基板１１の上にエピタキシャル成長されたＧａＮ層１３を備えている。例文帳に追加
An SBD 10 has a GaN layer 13 grown epitaxially on a GaN substrate 11. - 特許庁
システムＬＳＩ１００は、複数のＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆを備える。例文帳に追加
A system LSI 100 is provided with a plurality of MRAM circuit blocks 110a-110f. - 特許庁
百七十六 一・一―ジクロロ―一―フルオロエタン（別名ＨＣＦＣ―一四一ｂ）例文帳に追加
(clxxvi) 1,1-dichloro-1-fluoroethane; HCFC-141b - 日本法令外国語訳データベースシステム
パネル区域１１０は、近位縁１１０Ａ及び遠位縁１１０Ｂを有する。例文帳に追加
The panel region 110 has a proximal edge 110A and a distal edge 110B. - 特許庁
（ｎは１〜３、ａ１、ｂ１は０＜ａ１＜１．０、０＜ｂ１≦０．８。）例文帳に追加
In the formulas, n is 1-3; a1 and b1 satisfy the relations of 0<a1<1.0, and 0<b1≤0.8. - 特許庁
陰極構体１１は熱陰極部１１ａとヒータ部１１ｂを備える。例文帳に追加
The cathode structure 11 has a hot cathode part 11a and a heater part 11b. - 特許庁
計算機１０４は、インターネット１０１及びＳＡＮ１１１と接続する。例文帳に追加
A computer 104 is connected to the Internet 101 and a SAN 111. - 特許庁
ＳＷ１１０は、複数の信号それぞれに含まれる信号ライン信号ラインｓ１１１−１〜ｓ１１１−４、信号ラインｓ１１６−１〜ｓ１１６−８のうち、信号ラインｓ１１１−１〜ｓ１１１−４、信号ラインｓ１１６−１〜ｓ１１６−４を、選択的に制御部１０３に接続する。例文帳に追加
The SW 110 selectively connects signal lines s111-1 to s111-4 or signal lines s116-1 to s116-4 in the signal lines s111-1 to s111-4 and signal lines s116-1 to s116-8 included in the plurality of signals to the control part 103. - 特許庁
材料（Ｂ１）を載せるための受台（１２）と、前記受台（１２）を分割して棚部（１１Ａ、１１Ｂ，１１Ｃ、１１Ｄ）を構成する仕切り（１３ａ１、１３ａ２、１３ｂ１、１３ｂ２、１３ｃ１、１３ｃ２、１３ｄ１、１３ｄ２）とを備える。例文帳に追加
The material rack has a cradle 12 for mounting a material B1, and partitions 13a1, 13a2, 13b1, 13b2, 13c1, 13c2, 13d1, and 13d2 for forming rack sections 11A, 11B, 11C, and 11D by partitioning the cradle 12. - 特許庁
０．５０＜ｆ１／ｆ＜１．５ （１） ０．５０＜Σｄ／ｆ＜１．５ （２）例文帳に追加
The expression (1) is 0.50<f1/f<1.5 and the expression (2) is 0.50<Σd/f<1.5. - 特許庁
電極１２〜１ｎ−１は、電極１１と電極１ｎとの間に配置される。例文帳に追加
Electrodes 12 to 1n-1 are arranged between the electrodes 11 and 1n. - 特許庁
１／１６≦Ｗｆ／Ｐｃ＜１／６ （１） ５／１６≦Ｈｃ／Ｐｃ≦１／２ （２）例文帳に追加
Expression (1): 1/16≤Wf/Pc <1/6, and Expression (2): 5/16≤Hc/Pc≤1/2. - 特許庁
昇降足場１１０は、足場板１１１を囲む柵１１３を備えている。例文帳に追加
The elevation scaffold 110 includes a fence 113 surrounding a scaffold board 111. - 特許庁
通信装置１１０は、送信部１１１と、制御部１１３と、を備えている。例文帳に追加
A communication device 110 has a transmitter 111 and a controller 113. - 特許庁
車載装置１１０は、判定部１１１と、制御部１１２と、を備えている。例文帳に追加
The in-vehicle device 110 includes a determination part 111 and a control part 112. - 特許庁
ＬｉＣ_ｎ’Ｆ_２ｎ’＋１Ｘ （３ａ）Ｌｉ（Ｃ_ｎ’Ｆ_２ｎ’＋１Ｙ）_２Ｎ （３ｂ）例文帳に追加
LiC_n'F_2n'+1X (3a), Li(C_n'F_2n'+1Y)_2N (3b). - 特許庁
Ｍｉｎ２＜Ｍａｘ１かつＭｉｎ２≦Ｍａｘ３≦Ｍａｘ１の関係を有する。例文帳に追加
These values Max1, Min2 and Max3 have relations of Min2<Max1 and Min2≤Max3≤Max1. - 特許庁
情報記録再生装置は、３種の信号品質算出手段（ＳＡＭ演算器１１０、ＰＳＡＭ演算器１１１、ＭＳＡＭ演算器１１２）を有する。例文帳に追加
The information recording/reproduction apparatus includes three types of signal quality calculation means (SAM calculator 110, PSAM calculator 111, and MSAM calculator 112). - 特許庁
（式中Ｒ_1はＮＨ_2又はＮＨＣ_nＨ_2n+1、Ｒ_2はＨ又はＣＯＮＨＣ_nＨ_2n+1、Ｒ_3、Ｒ_4、Ｒ_5はＨ又はＣ_nＨ_2n+1である）例文帳に追加
In the formula (1), R_1 represents NH_2 or NHC_nH_2n+1; R_2 represents H or CONHC_nH_2n+1; and each of R_3, R_4 and R_5 represents H or C_nH_2n+1. - 特許庁
ＬｉＡｌＨ_x(ＮＨ_2)_4-x（ｘ＝０又は１）と、ＬｉＡｌＨ_4とを含む水素化物複合体。例文帳に追加
The hydride composite comprises LiAlH_x(NH_2)_4-x (wherein x=0 or 1) and LiAlH_4. - 特許庁
ウサギヒアルロン酸（ＨＡ）合成酵素（ＨＡＳ）、ＨＡＳ２およびＨＡＳ３遺伝子例文帳に追加
RABBIT HYALURONIC ACID(HA) SYNTHETASE(HAS), HAS2 AND HAS3 GENE - 特許庁
エピタキシャルウエハＥ２は、ＧａＮウエハ１１と、Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ（０＜Ｘ１＜１、０≦Ｘ２＜１、０＜Ｘ１＋Ｘ２＜１）緩衝層１３とを備える。例文帳に追加
An epitaxial wafer E2 includes a GaN wafer 11 and an In_X1Al_X2Ga_1-X1-X2N (0<X1<1, 0≤X2<1, 0<X1+X2<1) buffer layer 13. - 特許庁
そして、Ｌ１／Ｌ２≧１の場合には（１／３）・（Ｌ１／Ｌ２）≦Ｓ２／Ｓ１≦１を、Ｌ１／Ｌ２≦１の場合には１≦Ｓ２／Ｓ１≦３（Ｌ１／Ｌ２）を満足するように距離Ｌ１、Ｌ２、配線断面積Ｓ１およびＳ２を設定する。例文帳に追加
In this case, the distances L1, L2 and the sectional areas of the wirings S1, S2 are set so as to satisfy (1/3)×(L1/L2)≤S2/S1≤1 when L1/L2≥1 or satisfy 1≤S2/S1≤3(L1/L2) when L1/L2≤1. - 特許庁
またＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ基板１０ａは、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の裏面１１ｂに接するＧａＡｓ基板１３をさらに備えている。例文帳に追加
The Al_xGa_(1-x)As substrate 10a may additionally comprise a GaAs substrate 13 which is arranged adjacent to the rear surface 11b of the Al_xGa_(1-x)As layer 11. - 特許庁
ＳＡＲ１１は、入力端子１１６と、参照端子１１７と、第１キャパシタセット１１１ａと、第２キャパシタセット１１１ｂと、ダミーキャパシタと、比較器１１２と、スイッチ１１４と、ＳＡＲＬ１１３を備える。例文帳に追加
An SAR11 includes an input terminal 116, a reference terminal 117, a first capacitor set 111a, a second capacitor set 111b, a dummy capacitor, a comparator 112, a switch 114, and an SARL113. - 特許庁
一人前に成長する例文帳に追加
to succeed in life - EDR日英対訳辞書
ｎ_１は０又は１。例文帳に追加
n_1 represents 0 or 1. - 特許庁
光１＋１切替装置例文帳に追加
OPTICAL 1+1 CHANGEOVER DEVICE - 特許庁
磁気検出素子Ｑ１,Ｑ２は、異なる高さ位置Ｈ１,Ｈ２に設置される（Ｈ１＜Ｈ２）。例文帳に追加
The magnetic detection elements Q1, Q2 are placed at different height positions H1, H2 (H1<H2). - 特許庁
キーボード１１は、アルファベット入力用のキー１１１ａ〜１１１ｈを備える。例文帳に追加
The keyboard 11 is provided with keys 111a to 111h for entering alphabets. - 特許庁
撮影装置１００は、撮影部１１１と画像処理部１１２と動画出力部１１３とを備える。例文帳に追加
The imaging device 100 includes an imaging part 111, an image processing part 112 and a video output part 113. - 特許庁
ＩＬ−１１組成物例文帳に追加
COMPOSITION OF IL-11 - 特許庁
ＡＰ１００ａ、ＡＰ１００ｂ、ＭＴ１０１ａ、１０１ｃは、ＭＴ１０１ｂのアクセス制限を解除する。例文帳に追加
The AP100a, AP100b, MT101a, MT101c cancel the access to the MT101c. - 特許庁
Ｈ鋼の位置決め装置例文帳に追加
POSITIONING DEVICE OF H-SHAPE STEEL - 特許庁
定着ロール６１１は、本体部６１１ａと、断熱層６１１ｂと、ヒータ６１１ｃとを備えている。例文帳に追加
A fixing roll 611 is provided with its body part 611a, a heat insulating layer 611b and a heater 611c. - 特許庁
第１エンドキャップは、一対の電気端子１１２ａ，１１２ｂと第１絶縁部１１１とを有する。例文帳に追加
The first end cap has a pair of electric terminals 112a, 112b and a first insulating part 111. - 特許庁
第１レンズ素子１１は、第１面Ｓ_１１と、凸状の第２面Ｓ_１２と、外周面１１ａとを有する。例文帳に追加
The lens element 11 has a first surface S_11, convex second substrate S_12, and an outer peripheral surface 11a. - 特許庁
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 | Copyright (C) 1994- Nichigai Associates, Inc., All rights reserved. 「斎藤和英大辞典」斎藤秀三郎著、日外アソシエーツ辞書編集部編 |
 | Copyright © National Institute of Information and Communications Technology. All Rights Reserved. |
 | ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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