「いちえ」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

アンテナ素子１０１ａ，１０１ｂ…１０１ｎはアダプティブアレイアンテナである。例文帳に追加

Antenna elements 101a, 101b,..., 101n configure an adaptive array antenna. - 特許庁

フランジ１２ａ，１２ｂは、支持軸１１ａ，１１ｂに対し偏心している。例文帳に追加

The flanges 12a, 12b are eccentric from the support shafts 11a, 11b. - 特許庁

第１歯止め装置１は、車輪止め１１と第１アーム１２を備える。例文帳に追加

The first locking device 1 is provided with the wheel stopper 11 and a first arm 12. - 特許庁

入力装置は、センサ１１１_1〜１１１_nを有するセンサ部を備える。例文帳に追加

An input device is provided with a sensor part having sensors 111_1 to 111_n. - 特許庁

第１層間絶縁膜１１３は、絶縁基板１０１の上方に位置している。例文帳に追加

The first interlayer dielectric 113 is positioned above the insulating substrate 101. - 特許庁

ロータ軸１１には、上ホゾ１１ａと下ホゾ１１ｂが形成されている。例文帳に追加

The rotor shaft 11 includes an upper tenon 11a and lower tenon 11b. - 特許庁

光モジュール１１５は、容器１１７と、ベース１１９とを備える。例文帳に追加

The optical module 115 is provided with a vessel 117 and a base 119. - 特許庁

リモコン５１Ａ〜５１Ｃも、前記スイッチ１１Ａ〜１１Ｃと同じ働きをする。例文帳に追加

Remote controllers 51A-51C also functions in the same way as the switches 11A-11C. - 特許庁

III窒化物系ヘテロ接合トランジスタ１１ａでは、第２のＡｌ_Ｙ１Ｉｎ_Ｙ２Ｇａ_１−Ｙ１−Ｙ２Ｎ層１５は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ層１３ａとヘテロ接合２１を成す。例文帳に追加

In a group III nitride heterojunction transistor 11a, a second Al_Y1In_Y2Ga_1-Y1-Y2N layer 15 forms a heterojunction 21 with a first Al_X1In_X2Ga_1-X1-X2N layer 13a. - 特許庁

シール機構１１１、１１２における樹脂部材１１１ａ、１１２ａの中空部内に金属製リング１１１ｆ、１１２ｆを配置し、金属製リング１１１ｆ、１１２ｆの内周に最小隙間で駆動軸５４が挿通されるようにする。例文帳に追加

Metal rings 111f, 112f are arranged in hollow parts of the resin members 111a, 112a in the seal mechanisms 111, 112, and the drive shaft 54 is made to penetrate internal peripheries of the metal rings 111f, 112f with the smallest gap. - 特許庁

百三　一―クロロ―一・一―ジフルオロエタン（別名ＨＣＦＣ―一四二ｂ）例文帳に追加

(ciii) 1-chloro-1,1-difluoroethane; HCFC-142b  - 日本法令外国語訳データベースシステム

百五　二―クロロ―一・一・一・二―テトラフルオロエタン（別名ＨＣＦＣ―一二四）例文帳に追加

(cv) 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoroethane; HCFC-124  - 日本法令外国語訳データベースシステム

クラッド帯部１５１Ｘ１、１５１Ｘ２の幅は２〜３０μｍ程度である。例文帳に追加

Widths of the clad band parts 151X1 and 151X2 are 2-30 μm. - 特許庁

上記第１プレートは、反転部１６１ａ及び縁部１６１ｂを備える。例文帳に追加

The first plate includes an inversion part 161a and an edge part 161b. - 特許庁

第１領域には、昇圧回路１４０ＡとＲＡＭ１１０とを配置する。例文帳に追加

A boosting circuit 140A and a RAM 110 are disposed in the first region. - 特許庁

一の層基板１００ａにＭＥＭＳ素子１０１が配置されている。例文帳に追加

The MEMS element 101 is disposed at the one layer substrate 100a. - 特許庁

光源装置１１は反射部材１８と光源１７Ａ，１７Ｂを備える。例文帳に追加

The light source device 11 is provided with a reflecting member 18 and light sources 17A, 17B. - 特許庁

磁極部分層１２Ａの一部は、絶縁層１１の上に配置されている。例文帳に追加

A part of the magnetic pole portion layer 12A is located on the insulated layer 11. - 特許庁

ピニオン１１２ａ〜１１２ｃの軸を、支持容器１１９ａ〜１１９ｂを貫通した主軸１１４ａ〜１１４ｃ、さらに接合ロッド１１０ａ〜１１０ｃ−２、絶縁ロッド１０９ａ〜１０９ｃ、接合ロッド１１１ａ〜１１１ｃ−２を介して同一軸線上に連結する。例文帳に追加

The shafts of the pinions 112a-112c are linked on the same axis, through main shafts 114a-114c which pierce the supporting containers 119a-119b, joining rods 110a-110c-2 in addition, insulated rods 109a-109c, and joining rods 111a-111c-2. - 特許庁

冷却部１１０は、複数の冷却部材１１１と、回転体１１２と、保持バンド１１３とを備える。例文帳に追加

The cooling section 110 includes a plurality of cooling members 111, a rotary body 112, and a holding band 113. - 特許庁

情報処理端末１１０は、接続部１１１と、記憶部１１２と、制御部１１３とを備える。例文帳に追加

The information processing terminal 110 includes a connecting section 111, a storage section 112, and a control section 113. - 特許庁

ナビゲーション装置１１０は、誘導部１１１と、検出部１１２と、変更部１１３とを備える。例文帳に追加

A navigation apparatus 110 includes a guide section 111, a detection section 112, and a modification section 113. - 特許庁

端末装置１１０は、要求部１１１と、受信部１１２と、出力部１１３と、を備える。例文帳に追加

The terminal 110 is provided with a request part 111, a receiving part 112, and an output part 113. - 特許庁

覆い部１は、側地１１、ヘム１２、中綿１４、内地１５、マチ１６、キルト１７を備える。例文帳に追加

A cover part 1 includes a side cloth 11, a hem 12, an inner cotton 14, an inner cloth 15, a gusset 16, and a quilt 17. - 特許庁

すなわち、演出ａ１０１、ａ２０１、ａ３０１においては、演出ａ１０１では音声データａ１０１ｖを単発で使用し、演出ａ２０１では音声データａ１０１ｖとａ２０１ｖを組み合わせて使用し、演出ａ３０１では音声データａ１０１ｖとａ２０１ｖとａ３０１ｖを組み合わせて使用している。例文帳に追加

That is, in performances a101, a201, and a 301, the game machine uses sound data a101v alone in the performance a101, sound data a101v and a201v in combination in the performance a201, and sound data a101v, a201v, and a301v in combination in the performance a301. - 特許庁

そして、第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘは共に０．３より大きく、かつ第１のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ａ及び第２のＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１４ｂのＡｌ組成Ｘの差は０より大きく０．６より小さい。例文帳に追加

Both the Al compositions X of the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0.3, and differences in Al compositions X between the first and second Al_xGa_1-xN layers 14a and 14b are greater than 0 and smaller than 0.6. - 特許庁

ＨＥＭＴ１の電子供給層１１０はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮからなり、また、チャネル層１１９はＧａＮからなる。例文帳に追加

An electron supply layer 110 of a HEMT1 is composed of Al_xGa_1-xN, and a channel layer 119 is composed of GaN. - 特許庁

２つの異なる周波数ｆ１、ｆ２は、２５０ＭＨｚ≧ｆ１＞ｆ２≧１０ＭＨｚかつ０．９≧ｆ２／ｆ１≧０．１の関係を満たす。例文帳に追加

The two different frequencies f1 and f2 satisfy a relation of 250 MHz≥f1>f2≥10 MHz, and 0.9≥f2/f1≥0.1. - 特許庁

内部信号Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３に異なる遅延量を有する遅延素子Ａ１１〜Ａ１ｎ、Ａ２１〜Ａ２ｎ、Ａ３１〜Ａ３ｎを通じて異なる遅延を付加する。例文帳に追加

Different delays are applied to internal signals D1, D2, D3 through delay elements A11-A1n, A21-A2n, and A31-A3n with the different amounts of delay. - 特許庁

Ｆ(ＣＦ_2ＣＦ_2)_ｍＣＨ_2ＣＨ_2Ｏ(ＣＨ_2ＣＨ_2Ｏ)_ｎＨ 一般式（１）〔式中、ｍは２〜５の整数を表し、ｎは３〜７の整数を表す。例文帳に追加

In the heat-sensitive recording body, in the heat-sensitive recording layer, a fluoride based compound which is represented by general formula (1): F(CF_2CF_2)_mCH_2CH_2O(CH_2CH_2O)_nH is contained. - 特許庁

−３．３ ≦ ｆ１／ｆ ≦ −１．１ ・・・（１） ０．３ ≦ Ｄ／ｆ ≦ ２．５ ・・・（２） −２．８ ≦ ｆ１／ｆ２ ≦ −１ ・・・（３）例文帳に追加

(1) -3.3≤f1/f≤-1.1 (2) 0.3≤D/f≤2.5 and (3) -2.8≤f1/f2≤-1. - 特許庁

基板１１上のＴＦＴ１０Ａ，ＴＦＴ１０Ｂ上に第１絶縁膜２１を形成する。例文帳に追加

A first insulation film 21 is formed on TFTs 10A and 10B on a substrate 11. - 特許庁

操作ボタン１１Ｓ、１１Ｍ、１１Ｌの大きさから連想される別個の機能が与えられる。例文帳に追加

Separate functions associable with the sizes of the operation buttons 11S, 11M and 11L are applied. - 特許庁

加えて、第１〜第６曲がり部１５ａ〜１５ｆの肉厚を第１〜第７パネル１６ａ〜１６ｇより厚くした。例文帳に追加

The wall thickness of each first - sixth bending part 15a-15f is thicker than each first - seventh panel 16a-16g. - 特許庁

出力トランジスタ部１０は、ＰＭＯＳ１１，１３と、ＮＭＯＳ１２，１４とで構成する。例文帳に追加

The output TR section 10 consists of PMOS 11, 13 and NMOS 12, 14. - 特許庁

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂとホモ接合１９を成す。例文帳に追加

The GaN layer 17 forms a homojunction 19 with the major surface 11b of the GaN wafer 11. - 特許庁

ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂとホモ接合１９を成す。例文帳に追加

The GaN layer 17 forms a homojunction with the principal surface 11b of the GaN wafer 11. - 特許庁

肺癌におけるホモ接合の欠失によって定義される、抑制性癌遺伝子の群であるＦｕｓ１、１０１Ｆ６、Ｇｅｎｅ２１（ＮＰＲＬ２）、Ｇｅｎｅ２６（ＣＡＣＮＡ２Ｄ）、Ｌｕｃａ １（ＨＹＡＬ１）、Ｌｕｃａ ２（ＨＹＡＬ２）、ＰＬ６、１２３Ｆ２（ＲａＳＳＦＩ）、ＳＥＭ Ａ３およびＢｅｔａ^＊（ＢＬＵ）は、３ｐ２１．３に位置し、そしてここで単離された。例文帳に追加

A group of recessive oncogenes, Fus1, 101F6, Gene 21 (NPRL2), Gene 26 (CACNA2D2), Luca 1 (HYAL1), Luca 2 (HYAL2), PL6, 123F2 (RaSSFI), SEM A3 and Beta* (BLU), as defined by homozygous deletions in lung cancers, have been located and isolated at 3p21.3. - 特許庁

バッファ層は、例えばＩｎ_ｍＡｌ_ｎＧａ_１−ｍ−ｎＡｓ（０≦ｍ＜１、０＜ｎ≦１、０＜ｎ＋ｍ≦１）のエピタキシャル結晶からなる。例文帳に追加

The buffer layer is composed of, for instance, an In_mAl_nGa_1-m-nAs (0≤m<1, 0<n≤1, 0<n+m≤1) epitaxial crystal. - 特許庁

（そういちいち質問しないで）独りで考えてみるがよい例文帳に追加

You ought to think for yourself.  - 斎藤和英大辞典

その位置をＲ１(Ｘ１，Ｙ１)、Ｒ２（Ｘ２，Ｙ２）とする。例文帳に追加

These positions are set to R1 (X1, Y1) and R2 (X2, Y2). - 特許庁

１１βＨＳＤ１阻害剤及びその用途例文帳に追加

11β-HSD1 INHIBITOR AND ITS USE - 特許庁

排気管１１，１２にはＮＯx触媒６１，６２を備える。例文帳に追加

The exhaust pipes 11, 12 are provided with NOx catalysts 61, 62. - 特許庁

スライダ１ａ，１ｂを液体中に配置する。例文帳に追加

Sliders 1a and 1b are put in a liquid. - 特許庁

交流電圧の周波数は１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、例文帳に追加

The frequency of AC voltage is 10-100 kHz. - 特許庁