| 例文 (520件) |
けい化タングステンの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 520件
タングステン系金属としてはタングステン金属、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド、窒化タングステン、モリブデンタングステンなどである。例文帳に追加
The tungsten-based metal is tungsten metal, a titanium tungsten alloy, a tungsten silicide, a tungsten nitride, molybdenum tungsten. - 特許庁
ホウ化タングステン、窒化タングステン、硫化タングステン、リン化タングステン及びケイ化タングステンからなる群から選ばれる化合物を、炭化タングステンに転化させてなる燃料電池用触媒。例文帳に追加
The catalyst for a fuel cell is formed by converting a compound selected from a group comprising tungsten boride, tungsten nitride, tungsten sulfide, tungsten phosphide and tungsten silicide into tungsten carbide. - 特許庁
ホウ化タングステン、窒化タングステン、硫化タングステン、リン化タングステン及びケイ化タングステンからなる群から選ばれる化合物から転化させて得られた炭化タングステンを含有する触媒を用いたＤＭＦＣ。例文帳に追加
This DMFC employs a catalyst containing a tungsten carbide obtained, by transforming a compound selected from a group comprising tungsten boride, tungsten nitride, tungsten sulfide, tungsten phosphide and tungsten silicide. - 特許庁
ＣＯを含有する水素を燃料とするＰＥＦＣ型燃料電池において、ホウ化タングステン、窒化タングステン、硫化タングステン、リン化タングステン及びケイ化タングステンからなる群から選ばれる化合物から転化させて得られた炭化タングステンを含有する触媒を用いたＰＥＦＣ型燃料電池。例文帳に追加
In the PEFC fuel cell in which hydrogen gas containing CO is used as the fuel, the catalyst that contains carbonized tungsten is used which has been obtained by converting compounds selected from a group consisting of tungsten borate, tungsten nitride, tungsten sulfide, tungsten phosphate, and tungsten silicate. - 特許庁
触媒体にタングステンを用いる場合には窒化物として窒化タングステンを形成する。例文帳に追加
Tungsten nitride is formed as a nitride for using tungsten as a catalyst. - 特許庁
酸化タングステンファイバーや酸化タングステンウィスカーが基材上に形成されている。例文帳に追加
The tungsten oxide fiber and tungsten oxide whisker are formed on a base material. - 特許庁
タングステン配線３０の上層および下層に窒化タングステン膜３０ａを形成する。例文帳に追加
A tungsten nitride film 30a is formed on the upper and lower layers of a tungsten wire 30. - 特許庁
転送電極４０のタングステン膜４３の上にタングステン窒化膜６０が形成されている。例文帳に追加
A tungsten nitride film 60 is formed on the tungsten film 43 of the transfer electrode 40. - 特許庁
炭化タングステン合金又は炭化けい素例文帳に追加
Tungsten carbide alloys and silicon carbide - 日本法令外国語訳データベースシステム
窒化珪素／炭化タングステン複合焼結体例文帳に追加
SILICON NITRIDE/TUNGSTEN CARBIDE COMPOSITE SINTERED COMPACT - 特許庁
タングステン−アンチモン系酸化物触媒の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING TUNGSTEN-ANTIMONY-BASED OXIDE CATALYST - 特許庁
白金／酸化タングステン系水素感応膜の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING PLATINUM/TUNGSTEN OXIDE TYPE HYDROGEN SENSITIVE FILM - 特許庁
炭化タングステン基超硬合金製小径ドリル例文帳に追加
SMALL DRILL MADE OF TUNGSTEN-CARBIDE-BASED CEMENTED CARBIDE - 特許庁
無機レジスト膜は、例えば酸化タングステンで形成する。例文帳に追加
The inorganic resist film is formed, for example, from tungstic oxide. - 特許庁
炭化タングステン系超硬基複合材料焼結体例文帳に追加
TUNGSTEN CARBIDE MATRIX SUPER HARD COMPOSITE SINTERED BODY - 特許庁
窒化珪素／炭化タングステン複合焼結体及びその製造方法例文帳に追加
SILICON NITRIDE/TUNGSTEN CARBIDE COMPOSITE SINTERED COMPACT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
基材上に亜酸化タングステン膜を形成し、その亜酸化タングステン膜上に金属膜を形成する。例文帳に追加
A tungsten suboxide film is formed on a substrate, and a metal film is formed on the tungsten suboxide film. - 特許庁
ポリシリコン層と窒化タングステン層との間に形成される層は、シリコン窒化タングステン層またはシリコンゲルマニウム層であってもよい。例文帳に追加
A layer to be formed between the polysilicon layer and the tungsten nitride layer can be a silicon tungsten nitride layer or a silicon germanium layer. - 特許庁
タングステン酸化物の薄膜は、溶融塩めっき法により形成されている。例文帳に追加
The thin film of tungsten oxide is formed by molten salt plating. - 特許庁
薄膜形成装置、及び窒化タングステン薄膜製造方法例文帳に追加
THIN FILM FORMING DEVICE AND PRODUCTION OF TUNGSTEN NITRIDE THIN FILM - 特許庁
前記窒化膜が除去された部分にタングステンゲート２３を形成する。例文帳に追加
A tungsten gate 23 is formed at a part where the nitride film is removed. - 特許庁
炭化タングステン系超硬質材料及びその製造方法例文帳に追加
TUNGSTEN CARBIDE TYPE SUPER-HARD MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁
第２温度下で、ケイ化タングステン層の表面にタングステン金属層２００ａを形成して、コンタクトホールを完全に充填する。例文帳に追加
A tungsten metal layer 200a is formed on the surface of the layer 180a under the state of the second temperature to completely fill the contact hole. - 特許庁
樹脂添加用タングステン酸化物微粒子分散体、タングステン酸化物微粒子分散塩化ビニル樹脂成形体およびタングステン酸化物微粒子分散塩化ビニル樹脂成形体の製造方法例文帳に追加
TUNGSTEN OXIDE MICROPARTICLE DISPERSION FOR ADDITION TO RESIN, MOLDED PRODUCT OF TUNGSTEN OXIDE MICROPARTICLE-DISPERSED VINYL CHLORIDE RESIN, AND METHOD FOR PRODUCING MOLDED PRODUCT OF TUNGSTEN OXIDE MICROPARTICLE-DISPERSED VINYL CHLORIDE RESIN - 特許庁
前記超硬合金が炭化タングステン−コバルト系合金、炭化タングステン−ニッケル系合金、炭化タングステン−コバルト−ニッケル系合金のうちのいずれかであることを特徴とする。例文帳に追加
The cemented carbide is any one selected from a tungsten carbide-cobalt based alloy, a tungsten carbide-nickel based alloy and a tungsten carbide-cobalt-nickel based alloy. - 特許庁
その後、多結晶シリコン膜４、窒化タングステン膜１３、タングステン膜１４をパターニングしてゲート電極１５を形成する。例文帳に追加
After that, the polycrystal silicon film 4, the tungsten nitride film 13, and the tungsten film 14 are patterned to form a gate electrode 15. - 特許庁
シリコン酸化膜２上のタングステン膜５をエッチバックして、タングステンプラグ（配線プラグ）５１を形成する。例文帳に追加
The tungsten film 5 deposited on the silicon oxide film 2 is etched back, by which a tungsten plug (wiring plug) 51 is formed. - 特許庁
ナノメートルサイズのタングステンまたは酸化タングステン細線構造を簡易に大量に形成するナノ構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a nano-structure, which easily forms a structure comprising fine wires of tungsten or tungsten oxide with nanometric sizes, in large quantities. - 特許庁
タングステン含有材料及び過酸化水素から調製されたタングステン酸化物前駆体溶液を部材に塗布し、塗布された該前駆体を分解してタングステン酸化物を部材に付着させることにより、タングステン酸化物の一次粒子が凝集した二次構造体を形成する。例文帳に追加
A secondary structure on which primary particles of tungsten oxide are agglutinated is formed by coating a member with a tungsten oxide precursor solution prepared from a tungsten containing material and hydrogen peroxide and by decomposing the coated precursor to make the tungsten oxide adhere to the member. - 特許庁
コントロールゲート用タングステン膜(W)１１０ａの側壁にタングステン窒化膜(WN)１１４を形成し、後続のアニーリング工程時にタングステン膜１１０ａの異常酸化(abnormal oxidation)を防止しながらタングステン膜１１０ａの断面積を増加させる。例文帳に追加
A tungsten nitride (WN) layer 114 is formed on sidewalls of a tungsten (W) layer 110a for a control gate, and the cross section of the tungsten layer 110a is increased while preventing abnormal oxidization of the tungsten layer 110a in a subsequent annealing process. - 特許庁
銅凹部５２に金属コバルト，コバルトタングステン，コバルトタングステンリン化合物，またはコバルトタングステンホウ化物からなる金属キャップ５４を形成する。例文帳に追加
On the recessed copper portion 52, a metal cap 54 made of metal cobalt, cobalt tungsten, a cobalt tungsten phosphorus compound, or cobalt tungsten boride is formed. - 特許庁
それから、スルーホール２２ａを埋めるようにタングステン膜をＣＶＤ法を用いて形成し、絶縁膜２１上の不要なタングステン膜と窒化チタン膜２３を除去して、タングステンプラグ２４を形成する。例文帳に追加
Then a tungsten film is formed to fill the through hole 22a by a CVD method, and the tungsten film and titanium nitride film 23 which are unnecessary on the insulating film 21 are removed to form a tungsten plug 24. - 特許庁
（二十五） タングステン、タングステン炭化物又はタングステン合金の一次製品（円筒形のもの、半球形のもの又はこれらを組み合わせたものに限る。）例文帳に追加
(xxv) Primary products of tungsten, tungsten carbide or alloys (limited to those that have cylindrical or hemispherical shapes or a combination of both shapes) - 日本法令外国語訳データベースシステム
酸素の導入によって、＜１１１＞方向を向いた単結晶タングステンワイヤ２１の先端部のタングステン原子２２に酸素原子が結合して、酸化タングステンが形成される。例文帳に追加
Tungstic oxide is formed by combining atomic oxygen with atomic tungsten 22 at the tip of a single crystal tungsten wire 21 facing to the <111> direction based on introduction of oxygen. - 特許庁
その中間層２０は、シリコン，タングステン，炭化チタン，炭化珪素，炭化クロム等によって形成する。例文帳に追加
The intermediate layer 20 is formed of silicon, tungsten, titanium carbide, silicon carbide or chromium carbide, etc. - 特許庁
酸化タングステン−酸化スズ−二酸化珪素複合体ゾル及びその製造法例文帳に追加
TUNGSTEN OXIDE-TIN OXIDE-SILICON DIOXIDE COMPOUND SOL AND ITS PRODUCTION - 特許庁
酸化インジウム−酸化タングステン系透明導電膜及びその製造方法例文帳に追加
INDIUM OXIDE-TUNGSTEN OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
抵抗発熱体層８２は、例えば、モリブデン珪化物、タングステン珪化物等で形成される。例文帳に追加
The resistance heating element layer 82 is formed of a molybdenum silicide, a tungsten silicide or the like. - 特許庁
その溶融物に炭化水素ガスをスパージングして炭化タングステンを形成する。例文帳に追加
A hydrocarbon gas is sparged to the molten material to form tungsten carbide. - 特許庁
また、本発明のセラミックヒータの製造方法は、発熱抵抗体が、含有する酸素量が０．９質量％以下であり、焼成後、窒化珪素となる窒化珪素粉末と、焼成後、炭化タングステンとなる炭化タングステン粉末とを、該窒化珪素粉末と該炭化タングステン粉末との合計を１００質量％とした場合に、炭化タングステン粉末が５８〜７３質量％含有するように混合し、その後、焼成する。例文帳に追加
Furthermore, in the manufacturing method of the ceramic heater, when the total of silicon nitride powders which become silicon nitride after calcination and tungsten carbide powders become tungsten carbide after calcination is made to be 100 wt.%, oxygen amount contained in the heating resistor is 0.9 wt.% or less, and tungsten carbide powders are mixed so as to contain 58 to 73 wt.% and calcined afterwards. - 特許庁
半導体基板１上に形成された電極が、ポリシリコン層４と、ポリシリコン層４の上に形成されたシリコン注入層６と、シリコン注入層６の上に形成された窒化タングステン層５と、窒化タングステン層５の上に形成されたタングステン層７とを有する。例文帳に追加
An electrode formed on a semiconductor substrate 1 comprises the polysilicon layer 4, a silicon injection layer 6 formed on the polysilicon layer 4, the tungsten nitride layer 5 formed on the silicon injection layer 6, and a tungsten layer 7 formed on the tungsten nitride layer 5. - 特許庁
タングステンからなる電極や配線の表面に形成された酸化物を、アンモニアガスをプラズマにより活性化させた活性種で確実に還元処理することができ、しかもタングステン表面に窒化タングステン膜が形成されないようにする技術を提供すること。例文帳に追加
To provide a technology for performing reduction treatment of oxides formed on the surface of an electrode or an interconnect composed of tungsten surely by active species produced by activating ammonia gas by plasma without forming a tungsten nitride film on the surface of tungsten. - 特許庁
銅イオンで修飾された酸化タングステン系光触媒の分散液の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING DISPERSION OF COPPER ION-MODIFIED TUNGSTEN OXIDE PHOTOCATALYST - 特許庁
シリコン基板１上に多結晶シリコン膜４、窒化タングステン膜１３を形成する。例文帳に追加
A polycrystal silicon film 4 and a tungsten nitride film 13 are formed on a silicon substrate 1. - 特許庁
酸化物の層上にタングステン（Ｗ）の膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of forming a tungsten (W) film on an oxide layer. - 特許庁
粒子成長抑制剤を使用した炭化タングステン／コバルト系超硬合金の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING TUNGSTEN CARBIDE/COBALT CEMENTED CARBIDE USING PARTICLE GROWTH INHIBITOR - 特許庁
Ａ_nＢＯ_4形以外のタングステン複合酸化物蛍光体を提供すること。例文帳に追加
To provide a tungsten compound oxide-type phosphor except A_nBO_4 structure. - 特許庁
| 例文 (520件) |
 | ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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