「けい化タングステン」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

所定の凹凸パターンが形成された基板部材１と、基板部材１の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜２と、を含んで光ディスク原盤１００を構成する。例文帳に追加

An optical master disk 100 is configured by including a substrate member 1 in which a predetermined rugged pattern is formed, and a tungsten oxide film 2 in which 55 (atomic %)<X<60 (atomic %) and Y=100-X (atomic %) when the atomic composition percentage ratio of oxygen is defined as X and the atomic composition percentage ratio of tungsten is defined as Y. - 特許庁

中間被膜１１は、シリコン、タングステン、炭化チタン、炭化珪素、および炭化クロム等によって形成された一層構造あるいは二層構造の被膜である。例文帳に追加

The intermediate film 11 has a one layer structure or a two layer structure formed by silicon, tungusten, titanium carbide, silicon carbide, and chrome carbide. - 特許庁

スパッタリング等のコーティング５０により酸化タングステン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ又は酸化ジルコニウムを含む層及びその上を覆ってチタニア層を堆積し光触媒フィルム３０を形成する。例文帳に追加

A photocatalyst film 30 is formed by depositing a layer containing tangusten oxide, aluminum oxide, niobium oxide or zirconium oxide and a titania layer on the layer by a coating 50 such as sputtering. - 特許庁

この低摩擦材の層としては、フッ素樹脂コーティング、ニッケルめっき、クロムめっき、ボロンめっき等の他、二硫化モリブデン、二硫化タングステン、窒化ほう素、フッ化黒鉛等のセラミック系コーティング等が挙げられる。例文帳に追加

Fluororesin coatings in addition to ceramic coatings such as molybdenum disulfide, tungsten disulfide, boron nitride, and graphite fluoride in addition to a fluororesin coating, nickel plating, chromium plating, and boron plating are cited as the low frictional material layer. - 特許庁

３価クロム化合物と、チタン、コバルト、タングステン、アルミニウムの各化合物から選ばれた１種以上の金属化合物と珪素とを含有する水溶液で、めっき材を化成処理する。例文帳に追加

A plating material is subjected to electrochemical formation treatment in an aqueous solution containing a trivalent chromium compound, one or more kinds of metallic compounds selected from each compound of titanium, cobalt, tungsten and aluminum, and silicon. - 特許庁

コンタクトホール８ａが、ポリパッド電極７ａの外周よりも外側に形成された場合、ポリパッド電極７ａの側壁側は、側壁窒化膜９ｂを介してタングステン膜１０が設けられ、ポリパッド電極７ａの上面側は、バリアメタル膜１１を介してタングステン膜１０が設けられている。例文帳に追加

When a contact hole 8a is formed outside the outer periphery of a polypad electrode 7a, a tungsten film 10 is provided on the sidewall side of a polypad electrode 7a across sidewall nitride film 9b, and the tungsten film 10 is provided on the top surface side of the polypad electrode 7a across a bimetal film 11. - 特許庁

シリコン基板１０１の上には、ゲート酸化膜１０２、ポリシリコン層１０３、バリアメタル層１０４、タングステン層１０５、マスク層１０６が下側からこの順で形成されており、エッチングガスとして、Ｎ_2 ＋Ｏ_2 ＋ＮＦ_3のガスを使用し、プラズマエッチングにより、タングステン層１０５及びバリアメタル層１０４をエッチングする。例文帳に追加

A gate oxide film 102, a polysilicon layer 103, a barrier metal layer 104, a tungsten layer 105, and a mask layer 106 are formed on a silicon substrate 101 from a lower side successively in this order, a gas N_2+O_2+NF_3 is used as etching gas, and the tungsten and barrier metal layers 105 and 104 are etched by plasma etching. - 特許庁

少なくともトナーの表面に導電性微粒子を有しており、該導電性微粒子は、タングステン元素を含有する酸化スズ微粒子であり、スズ元素（Ｓｎ）に対するタングステン元素（Ｗ）のモル比（Ｗ／Ｓｎ）が０．００１以上０．３以下である導電性微粒子であり、かつ、該トナーの平均円形度が、０．９５０〜０．９９５であるトナー。例文帳に追加

The tonner has conductive particulates on the surface thereof at least, the conductive particulates are oxidized tin particulates containing tungsten element, and a molar ratio (W/Sn) of tungsten element (W) in tin element (Sn) is 0.001 to 0.3, and the average roundness of the tonner is 0.950 to 0.995. - 特許庁

または、ビスマス、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、スズ、クロムまたは亜鉛の添加剤のうち少なくとも１種以上を、合計して３〜１５質量％含有し、この添加剤を含めた上記熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の残部を、上記タングステン粉末および／またはタングステン合金粉末および不可避不純物からなる組成を有する高比重樹脂複合材料製弾丸とした。例文帳に追加

At least one or more kinds of additives of bismuth, copper, nickel, cobalt, iron, manganese, tin, chrome and zinc are included by 3-15 mass% in total, and a composition including tungsten powder and/or tungsten alloy powder, and unavoidable impurities is included as the rest of the thermoplastic resin and thermosetting resin, including the additives. - 特許庁

スパッタ係数の小さいモリブデン、タングステンまたはこれらのニッケル合金を基材１０とし、この表面に二次電子放出係数が大きい金属酸化物１２を点在化させる。例文帳に追加

A molybdenum, tungsten or nickel alloy having a small spatter coefficient is used as a base material 10, and a metal oxide 12 having a large secondary electron emission coefficient is scattered on the surface thereof. - 特許庁

鋼材表面がタングステン系化合物、バナジウム系化合物のうちから選ばれた１種または２種を含有するブチラール樹脂に覆われてなる表面処理鋼材。例文帳に追加

In this surface treated steel, the surface of steel is coated with a butyral resin containing one or two kinds selected from a tungsten compound and a vanadium compound. - 特許庁

タングステン粒子については、その酸化を防ぐために熱可塑性樹脂との混合以前に、粒子を腐食されにくいようにシラン系やシリコン系の有機化合物を、粒子表面に薄くコーティングするカップリング処理を行う。例文帳に追加

A coupling treatment for coating the surface of tungsten particles, with organic compounds of a silane or silicon base to prevent the tungsten particles from corroding easily, is given to them, before mixing them with thermoplastic resin in order to prevent them from oxidizing. - 特許庁

そして、絶縁膜３５および窒化チタン膜３６を形成したウェハ１１を成膜装置の成膜チャンバに入れて、窒化チタン膜３６上にタングステン膜３７を形成する。例文帳に追加

Then the wafer 11 on which the insulating film 35 and the titanium nitride film 36 are formed is put in the depositing chamber of a depositing apparatus to form a tungsten film 37 on the titanium nitride film 36. - 特許庁

銅系もしくは鉄系の基礎粉体とニ硫化モリブデンもしくはニ硫化タングステンの潤滑粉体とを混合し、その混合粉体を圧縮焼成してできる多孔質軸受もしくは潤滑油を含浸した含油軸受。例文帳に追加

Basic fine particles of copper or iron, and the lubricating fine particles of molybdenum disulfide or tungsten disulfide are mixed, and the mixed fine particles are compressed and baked to manufacture a porous beating or an oil-retaining bearing which is impregnated with lubricating oil. - 特許庁

強化材である炭化タングステンを２０〜７０体積％含み、残部が銅からなり、かつ１６０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、１０×１０^-6／℃以下の熱膨張係数を有することとした高熱伝導性材料。例文帳に追加

The high thermal-conductivity material includes tungsten carbide 20-70 vol.% for a reinforcement, and the balance copper, and has a coefficient of thermal conductivity of 160 W/mK or higher, and has a heat expansion coefficient of 10×10^-6/°C or lower. - 特許庁

非鉄金属材料の塑性加工用工具材料を、炭化クロムおよび／または炭化モリブデンを含有する炭化タングステン−ニッケル系の高耐食性超硬合金とする。例文帳に追加

This tool material for the plastic working of a nonferrous metallic material is composed of tungsten nickel carbide with highly corrosion resistant containing chromium cardide and/or molybdenum carbide. - 特許庁

水素よりもイオン化傾向が大きいタングステン、モリブデンを一次処理として酸化剤である過酸化水素水により処理することで、表面に付着した汚染物質の堆積層を安全に除去することが可能である。例文帳に追加

A deposit layer of contaminants adhering to the surface can be removed in safety, by performing primary treatment of tungsten or molybdenum with larger ionization tendency than hydrogen by using an oxidation agent, i.e. hydrogen peroxide solution. - 特許庁

タングステン膜１６および多結晶酸化タンタル膜１４をパターニングしてゲート電極１７および多結晶酸化タンタル膜１４とシリコン酸化膜１５とからなるゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The tungsten film 16 and the polycrystalline tantalum film 14 are patterned into a gate electrode 17 and a gate insulating film composed of the tantalum oxide film 14 and the silicon oxide film 15. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。例文帳に追加

In the process for fabricating a nonlinear element 10x, a lower electrode 13x is formed of a tantalum film containing tungsten and nitrogen and then an insulating layer 14x is formed by anodizing the surface of the lower electrode 13x. - 特許庁

本発明は、タングステン化合物、第四級アンモニウム塩、リン酸類及び／又はホウ酸類、及び硫酸水素塩を含んでなる多成分系酸化触媒に関する。例文帳に追加

The multicomponent oxidation catalyst comprises a tungsten compound, a quaternary ammonium salt, phosphoric acids and/or boric acids, and a hydrogen sulfate. - 特許庁

こうした充填材４には、タングステン酸ジルコニウム、リチウム・アルミニウム・ケイ素酸化物、または銅・ゲルマニウム・マンガン窒化物の粒子状粉末が採用される。例文帳に追加

For the filler 4, granular powder of zirconium tungstate, lithium-aluminum-silicon oxide or copper-germanium-manganese nitride is adopted. - 特許庁

ヘテロポリ酸骨格中にケイ素、タングステンおよび１個のルテニウムを含有するヘテロポリ酸化合物の存在下に、アルコールを分子状酸素と接触させることにより酸化する。例文帳に追加

This method for oxidizing the alcohol is characterized by bringing the alcohol into contact with the molecular oxygen in the presence of a heteropolyacid compound containing silicon, tungsten and one ruthenium in the skeleton of the heteropolyacid. - 特許庁

半導体装置１において、封止膜１２の下面には、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成された負膨張層１３が設けられている。例文帳に追加

A negative expansion layer 13 formed of either of zirconium tungstate, silicon oxide and manganese nitride, is prepared on a lower surface of the sealing film 12 in the semiconductor device 1. - 特許庁

タングステン化合物とジルコニウム化合物からなる非水溶性の二元系触媒の存在下に、シクロペンテンが気体とならない条件で、シクロペンテンを水和することを特徴とするシクロペンタノールの製造方法。例文帳に追加

This method for producing the cyclopentanol comprises hydrating the cyclopentene in the presence of the catalyst which is a water-insoluble binary compound comprising a tungsten compound and a zirconium compound under such a condition that the cyclopentene is not gasified. - 特許庁

また、二次処理としてアンモニア水と過酸化水素水とを含む混合液で処理することで、表面に形成された酸化皮膜が除去されタングステン、モリブデンの効率的な再利用が可能となる。例文帳に追加

Furthermore, an oxide film formed on the surface is removed by performing secondary treatment with a mixed liquid, containing aqueous ammonia and hydrogen peroxide solution, and tungsten or molybdenum can be reused efficiently. - 特許庁

トリミングヒューズ低抵抗化のために高融点金属を用いたシリサイド化を実行するが、高融点金属であるコバルトやタングステンの切断が安定して実行されるようなヒューズを形成すること。例文帳に追加

To form a fuse stably cutting cobalt and tungsten of high melting point metals at the time of performing silicide formation by using the high melting point metal for the resistance reduction of a trimming fuse. - 特許庁

腸内嫌気性細菌の異常増殖や消化不良症候群の検知に必要ながら小型センサでは検知困難だった水素に対し、気相成長三酸化タングステンを用いて携帯ヘルスチェック装置を実現する。例文帳に追加

The portable health checking apparatus is realized using vapor phase epitaxy tungsten trioxide to hydrogen heretofore difficult to detect by a small sensor although required to detect abnormal growth of enteral anaerophyte or an indigestion syndrome. - 特許庁

ヘテロポリ酸骨格中にケイ素、タングステンおよび１個のルテニウムを含有するヘテロポリ酸化合物の存在下に、シクロヘキサンを分子状酸素と接触させて酸化する。例文帳に追加

This method for producing the cyclohexanol and/or cyclohexanone comprises bringing cyclohexane into contact with molecular oxygen in the presence of a heteropoly acid compound containing silicon, tungsten and one ruthenium in the heteropoly acid skeleton and oxidizing the cyclohexane. - 特許庁

タングステン配線１２の上層にシリコン酸化膜１３，１７，２０やシリコン窒化膜１６、或いはシリコン膜から成る上部電極２０を形成する。例文帳に追加

An upper electrode 20 comprising silicon oxide films 13, 17 and 20, a silicon nitride film 16 or a silicon film is formed on the upper layer of the tungsten interconnect 12. - 特許庁

タングステンを含む半導体ウエハを高速かつ平坦に研磨するための化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a chemical mechanical polishing aqueous dispersion and a chemical mechanical polishing method for rapidly and flatly polishing a semiconductor wafer containing tungsten. - 特許庁

金をタングステンボートによる抵抗加熱および電子ビームにより融解・気化させ、気化した金をチタン層２に堆積させることにより０．１〜０．２μｍの金層３を形成する。例文帳に追加

Gold is fused and evaporated by resistance heating on a tungsten boat, and an electron beam, and the evaporated gold is deposited on the titanium layer 2 to form the gold layer 3 of 0.1 to 0.2 μm thickness. - 特許庁

ドープドポリシリコン層４、タングステン層５及びＳｉＯＮ層８からなる３層ポリメタルゲート１１下にゲート酸化膜として機能するスマイル酸化膜６が形成される。例文帳に追加

A smile oxide film 6 functioning as a gate oxide film is formed beneath the three layer polymetal gate layer 11 consisting of a doped polysilicon layer 4, a tungsten layer 5 and an SiON layer 8. - 特許庁

金属酸化物とIVａ族元素としてジルコニウムの酸化物との共晶点の組成またはその近傍の組成における共融混合物が、タングステンなどの高融点金属基体中に含まれる材料により形成されている。例文帳に追加

An eutectic mixture having a composition at an eutectic point of a metal oxide and an oxide of zirconium as the IVa group element or a composition in the vicinity thereof is formed of a material contained in a high- melting-point metal base such as tungsten. - 特許庁

基板２０表面に高融点金属の窒化物薄膜(窒化タングステン薄膜)２４を形成する前に、電離した窒素及び水素を含むプラズマで基板表面をクリーニングする。例文帳に追加

Before a nitride thin film (tungsten nitride thin film) 24 made of a high-melting point metal is formed on the surface of a substrate 20, the surface of the substrate is cleaned by a plasma containing an ionized nitride or hydrogen. - 特許庁

決定された研磨条件のもとで、タングステン膜とシリコン酸化膜３に研磨処理が施されて平坦化され、コンタクトホール３ａ〜３ｃにプラグ８ａ〜８ｃが形成される。例文帳に追加

Under a predetermined polishing conditon, the tungsten film and the silicon oxide film 3 are polished and planarized, and the plugs 8a to 8c are formed in contact holes 3a to 3c. - 特許庁

点灯中におけるバルブ内面近傍が５００[Ｋ]なので、高い蒸気圧を示すタングステン酸化物は、当該内面に付着しにくくなり、黒化が抑制される。例文帳に追加

Since the vapor pressure in the vicinity of the inner face of the bulb during lighting is 500 [K], the tungsten oxide showing high vapor pressure becomes hard to be adhered to the inner face, and the blackening is suppressed. - 特許庁

ペロブスカイト型酸化物としては（Ｎａ_1-x Ｋ____x ）（Ｎｂ_1-y Ｔａ_y ）Ｏ_3 が挙げられ、タングステンブロンズ型酸化物としてはＭ（Ｎｂ_1-z Ｔａ_z ）_2 Ｏ_6 （Ｍはアルカリ土類金属元素）が挙げられる。例文帳に追加

As the perovskite type oxide, (Na_1-xK_x)(Nb_1-yTa_y) O_3 can be cited and as the tungusten bronze type oxide, M(Nb_1-zTa_z)_2O_6(wherein M is alkaline earth metal element) can be cited. - 特許庁

この電極31、32は、酸化トリウムを含むタングステン電極であるとともに、点灯中にアークが形成される位置に第1の突起311、321が形成されている。例文帳に追加

The electrodes 31, 32 are tungsten electrodes containing a thorium oxide, and have first projections 311, 321 formed at a position, where an arc is formed during lighting. - 特許庁

下方への水素拡散を抑制することによって、酸化物系誘電体膜を含むキャパシタ素子の形成後に、タングステンプラグを用いた多層配線構造を実現することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein a multilayer interconnection structure which uses a tungsten plug is realized after a capacitor element comprising an oxide dielectrics film is formed by suppressing downward dispersion of hydrogen. - 特許庁

本発明は、基材の表面に、クロム層、クロム−炭化タングステン傾斜層、ダイヤモンドライクカーボン層の順からなる保護膜を形成するようにしたものである。例文帳に追加

A protective film consisting of a chromium layer, a chromium- tungsten carbide gradient layer and a diamond-like carbon layer in this order is formed on the surface of a base material. - 特許庁

化学蒸着により型表面にタングステン、モリブデン、タンタル、ニオブその他の高融点材料の電極形状物を析出させて所望の冷陰極を形成させることを特徴としている。例文帳に追加

A desired cold cathode is formed by depositing an electrode-shaped object composed of a high melting point metal material such as tungsten, molybdenum, tantalum, niobium or others on a die surface by chemical vapor deposition. - 特許庁

多結晶シリコン膜７、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａ、ＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂ上に、タングステンシリサイド膜３２、窒化膜１１を堆積させる。例文帳に追加

A tungsten silicide film 32 and a nitride film 11 are deposited on a polycrystalline silicone film 7, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b. - 特許庁

シリコン基板の表面にゲート酸化膜、ポリシリコン膜を形成し、不純物を含むタングステンシリサイド（ＷＳｉ）膜を形成し、これを第１配線層とする。例文帳に追加

After a gate oxidized film and a polysilicon film are formed on the surface of a silicon substrate, a tungsten silicide (WSi) film containing impurities is formed on the polysilicon film as a first wiring layer. - 特許庁

シリコン基板１上に例えばタングステンシリサイド膜からなる薄膜配線２が形成され、シリコン基板１及び薄膜配線２上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜３が形成されている。例文帳に追加

Thin film wiring 2 composed of a tungsten silicide film for instance is formed on a silicon substrate 1, and an insulation film 3 composed of a silicon oxidized film is formed on the silicon substrate 1 and the thin film wiring 2. - 特許庁

具体的には、核形成段階において、Ｗの成膜を、ＷＦ_6 （六フッ化タングステン）−ＳｉＨ_4 （シラン）系のガスを用いたＣＶＤ法により行なうが、このとき、Ｈ_2 ガスの還元による成膜が行なわれないようにする。例文帳に追加

More concretely, at a nucleus formation stage, the W film formation is carried out by a CVD process using WF6-SiH4-based gas, at which time it is controlled that the film formation based on reduction of H2 gas is not carried. - 特許庁