「けい化タングステン」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

アンモニアを還元剤として接触的に排ガス中の窒素酸化物を除去するとともに、未反応のアンモニアを分解除去する排ガス処理触媒において、バナジウム（Ｖ）の酸化物、タングステン（Ｗ）の酸化物、及びモリブデン（Ｍｏ）の酸化物から選ばれた一種以上、並びにチタニアを含む多孔性触媒基材の表面に、白金が担持されたチタニアを含むコート層を形成した。例文帳に追加

The catalyst for treating exhaust gas, which is used for catalytically removing the nitrogen oxide in the exhaust gas by using ammonia as a reducing agent and decomposing/removing unreacted ammonia, is characterized in that the coat layer containing platinum-deposited titania is formed on the surface of the porous catalytic base material containing titania and one or more metal oxides selected from oxide of vanadium (V), oxide of tungsten (W) and oxide of molybdenum (Mo). - 特許庁

また、検知装置は、検知素子を150℃から200℃の間の温度に加熱するためのヒータを備え、環状飽和炭化水素化合物含有ガスが検知素子の白金層に接触したときに、白金によって解離された水素が三酸化タングステンと反応して生ずる光透過率の変化を計測するよう構成されている。例文帳に追加

A detection device has a heater for heating the detection element to the temperature of 150°C to 200°C and is constructed such that when gas containing cyclic saturated hydrocarbon compound comes into contact with the platinum layer of the detection element, the change of the light transmittance due to the reaction of hydrogen made free by the platinum with tungsten trioxide is measured. - 特許庁

無機顔料の表面に、この無機顔料よりも比重の高い酸化タングステン光触媒微子を付着させて光触媒顔料を得、さらにアクリル変性シリコーン、シリコーン、酸化珪素、酸化ジルコニウム、および酸化アルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の無機バインダーを含有させて光触媒塗料とする。例文帳に追加

The photocatalyst pigment is produced by attaching the surface of an inorganic pigment particle with photocatalytst tungsten oxide fine particles having specific gravity higher than that of the inorganic pigment, and the photocatalytst paint is produced by combining the photocatalyst pigment with at least one kind of inorganic binder selected from the group consisting of acryl-modified silicones, silicones, silicon oxide, zirconium oxide and aluminum oxide. - 特許庁

基板１上に形成され、Ｉｎ−Ｃｏ系合金又はＳｎ−Ｃｏ系合金から成り、穴あけ記録により記録が行われる記録層２と、この記録層２上に形成され、タングステン酸化物から成る界面層１１と、この界面層１１上に形成された光透過層３とを含む光記録媒体１０を構成する。例文帳に追加

The optical recording medium 10 includes: a recording layer 2 which is formed on a substrate 1 and made of a In-Co based alloy or an Sn-Co based alloy to record data by ablative recording; an interface layer 11 formed on the recording layer 2 and made of a tungsten oxide; and a light transmission layer 3 formed on the interface layer 11. - 特許庁

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。例文帳に追加

In the anodizing process, the cathode 25 is arranged opposite to the other surface side of the semiconductor substrate 10 and a mask for patterning is designed so as to form a light intensity distribution in accordance with a desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and is arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp and the other surface of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

陽極酸化工程において半導体基板１０の上記他表面側に対向配置される陰極２５が、半導体基板１０の上記他表面に所望のレンズ形状に応じた光強度分布を形成するように設計されてタングステンランプからなる光源３０と半導体基板１０の上記他表面との間に配置されるマスクを構成するようにパターン設計されている。例文帳に追加

The cathode 25 arranged opposite on the other surface side of the semiconductor substrate 10 in the anodizing step is so pattern-designed as to constitute a mask arranged between a light source 30 composed of a tungsten lamp designed to form a light intensity distribution corresponding to the desired lens shape on the other surface of the semiconductor substrate 10 and the other surface of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

６００〜７８０Ｋに保った金属製品を、クロム、モリブデン及びタングステンの中から選ばれた少なくとも１種の金属と、二酸化炭素及び一酸化炭素の中から選ばれた少なくとも１種の反応ガスの存在下において、反応性プラズマ処理し、その表面に金属オキシカーバイド被覆を形成させる。例文帳に追加

A metallic product held to 600 to 780K is subjected to a reactive plasma treatment in the presence of at least one kind of metal selected from chromium, molybdenum and tungsten and at least one kind of reactive gas selected from carbon dioxide and carbon monoxide to form a metal oxycarbide coating on the surface. - 特許庁

タングステンを含む配線層が設けられた被処理体を研磨するための化学機械研磨用水系分散体であって、（Ａ）ポリエチレンイミンと、（Ｂ）過硫酸塩と、（Ｃ）コロイダルシリカとを含有し、前記（Ａ）ポリエチレンイミンの含有割合（Ｍ_A）が０．００２〜０．２８質量％であり、ｐＨの値が１〜３である化学機械研磨用水系分散体。例文帳に追加

The aqueous dispersion for chemical mechanical polishing for polishing the workpiece provided with the wiring layer containing tungsten contains (A) polyethylene imine, (B) persulfate, and (C) colloidal silica, wherein the content of polyethylene imine (A) is 0.002 to 0.28 mass% and the pH is 1-3. - 特許庁

本プローブカードは、プローブ針本体を構成するタングステンで形成された金属体３２の表面上に、順次、非酸化性金属膜の下地層として電気メッキ法によって形成されたニッケル（Ｎｉ）下地めっき層３４と、非酸化性金属膜として設けられた白金族金属層、例えばロジウム（Ｒｈ）層３６とを有するプローブ針３０を備えている。例文帳に追加

This probe card is equipped with the probe needle 30 having a Nickel(Ni) plating bed layer 34 formed as a non-oxidizing metallic film bed layer by an electroplating method and a platinum-group metal layer provided as a non-oxidizing metallic film such as a rhodium(Rh) layer 36, in order, on a surface of a metallic body 32 formed of tungsten making up the body of the probe needle. - 特許庁

先端部１０ａを露出させてタングステン探針１０を保持するホルダー２６を容器２１内に配し、該容器２１内に導入した炭素系ガスをプラズマ化し、該プラズマ化した炭素系ガスに先端部１０ａを曝すことにより、当該先端部１０ａにカーボンナノチューブ３１を成長させる。例文帳に追加

A holder 26 for holding a tungsten probe 10 is arranged in a container 21 with an exposed tip part 10a, and carbon-based gas introduced into the container 21 is changed into plasma, and the tip part 10a is exposed to the carbon-based gas changed into plasma, to thereby grow the carbon nanotube 31 on the tip part 10a. - 特許庁

半導体素子は、半導体基板１００上に順次積層されたトンネル絶縁膜１０１、フローティングゲート用導電膜１０２、誘電体膜１０３、コントロールゲート用導電膜１０４、およびタングステン膜で形成されたゲート電極膜１０５、並びに、ゲート電極膜１０５の側壁に、窒化膜１０７ａおよび酸化膜１０７ｂからなる二重膜で形成された保護膜１０７を含む。例文帳に追加

The semiconductor device 100 includes: a tunnel insulating layer 101; a conductive film 102 for a floating gate; a dielectric layer 103; a conductive film 104 for a control gate; a gate electrode layer 105 formed of a tungsten layer; and a protective layer 107 formed of a dual layer consisting of a nitride layer 107a and an oxide layer 107b, on a sidewall of the gate electrode layer 105. - 特許庁

高Ｃｒ鋼製ピストンの金属表面に蓚酸塩化成処理被膜層からなる被膜層、あるいは二硫化モリブデン、二硫化タングステン、グラファイトの内少なくともひとつを主成分とした固体潤滑材を含有する被膜層を形成することにより、優れた耐焼付き性を有した高Ｃｒ鋼製ピストンを得ることができる。例文帳に追加

The high Cr steel piston with high anti-seizure property can be provided by forming a film layer formed of an oxalate treated film layer or a film layer containing a solid lubricating material formed mainly of at least one of molybdenum disulfide, tungsten disulfide, and graphite on the metal surface of the high Cr steel piston. - 特許庁

吸着分解材料は、貴金属または金属酸化物からなる第１の助触媒が担持され、かつ、酸化タングステンからなる光触媒と、上記第１の助触媒と同じ金属元素を有する第２の助触媒を含有してなるケイ素酸化物を主成分とする多孔質体とが複合され、比表面積が、３００ｍ^２／ｇ以上である。例文帳に追加

The adsorbing and decomposing material is a composite of a photocatalyst supporting a first promoter composed of a noble metal or a metal oxide, and composed of a tungsten oxide, and a porous body consisting mainly of a silicon oxide containing a second promoter having the same metal element as the first promoter, having a specific surface area of 300 m^2/g or more. - 特許庁

（a）ブロックトポリイソシアネートと、（b）ポリイソシアネート反応性基を有するポリマーと、（c）酸化状態が少なくとも＋4であるモリブデン及び／又はタングステンの有機化合物及び／又は無機化合物を１つ以上と、（d）水及び／又は有機溶剤又は混合溶剤とを含む、ポリウレタンベースの一成分焼付系。例文帳に追加

The one-component baking system of a polyurethane base includes (a) a blocked polyisocyanate, (b) a polymer having polyisocyanate-reactive groups, (c) at least one of an organic compound and/or an inorganic compound of molybdenum and/or tungsten with an oxidation state of at least +4, and (d) water and/or an organic solvent or a combined solvent. - 特許庁

少なくともミクロルーバ層１３及び近赤外線吸収層１２、必要に応じて更に電磁波遮蔽層１１を備え、画像表示装置の観察者側に直接貼り合わされる画像表示装置用前面フィルタ１４であって、ミクロルーバ層が該近赤外線吸収層よりも観察者側に配置され、近赤外線吸収層が下記式（Ｉ）で表わされる酸化タングステン系化合物、及び更に金属酸化物微粒子を含有してなる。例文帳に追加

This front filter 14 for the image display is provided at least with a microlouver layer 13 and the near-infrared ray absorption layer 12, and an electromagnetic wave shielding layer 11 when necessary, and is bonded directly to an observer side of the image display. - 特許庁

ピンとボックスの少なくとも一方の部材の接触表面に、(A) 二硫化モリブデン、二硫化タングステン、黒鉛および窒化硼素から選ばれた１種または２種以上の粉末からなる潤滑性粉末と、(B) ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)粉末と、(C) 結合剤、とからなる、防錆性、耐焼付き性および気密性に優れた固体潤滑被膜を形成する。例文帳に追加

A contact surface in at least one member of a pin and a box is formed with a solid lubricating film consisting of (A) lubricating powder composed of one, two or more selected from molybdenum disulfide, tungsten disulfide, graphite, and boron nitride, (B) polytetrafluoroethylene(PTFE) powder, and (C) binding agent, to be excellent in rust prevention, seizure resistance, and air-tightness. - 特許庁

フィン転造ロール４のロール本体３２は、炭化タングステン（ＷＣ）およびＮｉを含有するＷＣ−Ｎｉ系超硬合金で形成され、ＷＣ−Ｎｉ系超硬合金中のＷＣの平均粒径は０．５〜２μｍ、Ｎｉの含有量は１０〜３０ｗｔ％、Ｃｏの含有量は２ｗｔ％以下である。例文帳に追加

The roll body 32 of the fin form rolling 4 is made of WC-Ni base cemented carbide containing tungsten carbide (WC) and Ni and the mean particle size of WC in the WC-Ni base cemented alloy is 0.5-2 μm, the Ni content is 10-30 wt.%, Co content is 2 wt.% or less. - 特許庁

タングステン粉末と２〜６重量％のニッケル粉末に３重量％以下の鉄および又は銅粉末を添加した原料粉末と分散剤を含有するバインダーからなる組成物を射出成形し、得られた成形体を脱バインダー処理したのち、さらに、前記成形体を非酸化性雰囲気で焼結すること特徴とする。例文帳に追加

A material having the composition consisting of, by weight, a raw powder containing the powder tungsten and 2-6% powder nickel with ≤3 wt.% powder iron and/or powder copper added thereto and the binder containing the dispersant is injection molded, and the binder is removed from the obtained molding, and the molding is further sintered in the non-oxidizing atmosphere. - 特許庁

芳香族ジカルボン酸を主成分とするジカルボン酸成分とエチレングリコールを主成分とするジオール成分から重縮合反応を経てポリエステルを製造する方法において、重縮合反応用触媒としてタングステン化合物及びケイ素化合物を使用することを特徴とするポリエステルの製造方法。例文帳に追加

The method for producing the polyester comprises using a tungsten compound and a silicon compound as a catalyst for polycondensation reaction in the method for producing the polyester through a polycondensation reaction from a dicarboxylic acid component mainly composed of an aromatic dicarboxylic acid and a diol component mainly composed of ethylene glycol. - 特許庁

塩化ビニルと塩素とを反応させて、１，１，２−トリクロロエタンを製造する方法において、モリブデン、ガリウム、チタン、ジルコニウムおよびタングステンからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の金属もしくは金属化合物を含む系を触媒として用いることを特徴とする１，１，２−トリクロロエタンの製造方法。例文帳に追加

The method for producing 1,1,2-trichloroethane (TCE) comprises using a system containing at least one kind of metal selected from a group consisting of molybdenum, gallium, titanium, zirconium and tungsten or a compound of the metal as a catalyst, in the method for producing TCE by reacting vinyl chloride with chlorine. - 特許庁

本発明の廃棄物溶融炉用クロムフリー不定形耐火物は、アルミナ主体の耐火性原料とアルミナセメントおよび分散剤を含む配合組成に、前記の耐火性原料およびアルミナセメントの合計量１００質量％に対する割合で、三酸化タングステンまたは三酸化モリブデンを０．５〜１５質量％添加してなる。例文帳に追加

This chromium free monolithic refractory for the waste melting furnace comprises a compounded composition containing a refractory material mainly comprising an alumina, an alumina cement, and a dispersant, and 0.5-15 mass% tungsten trioxide or molybdenum trioxide added to 100 mass% of the total of the refractory material and the alumina cement. - 特許庁

保護層４３は、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステン、タリウム、スズ、鉛、ビスマス、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムから選択される元素の酸化物が、保護層の母材となる金属酸化物に溶け込んだ粉末粒子を、塗布，焼成して形成した。例文帳に追加

The protective layer 43 is formed by coating and calcining powder particles in which an oxide of an element chosen from titanium, zirconium, vanadium, niobium, tantalum, molybdenum, tungsten, thallium, tin, lead, bismuth, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium is dissolved in a metal oxide to become the matrix of the protective layer. - 特許庁

基材の一方の面に、樹脂と酸化タングステン系化合物粒子からなる近赤外線吸収剤を含む近赤外線吸收層、及び紫色から青色にかけての帯域よりも長波長域の光をより強く反射する、該近赤外線吸收層よりも低屈折率の層、が順次積層されることを特徴とする反射防止材である。例文帳に追加

The antireflection material is constituted by successively laminating, on one surface of a base material, a near-infrared absorption layer which contains a resin and the near-infrared absorber, consisting of tungsten oxide compound particles and a layer which more strongly reflects light of a wavelength region which is longer than the light of a region from violet to blue and which has a refractive index lower than that of the near-infrared absorption layer. - 特許庁

接合面の少なくとも一部に、厚み１５〜１００μｍのタングステン又はモリブデンよりなる焼結金属層２が形成された窒化アルミニウム焼結体１−ａ、１−ｂの接合体であって、前記焼結金属層のシート抵抗値が１Ω／□以下であり、且つ前記焼結金属層の反りが１００μｍ／１００ｍｍ以下である窒化アルミニウム接合体である。例文帳に追加

The bonded material comprises aluminum nitride sintered compacts 1-a and 1-b in which a sintered metal layer 2 comprising tungsten or molybdenum having a thickness of 15 to 100 μm is formed on at least a portion of a surface to be bonded, wherein the sintered metal layer has a sheet resistance value of 1Ω/square or less and exhibits a warp of 100μm/100mm or less. - 特許庁

ダイヤモンド粉末を、チタン、ジルコニウム、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウムから選ばれる１種以上の遷移金属のイオンを含有する溶融塩中に浸し、６００℃以上の溶融塩温度に保持して上記遷移金属イオンと充分に接触させることによって、ダイヤモンド粒子表面に該金属の炭化物層を形成する炭化物被覆ダイヤモンド粉末の製造方法。例文帳に追加

The process for producing the diamond powder coated with a carbide comprises immersing a diamond powder in a molten salt containing ions of one or more transition metals selected from titanium, zirconium, chromium, molybdenum, tungsten and vanadium and making the diamond powder sufficient contact with the transition metal ions while retaining a temperature of the molten salt at not less than 600°C to form a transition metal carbide layer on the surface of the diamond particle. - 特許庁

排ガスに含まれる有機塩素化合物を触媒によって分解除去する排ガス処理方法において、触媒としてチタン、ケイ素、バナジウムおよびタングステンの酸化物からなる繊維状触媒を用い、その触媒使用温度を１２０〜２００℃、空間速度（ＳＶ）を２５００〜５００００ｈ^-1とすることを特徴とする排ガス処理方法。例文帳に追加

In the exhaust gas treatment method for decomposing and removing the organochlorine compound contained in the exhaust gas with a catalyst, a fibrous catalyst consisting of oxides of silicon, vanadium and tungsten, is used as the catalyst and the use temperature of the catalyst is 120-200°C, and the space velocity(SV) is 2500-5000 h-1. - 特許庁

繊維基材、摩擦調整材、充填材、及びバインダーとして添加されるフェノール樹脂を主成分とする原料組成物を成形、硬化してなる摩擦材の原料組成物中に、好ましくは０．１〜１０．０体積％の硫化タングステンと、好ましくは５．０〜２５．０体積％のチタン酸カリウムを添加した。例文帳に追加

Into the raw material composition of the friction material obtained by molding and curing the raw material composition containing a phenol resin added as a fiber base material, a friction adjustment material, a filler and a binder as a main component, preferably 0.1-10.0 vol.% of tungsten sulfide and preferably 5.0-25.0 vol.% of potassium titanate are added. - 特許庁

走査型トンネル顕微鏡の探針１０において、探針１０はタングステン等の金属で形成され、探針１０の先端表面１２は炭化コーティング膜等のバッファー層を有し、探針１０の先端表面１２の炭化コーティング膜等のバッファー層からカーボンナノチューブ１３が延設されている走査型トンネル顕微鏡の探針１０とその製造方法である。例文帳に追加

In the probe 10 of the scanning tunneling microscope and its manufacturing method, the probe 10 is formed from metal such as tungsten, a tip surface 12 of the probe 10 has a buffer layer such as a carbonization coating film, and a carbon nanotube 13 is extended from the buffer layer such as the carbonization coating film of the tip surface 12 of the probe 10. - 特許庁

電源電位（ＶＤＤ）が印加される配線Ｍａおよび接地電位（ＧＮＤ）が印加される配線Ｍｂ上に窒化シリコン膜を堆積することによりキャパシタ絶縁膜ＣＺを形成し、このキャパシタ絶縁膜ＣＺ上にタングステン膜を堆積し、エッチングすることによりフローティング電極ＦＥを形成する。例文帳に追加

A capacitor insulation film CZ is formed by accumulating a silicon nitride film on wiring Ma applying power source electric potential (VDD) and wiring Mb applying ground electric potential (GND), tungsten films are accumulated on the capacitor insulation film CZ, and a floating electrode FE is formed by etching. - 特許庁

まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。例文帳に追加

First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam. - 特許庁

ニッケル、バナジウム、モリブデン、タングステン、クロム、マンガンなどの高価金属を含有する鋳片の表面欠陥除去を切削法により行い、発生する切削屑を含有する高価金属別に分別して２０〜８００ＭＰａの高圧で圧縮成形することにより固形化し、同じ高価金属を含有する鋼の精錬プロセスで溶解して再利用する。例文帳に追加

The surface defect removal of the cast slab containing the expensive metals such as nickel, vanadium, molybdenum, tungsten, chromium, manganese is performed with a cutting-off method and made to solid-shape by classifying the generated cut-off scrap into the respective contained expensive metals and compression forming at the high pressure of 20-800 MPa, and melted and reused in a refining process for steel containing the same expensive metal. - 特許庁

電源電位（ＶＤＤ）が印加される配線Ｍａおよび接地電位（ＧＮＤ）が印加される配線Ｍｂ上に窒化シリコン膜を堆積することによりキャパシタ絶縁膜ＣＺを形成し、このキャパシタ絶縁膜ＣＺ上にタングステン膜を堆積し、エッチングすることによりフローティング電極ＦＥを形成する。例文帳に追加

A capacitor insulating film CZ is formed by depositing a silicon nitride film on wiring Ma to which a power supply potential (VDD) is applied and wiring Mb to which a ground potential (GND) is applied, and a floating electrode FE is formed by depositing a tungsten film on the capacitor insulating film CZ and etching it. - 特許庁

光学素子の成形用金型１０は、タングステンカーバイド（ＷＣ）を主成分とする超硬合金で構成される成形面部１２と、ＷＣ単体よりも耐酸化性の高い合金であるニッケルクロムモリブデン鋼（ＳＮＣＭ４３９）で構成される母材部１３とが一体に接合される構成とした。例文帳に追加

In the mold 10 for the optical element, a molding surface part 12 composed of cemented carbide essentially comprising tungsten carbide (WC) is bonded to and unified with a base material part 13 composed of nickel-chromium-molybdenum steel (SNCM439) which is an alloy having a higher oxidation resistance compared to that of WC alone. - 特許庁

アルミニウム又はアルミニウム合金からなる母材の表面に耐食性を有する皮膜を形成する方法において、モリブデン酸イオン又はタングステン酸イオンと、リン酸と、フッ化物とを含む溶液中に母材を浸漬することにより、母材の表面に耐食被膜を形成することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for depositing a film having corrosion resistance on the surface of a base material consisting of aluminum or an alminum alloy, the base material is dipped into a solution containing molybdic ions or tungstic ions, phosphoric acid and fluoride to deposit a corrosion resistant film on the surface of the base material. - 特許庁

鉄系合金からなる内層材と、遠心鋳造法により形成された外層材を有するロールにおいて、前記外層材はその金属基地に炭化タングステン粒子を体積比で５０〜８０％含有し、前記外層材の表面に１００ＭＰａ以上の圧縮残留応力が付与されていることを特徴とする。例文帳に追加

In the roll having an internal layer material of iron-base alloy and an external layer material formed by centrifugal casting, the metal base of the external layer material contains 50 to 80% tungsten carbide particles by volume ratio and 100 MPa or more compressive residual stress is given to the surface of the external layer material. - 特許庁

特定の粘度平均分子量を有し、かつ、特定の末端水酸基濃度を有する芳香族ポリカーボネート樹脂に無機系近赤外線吸収剤として微量のタングステン酸化物微粒子を配合することにより、ヘイズが低く透明性に優れ、かつ日射透過率が低く十分な熱線遮蔽性を有する熱線遮蔽成形体が得られる。例文帳に追加

The heat-ray shielding molded article having a low haze, an excellent transparency, a low solar transmittance and a sufficient heat-ray shielding property is obtained by mixing an aromatic polycarbonate resin having a specific viscosity-average molecular weight and a specific terminal hydroxy group concentration with a very small amount of tungsten oxide fine particle as an inorganic near infrared absorber. - 特許庁

タングステン電極とモリブデンコイル棒と導電性サーメット棒とを同一軸線上に接合した電極アセンブリを使用し、ランタノイドを含む金属ハロゲン化物および緩衝ガスが封入された発光部を有するセラミックメタルハライドランプを設計する際には、透光性スリーブの端面は、前記電極アセンブリのモリブデンコイル棒が配置された部分に位置するように設計する。例文帳に追加

When an electrode assembly joining a tungsten electrode, a molybdenum coil bar, and a conductive cermet bar on the same axis is used and a ceramic metal halide lamp having a light-emitting unit where metal halide including lanthanoid and a buffer gas are enclosed is designed, an edge of a translucent sleeve is designed to be positioned at a section where the molybdenum coil bar of the electrode assembly is arranged. - 特許庁

金属製ロールセル２１と、このロールセル２１の外周面に形成された高耐食性層２２と、この高耐食性層２２上に形成され、６０〜９０％の炭化タングステン及び残部が金属材料から構成されるサーメット溶射層２３とを具備することを特徴とする抄紙機用プレスロール。例文帳に追加

This press roll for a paper machine, characterized by comprising a metal roll cell 21, a highly anticorrosive layer 22 formed on the outer peripheral surface of the roll cell 21, and a cermet sprayed layer 23 which is formed on the highly anticorrosive layer 22 and comprises 60 to 90% of tungsten carbide and the remainder of a metal material. - 特許庁

ＨＣｌ吸着剤として、スカンジウム，イットリウム，チタン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデン，タングステン，アルミニウム，ガリウム，インジウム，ケイ素，ゲルマニウム，スズ及びランタノイド系列に含まれる金属群の中から選ばれた少なくとも一種以上の金属の酸化物を使用する。例文帳に追加

As the adsorbent, at least one type of metal oxide selected from a metal group consisting of a scandium, an yttrium, a titanium, a zirconium, a hafnium, a vanadium, a niobium, a tantalum, a chromium, a molybdenum, a tungsten, an aluminum, a gallium, an indium, a silicon, a germanium, a tin or metal group contained in a lanthanoid series is used. - 特許庁

本発明の触媒は、少なくとも１種の第ＶＩＩＩ族元素と少なくともモリブデンおよび／またはタングステンとを含む触媒であって、前記の元素は、乾燥状態の触媒中でその少なくとも一部が、前記の触媒を調製するために使用される酸化物前駆体の中で少なくとも１種のヘテロポリアニオンの形態で、存在している。例文帳に追加

The catalyst contains at least one kind of VIII group element and at least molybdenum and/or tungsten. - 特許庁

表面被覆処理工程における熱線遮蔽機能の損失が起き難い複合タングステン酸化物微粒子が、ポリカーボネート樹脂中に分散しているマスターバッチの製造方法と、当該マスターバッチの製造方法により得られたマスターバッチ、および、当該マスターバッチを用いて得られた成形体並びに積層体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a masterbatch in which composite tungsten oxide fine particles hardly causing a loss of a heat ray shielding function in a surface coating treatment process are dispersed in a polycarbonate resin, a masterbatch obtained by the masterbatch production method, a molded product and a laminate obtained by using the masterbatch. - 特許庁

このとき、例えば、配線が形成されない領域に薄く無機ＳＯＧを塗布し、張り合わせた後に４００℃から５００℃程度の熱処理を行ない、両ブロックの層間絶縁膜を接着するとともに、多層配線ブロック２０の配線ａとトランジスタ素子ブロック２１のタングステン１９とをシリサイド化反応させて電気的に接合させる。例文帳に追加

Also, the wiring (a) of the multilayer wiring block 20 and the tungsten 19 of the transistor element block 21 are subjected to silicidation and are electrically joined. - 特許庁

ロータ４とサイドハウジング（ハウジング１とエンドフレーム２）のうち、アルミニウム合金で形成される部材の表面に二硫化モリブデンによる封孔処理がなされたアルマイト皮膜１９を、他方の部材にタングステンカーバイドのコーティング膜１８を各々設け、それ等を摺動面にしてサイドシールを行う面の密着性を高めるようにした。例文帳に追加

The surface of the member formed of an aluminum alloy, out of the rotor 4 and the side housing (a housing 1 and an end frame 2) is provided with an anodized aluminum film 19 sealed with molybdenum disulfide, and the other member is provided with a coating film 18 of tungsten carbide to enhance the close contact properties of surfaces on which side sealing is performed using these films as sliding surfaces. - 特許庁

簡単な構成でランプ装着時のはんだ付けが容易になるとともに、ランプ製造時における外部リード線の酸化膜除去工程を省くことができ、タングステンまたはモリブデンからなる封着材であっても溶接によって外部リード線との強度を十分確保することができる封着用リード線およびこのリード線を有する冷陰極蛍光ランプを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a lead wire for sealing in which soldering is facilitated by simple constitution when a lamp is attached, in which an oxide film removing process of the external lead wire in manufacturing lamps can be omitted, and in which connection strength with the external lead wire is enabled to be sufficiently secured by welding even if a sealing material is made of tungsten or molybdenum. - 特許庁

前記、ガラス管２８に封入される不活性ガスをクリプトン又はキセノンを主成分としたものとし、タングステンフィラメント２９を細線化してその色温度を２５００Ｋ以上とし、電源投入直後に輻射熱源内のフィラメント２９とガラス管２８と不活性ガスに滞留される熱量を低減する。例文帳に追加

The inert gas enclosed in the glass tube 28 is principally composed of krypton or xenon, and the tungsten filament 29 is made to be a thin filament and set so that its color temperature may be ≥250 K, then the quantity of heat retained in the filament 29, the glass tube 28 and the inert gas in the radiant heat source just after supplying power is reduced. - 特許庁