「けい化タングステン」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

近赤外線吸収能を有する粘着塗膜を作る為の粘着剤組成物に、近赤外線吸収剤として無機系であるセシウム含有酸化タングステン粒子を含有させると、粘着塗膜が微かに青白味を帯びて、ＰＤＰ用光学フィルタ等に適用時に透明性や色純度が低下するのを防ぐ。例文帳に追加

To prevent the shortcoming that, when an adhesive composition for making an adhesive coating film having near-IR absorptivity is incorporated with cesium-containing tungsten oxide particles as a near-IR absorbing agent, the adhesive coating film faintly takes on a pale hue, to reduce the transparency and color purity, when applied to an optical filter for PDP and the like. - 特許庁

コバルトを４〜２０重量％と、クロムを０．３〜３．０重量％および／またはバナジウムを０．１〜３．０重量％と、残部が平均粒径が１μｍ以下とされた炭化タングステンと不可避不純物とからなる超硬合金からバックエッジ先端１６、第１ドクターエッジ先端１７、第２ドクターエッジ先端１８を形成した。例文帳に追加

A back edge leading end 16, a first doctor edge leading end 17 and a second doctor edge leading end 18 are formed from a hard alloy comprising 4-20 wt.% of cobalt, 0.3-3.0 wt.% of chromium and/or 0.1-3.0 wt.% vanadium and the remainder of tungsten carbide with an average particle size of 1 μm or less and inevitable impurities. - 特許庁

タングステン膜とシリコン酸化膜３に研磨処理を施す際に、研磨条件を変えることによってあらかじめ求められた残存段差とパターン密度との関係に基づいて、この研磨工程におけるプラグ８ａ〜８ｃのパターン密度と、要求される所定の残存段差とから、この所定の残存段差ｈを超えないように研磨条件が決定される。例文帳に追加

When polishing a tungsten film and a silicon oxide film 3, a polishing condition is determined so that the predetermined remaining step is below the predetermined remaining difference in level h determined by a pattern density of plugs 8a to 8c at the polishing process and the required predetermined remaining difference in level on the basis of the relationship between the obtained remaining difference in level and the pattern density. - 特許庁

ヘテロ原子が珪素もしくはリンであり、かつ、ポリ原子がモリブデン、タングステン、バナジウム、およびニオブからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素である二欠損構造部位含有ヘテロポリオキソメタレートアニオン（Ａ）と、ポリ原子以外の二種類の元素（Ｂ）が欠損部位に組み込まれていることを特徴とするヘテロポリオキソメタレート化合物。例文帳に追加

The heteropolyoxometalate compound has a di-deficient structural site-containing heteropolyoxomethalate anion (A) having silicon or phosphorus as a heteroatom and at least one element selected from the group consisting of molybdenum, tungsten, vanadium, and niobium as a polyatom, into the deficient sites of which two types of elements (B) other than the polyatom are incorporated. - 特許庁

タングステンを含むＣｒＭｏＶ系耐熱鋼において、高圧部の組織がベーナイト相に体積％で１０％を越えて４０％以下の初析フェライト相を含む金属組織とすることで、クリープ脆化を生じることなく、高いクリープ強度を実現した高低圧一体型タービンロータを採用する。例文帳に追加

The integrated turbine rotor for the high-low pressure in which high creep strength is realized without generating creep embrittlement by forming a structure of the high pressure part of CrMoV heat resistant steel containing tungsten into the martensitic one where a pro-eutectoid ferritic phase of >10% to ≤40% is contained in a bainitic phase is adopted. - 特許庁

２〜５０ｎｍの１次粒子径を有する酸化第二スズ−二酸化珪素複合コロイド粒子又は五酸化アンチモン−二酸化珪素複合コロイド粒子で変性された酸化チタン−酸化ジルコニウム−酸化スズ複合コロイド粒子、又は酸化第二スズ−二酸化珪素複合コロイド粒子又は五酸化アンチモン−二酸化珪素複合コロイド粒子で変性された酸化チタン−酸化スズ−酸化ジルコニウム−酸化タングステン複合コロイド粒子及びオキシカルボン酸を含有するコーティング組成物による。例文帳に追加

This coating composition contains: titanium oxide-zirconium oxide-tin oxide complex colloid particles modified with stannic oxide-silicon dioxide complex colloid particles having a primary particle size of 2-50 nm or antimony pentoxide-silicon dioxide complex colloid particles; or titanium oxide-tin oxide-zirconium oxide-tungsten oxide complex colloid particles modified with stannic oxide-silicon dioxide complex colloid particles or antimony pentoxide-silicon dioxide complex colloid particles; and oxycarboxylic acid. - 特許庁

基板上に少なくとも、下側酸化物層、銀系薄膜および上側酸化物層を順次積層した積層膜を配設した電極基板において、下側酸化物層を、酸化セリウムを主材とし、これに酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、および酸化タングステンのうちから選ばれた１種類以上の酸化物を混合した混合酸化物とすることを特徴とする電極基板。例文帳に追加

In an electrode substrate 1 provided with a substrate 10 on which a laminated film 5 comprising at least a lower oxide layer 2, a silver based thin film 3 and an upper oxide layer 4 are laminated successively, the lower oxide layer 2 comprises mixed oxide prepared by mixing cerium oxide as a main component and one or more oxides selected from the group of yttrium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide and tungsten oxide. - 特許庁

基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。例文帳に追加

The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer. - 特許庁

冷陰極蛍光管１の両端の電極部２のカップ電極４に、タングステン及び／またはモリブデンの基材に、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化ストロンチウム、酸化ハフニウム及び酸化バリウムからなる群のうちの１種または２種以上を４〜１０ｗｔ％含有し、さらに、重量比で０．０５〜０．５ｗｔ％のニッケル、鉄、コバルト及びパラジウムのうちの１種または２種以上を含有する電極を用いる。例文帳に追加

A cup electrode 4 of electrode parts 2 at both ends of a cold cathode fluorescent tube 1 uses a tungsten and/or molybdenum substrate containing 4-10 wt% at least one selected from the group comprising lanthanum oxide, yttrium oxide, cerium oxide, strontium oxide, hafnium oxide, and barium oxide and furthermore containing 0.05-0.5 wt% at least one of nickel, iron, cobalt, and palladium. - 特許庁

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。例文帳に追加

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer. - 特許庁

シリコン微粒子の製造方法は、シリコンの水素化物を含む原料ガスを、タングステン，タンタル，炭素，モリブデンおよびチタンのうちのいずれか一種またはその化合物から成る加熱触媒に接触させてシリコンの水素化物からシリコンを解離させるとともに、原料ガスの圧力を解離したシリコンが凝集可能な高圧とすることによって、解離したシリコンを凝集させてシリコン微粒子を形成する。例文帳に追加

The manufacturing method of silicon fine particle comprises dissociating silicon from a silicon hydride by bringing a raw material gas containing the silicon hydride into contact with a heated catalyst comprising either one of tungsten, tantalum, carbon, molybdenum and titanium or a compound thereof, and at the same time aggregating the dissociated silicon by raising the pressure of the raw material gas to high pressure capable of aggregating the dissociated silicon to form silicon fine particle. - 特許庁

本発明は、ゴルフクラブヘッドに関するものであり、軟鉄鍛造のゴルフクラブヘッドにチタンとタングステンを複合することにより、従来の軟鉄鍛造のゴルフクラブヘッド単材では出来なかったしっかりした打球感を保ちながら低重心化や、スイートエリアの拡大や重心まわりの慣性楕円体の慣性主軸の方向を望ましい方向に設計する等の性能面を重視した設計自由度の大きなゴルフクラブヘッドに関するものである。例文帳に追加

To provide a golf club head having a greater freedom of designing, emphasizing performance aspects including lowering of the center of gravity while retaining a feeling of sure ball striking that cannot be realized by a conventional soft iron golf club head material alone, enabling expansion of the sweet area and designing of the direction of the principal axis of inertia of an inertial ellipse around the center of gravity into a desirable direction. - 特許庁

回路基板の内部で、下方の配線層の上に、アルミニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、バナジウム、ビスマス、チタン、ジルコニウム又はハフニウムから選ばれた少なくとも１種類のバルブ金属からなる下部金属層、下部金属層のバルブ金属の酸化物からなる誘電体層、固体電解質からなる中間層及び電極金属からなる上部金属層をこの順に積層することによって、キャパシタを形成する。例文帳に追加

The capacitor is formed by forming a lower metal layer of at least one kind of valve metal selected from aluminum, tantalum, niobium, tungsten, vanadium, bismuth, titanium, zirconium or hafnium, a dielectric layer composed of an oxide of valve metal in the lower metal layer, an intermediate layer of solid state electrolyte, and an upper metal layer of electrode metal sequentially on an underlying wiring layer in a circuit board. - 特許庁

第三条　この条以下において「鉱物」とは、金鉱、銀鉱、銅鉱、鉛鉱、そう鉛鉱、すず鉱、アンチモニー鉱、水銀鉱、亜鉛鉱、鉄鉱、硫化鉄鉱、クローム鉄鉱、マンガン鉱、タングステン鉱、モリブデン鉱、ひ鉱、ニツケル鉱、コバルト鉱、ウラン鉱、トリウム鉱、りん鉱、黒鉛、石炭、亜炭、石油、アスフアルト、可燃性天然ガス、硫黄、石こう、重晶石、明ばん石、ほたる石、石綿、石灰石、ドロマイト、けい石、長石、ろう石、滑石、耐火粘土（ゼーゲルコーン番号三十一以上の耐火度を有するものに限る。以下同じ。）及び砂鉱（砂金、砂鉄、砂すずその他ちゆう積鉱床をなす金属鉱をいう。以下同じ。）をいう。例文帳に追加

Article 3 (1) The term "mineral" as used in the following Articles of this Act shall mean gold ore, silver ore, copper ore, lead ore, bismuth ore, tin ore, antimony ore, mercury ore, zinc ore, iron ore, iron sulfide ore, chrome iron ore, manganese ore, tungsten ore, molybdenum ore, arsenic ore, nickel ore, cobalt ore, uranium ore, thorium ore, phosphate ore, graphite, coal, lignite, oil, asphalt, combustible natural gas, sulfur, gypsum, barites, alunite, fluorine, asbestos, limestone, dolomite, silica, feldspar, agalmatolite, talc, fireclay (limited to those that have fire resistance of Seger cone number 31 or higher; the same shall apply hereinafter), and placer (alluvial gold, iron sand, stream tin and other metallic ores that constitute alluvial deposits; the same shall apply herein after).  - 日本法令外国語訳データベースシステム

平均粒径が０．３μｍ以下の炭化タングステン粒子間を、Ｃｏを主体とする結合相により結合した超硬合金であって、Ｃｏを２．０〜８．０質量％、Ｖを０．１０〜０．９０質量％及びＣｒを０．０６〜０．８０質量％の範囲で含み、更にＶ含有量とＣｏ含有量との質量比（Ｖ／Ｃｏ）を０．０５〜０．１２としＣｒ含有量とＣｏ含有量との質量比（Ｃｒ／Ｃｏ）を０．０３〜０．１０とし、Ｖ含有量とＣｒ含有量との合計とＣｏ含有量との質量比（Ｖ＋Ｃｒ）／Ｃｏを０．１１〜０．２０とし、及びＶ含有量とＣｒ含有量との質量比（Ｖ／Ｃｒ）を１．１０〜１．９０としたものであり、最大粒径が０．３μｍ以下（０を含まない。例文帳に追加

The ultrafine particle cemented carbide is obtained by binding tungsten carbide particles having the average particle diameter of ≤0.3 μm with a binder phase essentially consisting of Co. - 特許庁