「ひ化インジウム」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER - 特許庁

スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法例文帳に追加

METHOD OF INCREASING SPECIFIC RESISTANCE OF TIN-DOPE INDIUM OXIDE FILM - 特許庁

表面変性されたインジウム−スズ−酸化物例文帳に追加

SURFACE-MODIFIED INDIUM-TIN OXIDE - 特許庁

インジウム−錫−酸化物、その製造方法および使用例文帳に追加

INDIUM - TIN - OXIDE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND THE USE - 特許庁

インジウム−スズ酸化物薄膜形成用塗布液例文帳に追加

COATING LIQUID FOR FORMING THIN FILM OF INDIUM-TIN OXIDE - 特許庁

インジウム−錫酸化物焼結体の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING INDIUM-TIN OXIDE SINTERED COMPACT - 特許庁

また、研磨対象物は、サファイア、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ヒ化ガリウム、ヒ化インジウム又はリン化インジウムからなることが好ましい。例文帳に追加

The object to be polished is preferably of sapphire, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium arsenide, or indium phosphide. - 特許庁

従来からの問題を是正した、インジウムナノワイヤに錫を所定量、均一に固溶させたインジウム−錫ナノワイヤ、およびこのインジウム−錫ナノワイヤを酸化して形成するインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）ナノワイヤの提供と、このインジウム−錫ナノワイヤとインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）ナノワイヤを簡便にかつ安価に製造する製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium-tin nanowire in which conventional problems are corrected, and solid-solution of a prescribed amount of tin into an indium nanowire is uniformly carried out, an indium-tin oxide (ITO) nanowire formed by oxidizing the indium-tin nanowire, and to provide a method for easily and inexpensively producing the indium-tin nanowire and indium-tin oxide (ITO) nanowire. - 特許庁

酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER, SPUTTERING TARGET USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER - 特許庁

酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING SINTERED COMPACT TARGET OF INDIUM OXIDE-ZINC OXIDE - 特許庁

２）銀粒子の表面をインジウム酸化物あるいはインジウム錫酸化物被膜で被覆し、これを用いた導電性ペーストで電極を形成する。例文帳に追加

(2) The surface of silver particles is covered with an indium oxide or an indium tin oxide film and the electrode is formed of conductive paste using them. - 特許庁

インジウムを含有する宝飾品用硬化白金合金及び製品例文帳に追加

INDIUM-CONTAINING HARDENED PLATINUM ALLOY FOR JEWEL, AND PRODUCTS - 特許庁

裏面側の酸化インジウム層９の算術平均粗さ（Ｒａ）は、表面側の酸化インジウム層５の算術平均粗さ（Ｒａ）より大きい。例文帳に追加

The arithmetical mean roughness (Ra) of the indium oxide layer 9 on the rear surface side is larger than the arithmetical mean roughness (Ra) of the indium oxide layer 5 on the surface side. - 特許庁

本発明の透明導電膜９は、インジウム−スズ酸化膜９ａ又はインジウム−亜鉛酸化膜９ｃ、アルミニウム−ニッケル合金膜９ｂ及びインジウム−スズ酸化膜９ａ又はインジウム−亜鉛酸化膜９ｃが順次積層された３層構造からなることを特徴とする。例文帳に追加

The transparent conductive film 9 is made of a three-layer structure with: an indium-tin oxide film 9a or an indium-zinc oxide film 9c; an aluminum-nickel oxide film 9b; and an indium-tin oxide film 9a or an indium-zinc oxide film 9c, wherein these films are laminated in this order. - 特許庁

炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法例文帳に追加

INDIUM PHOSPHIDE NANOWIRE COVERED WITH CARBON FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

フッ素含有インジウム−錫酸化物焼結体及びその製造方法例文帳に追加

SINTERED COMPACT OF FLUORINE-CONTAINING INDIUM-TIN OXIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

酸化インジウム錫薄膜およびその製造方法、液晶表示素子例文帳に追加

INDIUM TIN OXIDE THIN FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD, LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT - 特許庁

銅インジウム二セレン化物(CIS)をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むCISをベースとする太陽光吸収体層を備える。例文帳に追加

The copper indium diselenide (CIS)-based photovoltaic device includes a CIS-based solar absorber layer including copper, indium, and selenium. - 特許庁

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。例文帳に追加

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed. - 特許庁

塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を出発原料として用いた場合であっても、塩素品位が６質量ｐｐｍ以下である酸化インジウムを主成分とする粉末を提供する。例文帳に追加

To provide a powder essentially composed of indium oxide of which the chlorine quality is 6 ppm by mass or less even when an indium chloride or a metal salt essentially composed of indium chloride is used as a starting material. - 特許庁

下記反応式の様に、２種のインジウム化合物（三塩化インジウムとインジウムトリ(ヘキサメチルジシラジド））から成るインジウム触媒と求核剤としてアリルボロネートを用いてスチレンオキシドのエポキシド開環反応を行うことで、内部開環生成物３を選択的に生成することができる。例文帳に追加

An internal ring-opened product 3 is selectively produced by subjecting styrene oxide to an ring opening reaction of an epoxide using an indium catalyst comprising two species of indium compounds [indium trichloride and indium tri(hexamethyldisilazide)] and allyl boronate as a nucleophilic agent, according to the reaction formula shown herein. - 特許庁

インジウムを含有する排水汚泥、炉材に含浸されたインジウム、鋳造屑等の低品位で多量の不純物を含んだ原料を使用して、インジウムの電解採取工程に使用可能な水酸化物の形態のインジウムを効率良く回収する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of effectively recovering indium in the form of a hydroxide usable for an electrolytic collecting process of the indium by using raw materials containing a large amount of impurities of a low grade, such as waste water sludge containing the indium, the indium with which furnace materials are impregnated, casting scrap and the like. - 特許庁

酸化インジウムを主成分として、ルテニウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範囲で、ルテニウムを含み、かつスズ／インジウム原子数比が０．００１〜０．１６３の範囲で、スズを含む。例文帳に追加

This light-absorptive transparent electroconductive film comprises indium oxide as a principal component, ruthenium within a range of 0.001 to 0.11 Ru/In atomic ratio and tin within a range of 0.001 to 0.163 Sn/In atomic ratio. - 特許庁

インジウムを含む酸溶液から、インジウムを回収する方法において、前記酸溶液の酸化還元電位が−２０ｍＶを超えて３００ｍＶとなるまで、ＮａＳＨ及びＮａ_２Ｓの少なくともいずれかを添加し、前記酸溶液からインジウムを硫化物として沈殿させることを特徴とするインジウム含有物からのインジウム硫化方法である。例文帳に追加

The method for sulfurizing indium from an indium-containing material is characterized in that, in a method for recovering indium from an indium-containing acid solution, at least either of NaSH and Na_2S is added until the redox potential of the acid solution becomes >-20 mV to 300 mV to precipitate indium in the form of a sulfide from the acid solution. - 特許庁

酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜例文帳に追加

INDIUM OXIDE-ZINC OXIDE-MAGNESIUM OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM - 特許庁

２　主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極例文帳に追加

ii. Photocathodes using gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material  - 日本法令外国語訳データベースシステム

酸化インジウムスズ膜３０は、非酸化物接着層２０の第二面２２に形成される。例文帳に追加

The indium tin oxide film 30 is formed on the second face 22 of the non-oxide adhesive layer 20. - 特許庁

基板１０と、非酸化物接着層２０と、酸化インジウムスズ膜３０とを備える。例文帳に追加

The bonding structure is provided with a substrate 10, an non-oxide adhesive layer 20, and an indium tin oxide film 30. - 特許庁

酸化インジウム−酸化タングステン系透明導電膜及びその製造方法例文帳に追加

INDIUM OXIDE-TUNGSTEN OXIDE BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

インジウム−錫酸化物廃スクラップをリサイクルした錫酸化物粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a tin oxide powder by recycling an indium-tin oxide scrap. - 特許庁

第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層９は、ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含む。例文帳に追加

The second III-V compound semiconductor layer 9 contains gallium, indium, nitrogen, arsenic, and antimony. - 特許庁

アクリル樹脂板の表面に、酸化インジウム系微粒子を含有する架橋被膜を形成する。例文帳に追加

A crosslinked film containing fine particles of indium oxide is formed on the surface of an acrylic resin sheet. - 特許庁

有利に高い品質を有するインジウム含有窒化物を比較的低温で成長させられる。例文帳に追加

An indium-containing nitride of high quality is effectively grown at a relatively low temperature. - 特許庁

加熱素子（２）が少なくとも部分的にインジウム−スズ−酸化物から成るようにした。例文帳に追加

The sensor unit for measuring the parameters of the measuring gas is characterized in that the heating element (2) is at least partially formed with indium-tin-oxide. - 特許庁

接触式パネルは、酸化インジウムスズ膜３０と基板１０との接着に非酸化物を使用するため、酸素拡散により酸化インジウムスズ膜３０の面抵抗値の安定性は影響を受けず、酸化インジウムスズ膜３０の良好な耐熱性および安定性を維持することを可能にする。例文帳に追加

Since the contact type panel uses non-oxide for adhesion of the indium tin oxide film 30 with the substrate 10, the stability of a plane resistance value of the indium tin oxide film 30 is not affected by oxygen diffusion, and the excellent heat resistance and stability of the indium tin oxide film 30 can be maintained. - 特許庁

インジウム及び酸素を含有する化合物と錫及び酸素を含有する化合物の混合物、又はインジウム、錫及び酸素を含有する化合物を原料として用い、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とするインジウム−錫酸化物焼結体の製造方法。例文帳に追加

A mixture of a compound containing indium and oxygen and a compound containing tin and oxygen, or a compound containing indium, tin and oxygen is used as the raw material, and, a d.c. pulse current is supplied thereto under pressure, and the raw material is electrically sintered. - 特許庁

インジウムのサブハライドを主成分とする粒子を含み、錫化合物が溶解され、かつ酸が添加された非水系溶媒中に、開始剤を加えて不均化反応させることによりインジウム−錫ナノワイヤを得ることを特徴とするインジウム−錫ナノワイヤの製造方法。例文帳に追加

The method for producing an indium-tin nanowire includes: adding an initiator to a non-aqueous solvent comprising grains essentially composed of sub-halides of indium, dissolved with a tin compound and also admixed with acid; and causing disproportionation reaction to obtain the indium-tin nanowire. - 特許庁

第１金属膜２２の上の１層は、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛及び酸化インジウムスズ亜鉛からなるグループのいずれか１つの材料又は材料を含む合金からなる第２金属膜２４である。例文帳に追加

One layer formed on the first metal film 22 is a second metal film 24 composed of any one of materials in a group composed of molybdenum, tungsten, chrome, titanium, indium tin oxide, indium zinc oxide, and indium tin zinc oxide or the alloy of the material. - 特許庁

導電性微粒子と着色剤と極性溶媒とを含み、導電性微粒子が酸化インジウム、ＳnまたはＦがドーピングされた酸化インジウムから選ばれる酸化インジウム系微粒子であり、着色剤が正電荷を有する粒子であることを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。例文帳に追加

This coating liquid for forming the electroconductive film contains electroconductive fine particles, a coloring agent and a polar solvent, wherein the electroconductive fine particles are indium oxide-based fine particles selected from indium oxide or indium oxide doped with Sn or F, and the coloring agent is particles having a positive charge. - 特許庁

井戸領域５は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。例文帳に追加

The well region 5 consists of a III-V compound semiconductor comprising nitrogen, indium and gallium. - 特許庁

長波長窒化インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓＮ）活性領域の製作方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING LONG WAVELENGTH INDIUM/GALLIUM/ ARSENIC NITRIDE (InGaAsN) ACTIVE REGION - 特許庁

ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。例文帳に追加

To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost. - 特許庁

好ましくは、導体材料の薄膜（６）は、インジウム−スズ酸化物からなる。例文帳に追加

Preferably, a thin film 6 as a conductor material is made of indium-tin oxide. - 特許庁

透明樹脂フィルムの表面に透明な酸化インジウム膜が付設されてなる放熱用透明フィルム。例文帳に追加

The transparent film for heat dissipation includes a transparent indium oxide film provided on the surface thereof. - 特許庁

インジウム層４３は、電気的導通を有する程度にその表面が酸化されている。例文帳に追加

The indium layer 43 has its surface oxidized to such a degree as to have a conductivity. - 特許庁