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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > エミッタ接地回路に関連した英語例文

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エミッタ接地回路の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 88



例文

エミッタ接地差動増幅器用バイアス回路内蔵の半導体集積回路例文帳に追加

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT INCORPORATING BIAS CIRCUIT FOR EMITTER GROUNDED DIFFERENTIAL AMPLIFIER - 特許庁

MOSFETのゲート駆動回路におけるエミッタ接地増幅回路例文帳に追加

EMITTER GROUNDED AMPLIFIER CIRCUIT IN GATE DRIVE CIRCUIT OF MOSFET - 特許庁

エミッタ接地増幅回路、移動無線端末装置および無線基地局装置例文帳に追加

GROUNDED EMITTER AMPLIFIER CIRCUIT, MOBILE RADIO TERMINAL EQUIPMENT, AND RADIO BASE STATION DEVICE - 特許庁

エミッタ接地増幅回路の省電力、省スペース化を図ること。例文帳に追加

To attain power saving and space saving in an emitter grounded amplifier circuit. - 特許庁

例文

第1のエミッタ接地アンプが、高域の周波数でゲインを上げ、第2のエミッタ接地アンプが、高域の周波数でゲインを下げ、混合回路18が、第1のエミッタ接地アンプ、および第2のエミッタ接地アンプの出力を混合比可変に混合する。例文帳に追加

The 1st grounded emitter amplifier increases the gain at a high frequency, the 2nd grounded emitter amplifier decreases the gain at the high frequency and the mixer circuit 18 mixes the output of the 1st grounded emitter amplifier and the output of the 2nd grounded emitter amplifier with a variable mixing ratio. - 特許庁


例文

高域の周波数でゲインを上げる第1のエミッタ接地アンプと、高域の周波数でゲインを下げる第2のエミッタ接地アンプと、第1のエミッタ接地アンプ、および第2のエミッタ接地アンプの出力を混合比可変に混合する混合回路18と、備えている。例文帳に追加

The waveform correction circuit is provided with a 1st grounded emitter amplifier that increases a gain at a high frequency, a 2nd grounded emitter amplifier that decreases the gain at a high frequency, and a mixer circuit 18 that mixes an output of the 1st grounded emitter amplifier and the output of the 2nd grounded emitter amplifier at a variable mixing rate. - 特許庁

エミッタ接地回路、ならびにそれを用いた高周波受信機および高周波送信機例文帳に追加

GROUNDED EMITTER CIRCUIT, HIGH FREQUENCY RECEIVER AND HIGH FREQUENCY TRANSMITTER EMPLOYING IT - 特許庁

増幅部10は、トランジスタQ1を用いたエミッタ接地型増幅回路である。例文帳に追加

The amplifying part 10 is an emitter-grounded type amplifying circuit using a transistor Q1. - 特許庁

位相制御回路20は、バイポーラトランジスタ101のエミッタ接地との間に配置される。例文帳に追加

A phase control circuit 10 is arranged between the emitter of a bipolar transistor 101 and a ground connection. - 特許庁

例文

スポット残り防止回路5をトランジスタ14のエミッタ端子14eを介して接地に接続する。例文帳に追加

The residual spot prevention circuit 5 is connected to the ground through an emitter terminal 14e of the transistor 14. - 特許庁

例文

エミッタ接地増幅回路において、バーズビーク4の寄生容量を低減する。例文帳に追加

To reduce parasitic capacitance of a bird's beak 4 in a grounded emitter amplifier. - 特許庁

高周波増幅回路は、1段目にトランジスタTr1を用いたエミッタ接地増幅回路、2段目にダーリントン接続のトランジスタTr2、Tr3を用いたエミッタ接地回路の2段増幅の構成となっている。例文帳に追加

The high-frequency amplifier circuit has a two-stage amplification configuration of a common-emitter amplifier circuit using a transistor Tr1 as a first stage and a common-emitter circuit using darlington-connected transistors Tr2, Tr3 as a second stage. - 特許庁

1段目の回路はnpnトランジスタQ_1から成るコレクタ−エミッタ分割形回路で、2段目の回路はpnpトランジスタQ_2から成るエミッタ接地形増幅回路である。例文帳に追加

A 1st step circuit is a collector/emitter separating circuit composed of an npn transistor Q_1, and a 2nd step circuit is a grounded emitter amplifier circuit composed of a pnp transistor Q_2. - 特許庁

低入力インピーダンス回路とするためにベース接地したトランジスタTr1による増幅器を含み、そのベース電位をトランジスタTr2によるエミッタフォロア増幅器(エミッタ接地した増幅回路)により保持している。例文帳に追加

The front end of the ultrasonic diagnostic apparatus includes the amplifier by a transistor Tr1 base-grounded to be a low-input impedance circuit and the base potential is held by an emitter follower amplifier (emitter- grounded amplifier circuit) by a transistor Tr2. - 特許庁

電力増幅回路(100)は、基準電源(41,42)とエミッタホロワ回路(43)とバイアス印加素子(10,11)とエミッタ接地増幅回路(5)とを含む。例文帳に追加

The power amplifier circuit (100) includes: reference power sources (41, 42); an emitter follower circuit (43); biasing elements (10, 11); and an emitter grounding amplifier circuit (5). - 特許庁

増幅回路は、エミッタ接地された第1のバイポーラトランジスタと、第1のバイポーラトランジスタのバイアス回路とを備える。例文帳に追加

The amplifier circuit is provided with an emitter-grounded first bipolar transistor and a bias circuit of the first bipolar transistor. - 特許庁

増幅回路は、エミッタ接地された第1のバイポーラトランジスタと、第1のバイポーラトランジスタのバイアス回路と、を備える。例文帳に追加

This amplifier circuit includes a grounded-emitter first bipolar transistor, and a bias circuit of the first bipolar transistor. - 特許庁

エミッタ接地回路を含む可変利得増幅回路において、信号の位相変化量を低減し、所期の増幅率により近い増幅率を得る。例文帳に追加

To obtain an amplification factor nearer to an expected amplification factor by reducing a signal phase variation magnitude in a variable gain amplifier circuit including a grounded emitter circuit. - 特許庁

上記基準電源からのバイアス用電圧を上記エミッタホロワ回路により、上記バイアス印加素子を介して上記エミッタ接地増幅回路のベースに印加することでバイアス電流を供給する。例文帳に追加

Bias current is supplied by impressing voltage for bias from the reference power sources to a base of the emitter grounding amplifier circuit via the biasing elements by the emitter follower circuit. - 特許庁

上記エミッタ接地形増幅回路の増幅度A及び電圧分割比βは(1+Aβ)<Aとなるように設定される。例文帳に追加

The amplification degree A of the grounded emitter amplifier circuit and a voltage division ratio β is set as (1+Aβ)<A. - 特許庁

また、エミッタ接地増幅回路として機能するトランジスタQ_2にも、ミラー効果補償用トランジスタQ_23が接続されている。例文帳に追加

Furthermore, a transistor Q_2 functioning as an emitter grounded amplification circuit is also connected with a mirror effect compensation transistor Q_23. - 特許庁

トランジスタQ1のエミッタ接地端子との間に発生する寄生インダクタンス成分L14と並列に共振回路部21が接続される。例文帳に追加

A resonance circuit part 21 is connected in parallel with a parasitic inductance component L14 which is generated between an emitter of a transistor Q1 and a grounding terminal. - 特許庁

上記エミッタホロワ回路のベースとコレクタとの間に、上記ベースを接地するための容量素子(101)を接続する。例文帳に追加

A capacitive element (101) for grounding the base is connected between the base and a collector of the emitter follower circuit. - 特許庁

本発明の高周波スイッチ回路1は、第1および第2のベース接地回路11、21、エミッタ接地回路31、第1および第2のベース用スイッチ素子41、42、第1および第2の短絡用スイッチ素子51、52を備える。例文帳に追加

The high frequency switching circuit 1 includes first and second base grounding circuits 11 and 21, an emitter grounding circuit 31, first and second base switch elements 41 and 42, and first and second short circuit switch elements 51 and 52. - 特許庁

負性抵抗回路Nは、1段目の回路がnpnトランジスタQ_1から成るC−E分割形回路で、2段目の回路がpnpトランジスタQ_2から成るエミッタ接地形増幅回路である。例文帳に追加

The negative resistance circuit N comprises a first stage circuit being a C-E split circuit composed of an npn transistor Q1 and a second stage circuit being a common emitter amplifier circuit composed of a pnp transistor Q1. - 特許庁

可変利得増幅回路10では、トランジスタTri並びに該トランジスタTriに接続される少なくとも一つのエミッタ抵抗Reijおよびコレクタ抵抗Rciを含むエミッタ接地回路16−iを有する単位増幅回路12−iが、縦列に複数接続される。例文帳に追加

A variable gain amplifier circuit 10 has a plurality of unit amplifier circuits 12-i connected in tandem, each including a grounded emitter connection circuit 16-i having a transistor Tri, at least one emitter resistor Reij connected to the transistor Tri, and a collector resistor Rci. - 特許庁

圧電発振回路は、発振用トランジスタTR1のベース・接地間に負荷容量の一部となるコンデンサCbeとコンデンサCeとの直列回路を挿入接続し、この直列回路の接続中点Aと発振用トランジスタTR1のエミッタエミッタ抵抗Reを接続する。例文帳に追加

The piezoelectric oscillation circuit inserts and connects a serial circuit between a capacitor Cbe and a capacitor Ce to be a part of load capacity between a base and a ground of a transistor TR1 for oscillation and connects an emitter resistor Re with a connection midpoint A of the serial circuit and an emitter of the transistor TR1 for oscillation. - 特許庁

発振用トランジスタTR1のベースと接地間に負荷容量の一部となるコンデンサC1とコンデンサC2との直列回路を接続し、この直列回路の接続中点と発振用トランジスタTR1のエミッタとを接続し、更に、エミッタ接地との間にエミッタ抵抗R1を接続する。例文帳に追加

A series circuit including capacitors C1 and C2 as one part of a load capacitance is connected between a base and a ground of an oscillation transistor TR1, an emitter of the oscillation transistor TR1 is connected to a connection middle point of the series circuit, and an emitter resistor R1 is connected between the emitter and the ground. - 特許庁

エミッタ共通差動トランジスタ回路は、第1の差動トランジスタ回路11と、ベース接地トランジスタ回路12と、第2の差動トランジスタ回路13とを有する。例文帳に追加

This common-emitter differential transistor circuit is provided with a first differential transistor circuit 11, a grounded base transistor circuit 12, and a second differential transistor circuit 13. - 特許庁

エミッタ電極20e1と接地電位点との間に、増幅器6及び集積増幅回路12の電源端子A、B、C、Dが、直列に接続され、エミッタ電極20e2と接地電位点との間に、増幅器8の2つの電源端子E、Fが接続されている。例文帳に追加

Between the emitter electrode 20e1 and the ground potential point, the amplifier 6 and power supply terminals A, B, C and D of the integrated amplifying circuit 12 are connected in series, and between the emitter electrode 20e2 and the ground potential point, two power supply terminals E and F of the amplifier 8 are connected. - 特許庁

この高周波発振回路は、発振用トランジスタTR1のベース・接地間に負荷容量の一部となるコンデンサC1とC2を接続し、この接続点から発振用トランジスタTR21のエミッタに接続してエミッタ抵抗R1を介して接地する。例文帳に追加

In the high frequency oscillation circuit, capacitors C1 and C2 to become a part of load capacitance are connected between a base of an oscillation transistor TR1 and the ground, connected from the connecting point to an emitter of the oscillation transistor TR1 and grounded via an emitter resistor R1. - 特許庁

その結果、この電力増幅回路はフィルタが通しにくい周波数の入力信号にはコレクタ出力型(エミッタ接地)電力増幅器として動作し、フィルタが通し易い周波数の入力信号にはエミッタ出力型(コレクタ接地)電力増幅器のように動作する。例文帳に追加

As a result, this power amplifier circuit is operated as a collector output (emitter-grounded) power amplifier for the input signal of a frequency hardly passing the filter, and is operated as an emitter output (collector-grounded) power amplifier for the input signal of a frequency easily passing the filter. - 特許庁

この高周波発振回路は、発振用トランジスタTR1のベース・接地間に負荷容量の一部となるコンデンサC1とC2を接続し、この接続点から発振用トランジスタTR21のエミッタに接続してエミッタ抵抗R1を介して接地する。例文帳に追加

In the high-frequency piezoelectric oscillator, capacitors C1, C2 that are parts of load capacitors are connected between the base of an oscillation transistor TR1 and the ground, the connecting point between the capacitors C1, C2 is connected to the emitter of the oscillation transistor TR21 and is also connected to ground via a resistor R1. - 特許庁

一方、増幅回路2は負性抵抗を示すトランジスタTrと、ベース−エミッタ間に接続された帰還用キャパシタC1と、エミッタ接地との間に接続されたキャパシタC2とを備え、トランジスタTrのベースを共振回路1のインダクタLsに接続している。例文帳に追加

An amplification circuit 2 is provided with a transistor Tr showing negative resistance, a capacitor C1 for feedback connected between the base and the emitter, and a capacitor C2 connected between the emitter and the earth, and the base of the transistor Tr is connected to the inductor Ls of the resonance circuit 1. - 特許庁

発振用トランジスタTR1のベース・接地間にコンデンサC1とコンデンサC2との直列回路を挿入接続し、この直列回路の接続中点Aと発振用トランジスタTR1のエミッタとを接続すると共に、エミッタ抵抗R1を接続する。例文帳に追加

A serial circuit of a capacitor C1 and a capacitor C2 is inserted and connected between a base and a ground of a transistor TR1 for oscillation, a connection midpoint A of the serial circuit is connected with an emitter of the transistor TR1 for oscillation and an emitter resistance R1 is connected. - 特許庁

したがって、各トランジスタQ25、Q26のバイアス電圧は、可変利得回路の出力DC電圧に比例して変動し、可変利得回路の出力DC電圧に比例したトランジスタQ25、Q26のエミッタ電位がエミッタ接地型トランジスタQ27、Q28のコレクタに与えられる。例文帳に追加

Accordingly, the bias voltage of the respective transistors Q25, Q26 fluctuates in proportion to an output DC voltage of the variable gain circuit, and emitter potentials of the transistors Q25, Q26 in proportion to the output DC voltage of the variable gain circuit are supplied to collectors of emitter grounded transistors Q27, Q28. - 特許庁

フォトカプラ絶縁回路2の出力信号を、第1の相補型エミッタフォロワ回路21によって電流増幅し、相補型ベース接地回路22に与える。例文帳に追加

An output signal of a photocoupler insulating circuit 2 is current-amplified by a first complementary type emitter follower circuit 21 and given to a complementary type base grounding circuit 22. - 特許庁

フォワード回路は、入力信号が入力されるベース接地トランジスタ、伝達インピーダンス特性を有する回路、電圧出力するエミッタホロアトランジスタを備えた電流制御電圧出力回路である。例文帳に追加

The forward circuit is a current-controlled voltage output circuit, including a base-grounded transistor to which the input signal is input, a circuit having a transfer impedance characteristic, and an emitter-follower transistor for outputting voltage. - 特許庁

回路ブロックBは、ベース接地形増幅回路に構成されたトランジスタQ2でトランジスタQ1のエミッタ出力を増幅し、このコレクタ出力をベース回路(またはコレクタ)に同相で正帰還させる。例文帳に追加

The transistor Q2 configured to be a common base amplifier circuit in a circuit block B amplifies an emitter output of the transistor Q1 and its collector output is positively fed back in phase to a base circuit (or collector). - 特許庁

高周波信号を順に増幅するように増幅器6、8、集積増幅回路12の入出力が接続され、集積増幅回路12の出力信号をエミッタ共通接続のダブルエミッタトランジスタ20がベース電極に受けて増幅し、コレクタ電極から出力し、エミッタ電極20e1、20e2が接地電位点に接続されている。例文帳に追加

Inputs to and outputs from amplifiers 6 and 8 and an integrated amplifying circuit 12 are so connected as to sequentially amplify high frequency signals, and output signals of the integrated amplifying circuit 12 are received by a common emitter-connected double emitter transistor 20 at its base electrode, amplified thereby and outputted from its collector electrode, while its emitter electrodes 20e1 and 20e2 are connected to a ground potential point. - 特許庁

弾性表面波フィルタ10の前段回路エミッタ接地アンプ21、弾性表面波フィルタ10の後段回路にベース接地アンプ31を用いて、前段回路の出力インピーダンスを、後段回路の入力インピーダンスよりも大きくする。例文帳に追加

An emitter-grounding amplifier 21 is used for a preceding circuit of a surface acoustic wave filter 10, a base grounding amplifier 31 is used for a succeeding circuit of the surface acoustic wave filter 10, and the output impedance of the preceding circuit is set larger than the input impedance of the succeeding circuit. - 特許庁

一系統のアナログ信号入力を備えるエミッタ接地回路18は、入力端子18aから入力された電圧信号J1を電流信号に変換するとともに、再生時に高周波発振回路20から出力される信号がエミッタ接地回路18の電流信号に加算するように構成する。例文帳に追加

An emitter grounded circuit 18 having a single circuit analog signal input system converts a voltage signal J1 inputted from an input terminal 18a into a current signal, and is so structured that a signal output from a high frequency oscillator circuit 20 is added to the current signal of the emitter grounded circuit 18 at the time of regeneration. - 特許庁

差動対と、当該差動対にカスコード接続されたベース接地増幅回路と、アクティブ負荷を含む初段増幅部と、エミッタフォロア回路と定電流負荷回路を備えたインバータを含む2段目増幅部と、ソースフォロア回路又はエミッタフォロア回路を含む3段目増幅部を備えた演算増幅器。例文帳に追加

The operational amplifier includes: a first amplifier section including a differential pair, a common base amplifier circuit in cascade connection to the differential pair, and an active load; a second stage amplifier section including an emitter follower circuit and a constant load circuit; and a third stage amplifier section including a source follower circuit or an emitter follower circuit. - 特許庁

可変利得回路の内部制御電圧に対してエミッタ接地型トランジスタ及びベース接地型トランジスタの飽和を防止し、大振幅信号出力を得る。例文帳に追加

To prevent saturation of an emitter grounded transistor and a base grounded transistor with respect to an internal control voltage of a variable gain circuit to obtain a large amplitude signal outputs. - 特許庁

トランジスタ100のコレクタと電源端子との間に薄膜抵抗30により構成される第1の回路3を接続し、エミッタ接地端子との間に半導体抵抗40により構成される第2の回路4を接続する。例文帳に追加

A first circuit 3 composed of a thin-film resistance 30 is connected between the collector of a transistor 100 and a power terminal and a second circuit 4 composed of a semiconductor resistor 40 is connected between the emitter and a ground terminal. - 特許庁

本発明は、発振回路の信号をベース入力型のトランジスタに供給すると共に、該トランジスタのエミッタ出力をベース接地型増幅回路に供給した構成にしたことを特徴とする。例文帳に追加

The oscillator circuit is characterized in that a signal of the oscillation circuit is fed to a base input transistor and an emitter output of the transistor is fed to a common base amplifier circuit. - 特許庁

本発明のバイアス回路は、制御電圧入力端子から電流制限抵抗を介して接地電位との間に接続される電圧安定部と、前記電流制限抵抗と電圧安定部の間のノードと抵抗を介しベースが接続されるバイアス供給用エミッタフォロワと、前記バイアス供給用エミッタフォロワのベースとエミッタの間に接続される前記電流制限部とを有している。例文帳に追加

This bias circuit is provided with: a voltage stabilizing part connected from a control voltage input terminal through a current limiting resistance to a ground potential; an emitter follower for bias supply whose base is connected through the resistance to a node between the current limiting resistance and the voltage stabilizing part; and a current limiting part connected between the base and emitter of the emitter follower for bias supply. - 特許庁

このエミッタフォロワ出力より初段トランジスタQ_1のエミッタ回路へ帰還することにより正帰還回路pが構成され、出力端子より初段トランジスタQ_1のベース回路へ帰還することにより負帰還回路nが構成されるので、このベース入力端子と接地間に負性抵抗が発生する。例文帳に追加

Since a positive feedback circuit p is formed by feeding back to the emitter circuit of the first stage transistor Q_1 from the emitter follower output, and a negative feedback circuit n is formed by feeding back to the base circuit of the first-stage transistor Q1 from the output terminal, a negative resistance is generated between the base input terminal and the ground. - 特許庁

発振回路1は水晶振動子X1、コンデンサC1、C2、C3により形成される発振ループと、発振用のトランジスタQ1とで構成されるピアース型発振回路とし、前記発振用トランジスタQ1のエミッタと共通の電位のエミッタをもつトランジスタQ2によるベース接地型の増幅回路2で発振回路出力を増幅する。例文帳に追加

An oscillation circuit 1 is a pierced oscillation circuit comprised of a crystal vibrator X1, an oscillation loop formed of capacitors C1, C2 and C3 and an oscillation transistor Q1, and an osicillation circuit output is amplified by a base grounded amplifier circuit 2 constructed of a transistor Q2 having an emitter of potential in common with an emitter of the oscillation transistor Q1. - 特許庁

例文

エミッタ接地増幅回路を構成する第1のトランジスタQ1のコレクタに対して、ベース接地増幅回路を構成する第2及び第3のトランジスタQ2、Q3のエミッタをそれぞれ接続し、第2及び第3のトランジスタQ2,Q3のコレクタに抵抗R1、RLを介して電源端子を接続する。例文帳に追加

Emitters of second and third transistors Q2, Q3 constituting a base-grounded amplifier circuit are respectively connected to a collector of a first transistor Q1 constituting an emitter-grounded amplifier circuit and a power source terminal is connected to collectors of the second and third transistors Q2, Q3 via resistors R1, R2. - 特許庁

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