「ショットキー接合」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ショットキー接合型半導体デバイス例文帳に追加

SCHOTTKY JUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ショットキー接合型半導体装置の製造方法例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING SCHOTTKY JUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ショットキー接合型不揮発性メモリ例文帳に追加

SCHOTTKY JUNCTION TYPE NONVOLATILE MEMORY - 特許庁

ショットキー接合型半導体光検出素子例文帳に追加

SCHOTTKY JUNCTION SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR - 特許庁

ショットキー接合接点を備えたユニポールフォトダイオード例文帳に追加

UNIPOLAR PHOTODIODE HAVING SCHOTTKY JUNCTION CONTACT - 特許庁

アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。例文帳に追加

The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer. - 特許庁

第２半導体層は、金属部とショットキー接合している。例文帳に追加

The second semiconductor layer is Schottky coupled to the metal portion. - 特許庁

接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）一体構造が提供される。例文帳に追加

An integral structure of a junction barrier Schottky (JBS) is provided. - 特許庁

ショットキー接合形成用半導体基板、それを使用した半導体素子、およびショットキーバリアダイオード例文帳に追加

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR FORMING SCHOTTKY JUNCTION, SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND SCHOTTKY BATTIER DIODE - 特許庁

保護リングは、ショットキー接合又はショットキーダイオードの一部である半導体領域に形成される。例文帳に追加

A guard ring is formed in a semiconductor region that is part of a Schottky junction or Schottky diode. - 特許庁

ショットキー電極３０は、ＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されており、ソース電極２４に電気的に接続されている。例文帳に追加

The Schottky electrodes 30 are Schottky-connected to an AlGaN layer 20 and are electrically connected to the source electrode 24. - 特許庁

各ショットキーバリアダイオードをメサ状に形成し、各ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部に高抵抗ポリシリコンや１０Å以下の酸化膜や複数の中間遷移準位を形成する。例文帳に追加

Each Schottky barrier diode is formed in mesa, and a high resistance polysilicon, an oxide film 10 Å or less, and an intermediate transient level are formed at the Schottky junction of each Schottky barrier diode. - 特許庁

ジャンクションバリアショットキー構造をもつダイオードにおいて、ショットキー接合部の逆サージ耐量を改善することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier diode, having a junction barrier Schottky structure, that enables improvement of reverse surge withstand capability of a Schottky junction portion. - 特許庁

ショットキーダイオード、ｐｎ接合ダイオード、ｐｉｎ接合ダイオード、および製造方法例文帳に追加

SCHOTTKY, P-N JUNCTION DIODE, AND PIN JUNCTION DIODE AND THEIR MANUFACTURING METHOD - 特許庁

そして、カソード電極１４と半導体検出部１３との接合は、ショットキー型接合である。例文帳に追加

The cathode electrode 14 is joined to the detection part 13 by means of a Schottky-type joint. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴにショットキー接合を内蔵させるときに、ショットキー接合はＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６とゲート電極１０と隔てられた場所に配置し、ショットキー接合の端部をｐ型の浅い接合によって囲まれるようにする。例文帳に追加

When incorporating a Schottky junction into a MOSFET, the Schottky junction is positioned at a place distant from a p-body region 6 and a gate electrode 10 of the MOSFET so that the ends of the Schottky junction are surrounded by p-type shallow junctions. - 特許庁

さらには、ｎ型層１とショットキー接続されるアノード電極をさらに設けることによって、Ｐ−Ｎ接合とショットキー接合とが複合してなる構造とすることで、ショットキー接合に由来する、電流立ち上がり時の電圧を小さくできるという効果も併せて得ることができる。例文帳に追加

Furthermore, when a structure compounding a P-N junction and a Schottky junction is employed by further providing an anode electrode making Schottky connection with the n-type layer 1, such an effect as the voltage can be reduced when the current rises can be attained through Schottky junction. - 特許庁

少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード例文帳に追加

SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION - 特許庁

ｎ- 層31とショットキー接合を形成するアノード電極36が形成されている。例文帳に追加

An anode electrode 36 is formed, to compose a schottky junction with the n-layer 31. - 特許庁

アノード電極４は、チャネル層３とショットキー接合を有するように形成されている。例文帳に追加

The anode electrode 4 is formed so as to have the channel layer 3 and a Schottky junction. - 特許庁

ｎオフセット領域６にアノード電極１５を設けてショットキー接合１６を形成する。例文帳に追加

A Schottky junction 16 is formed by providing an anode electrode 15 in an n-offset region 6. - 特許庁

ショットキー接合ダイオード等に比べて高いアバランシェ耐量を実現することを課題とする。例文帳に追加

To actualize a high avalanche resistance compared with that of a Schottky junction diode or the like. - 特許庁

ショットキー接合・ソース／ドレイン１１５上にソース／ドレイン電極１１４が形成されている。例文帳に追加

A source/drain electrode 114 is formed on the Schottky junction source/drain 115. - 特許庁

これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。例文帳に追加

Thus, the formation of a gate electrode having a good Schottky junction is obtained. - 特許庁

Ｎｉを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。例文帳に追加

The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni. - 特許庁

さらに、ショットキー接合後に窒素ガス雰囲気下で６００℃、３０秒の熱処理を行う。例文帳に追加

Further, after the Schottky junction, heat treatment is performed under a nitrogen gas atmosphere at 600°C, for 30 seconds. - 特許庁

ｎ-半導体領域５とソース金属層４とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The n^- semiconductor area 5 and the source metallic layer 4 are Schottky-joined with each other. - 特許庁

ゲート電極２０３は、ｎ−ＡｌＧａＮ層１０４とショットキー接合を形成している。例文帳に追加

The gate electrode 203 is formed in a Schottky junction with the n-AlGaN layer 104. - 特許庁

ショットキー接合を形成する金属層を異なるφＢｎを有する２種類の金属層とする。例文帳に追加

Metal layers forming a Schottky junction are two kinds of metal layers having different ϕBn. - 特許庁

ショットキー接合領域に、正六角形状のＰ＋型半導体領域を複数設ける。例文帳に追加

A plurality of right hexagonal P+ type semiconductor regions are provided in a Schottky junction region. - 特許庁

シリサイド層７と低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２はショットキー接合を形成する。例文帳に追加

The silicide layer 7 and the low-concentration n-type SOI layer 12 form a Schottky junction. - 特許庁

ダイオードはたとえば、ＰＮダイオード、ヘテロ接合ダイオード、ショットキーダイオードなどである。例文帳に追加

As the diode, e.g. a PN diode, a heterojunction diode, a Schottky diode, etc., can be used. - 特許庁

つまり、ショットキー接合界面で発生したリーク電流がカソード側に漏れるのを遮断できる。例文帳に追加

In other words, a leak current generated on the Schottky junction interface and flowing to the cathode side can be interrupted. - 特許庁

層端部１４ａの表面でのショットキー接合が消滅し、電界集中を無くすことができる。例文帳に追加

On the top surface of the layer end part 14a, the Schottky junction disappears to eliminate electric field concentration. - 特許庁

また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The surface negative electrode 7 and the barrier layer 6 are subjected to Schottky junction. - 特許庁

順方向特性を犠牲にすることなく、優れた逆方向特性を備えたショットキー接合構造を有する半導体素子およびショットキーバリアダイオードと、これを形成するためのショットキー接合形成用半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element having Schottky junction structure superior in backward direction characteristic, without sacrificing the forward direction characteristic, a Schottky barrier diode, and a semiconductor substrate for forming a Schottky junction for forming the diode. - 特許庁

ｎ因子を増加させることなく、ショットキー障壁高さを電力損失が最小となる範囲内において所望の値に制御可能な、ショットキー電極としてＴａ電極を用いた炭化珪素ショットキー接合型半導体素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide Schottky junction semiconductor device capable of controlling a Schottky barrier height to a desired value, in a range of making a power loss minimum without increasing n-factors while using a Ta electrode as a Schottky electrode, and its manufacturing method. - 特許庁

半導体と金属との接合時に自然に形成されるショットキートンネル障壁をトンネル障壁として用いたショットキー障壁トンネルトランジスタのゲート側壁の損傷によるリーク電流を最小化するショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky tunnel barrier transistor, capable of minimizing leakage current due to the damage of the gate sidewall of a Schottky tunnel barrier transistor that uses a Schottky tunnel barrier formed naturally in joining of a semiconductor and a metal, as a tunnel barrier. - 特許庁

本発明は、４Ｈ型のＳｉＣ半導体１３にショットキー電極１５が接合されてなるショットキーダイオード１０において、ショットキー電極１５と接するＳｉＣ半導体１３の面方位が、｛０３−３８｝面、またはこの面から１０°以内のオフ角を有する面であることを特徴としている。例文帳に追加

In the Schottky diode 10, where a Schottky electrode 15 is joined to a 4H-type SiC semiconductor 13, the orientation of an SiC semiconductor 13 that comes into contact with the Schottky electrode 15 should have a {03-38} surface, or a surface at an off angle that is within 10° from the surface. - 特許庁

金属酸化物膜と導電性高分子膜を積層してショットキー接合素子を形成する際に、従来よりもコストを抑え、且つ、所望の特性を有するショットキー接合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky junction element having desired characteristics while reducing the cost when the Schottky junction element is formed by laminating a metal oxide film and a conductive polymer film. - 特許庁

ショットキーダイオード２２は、シリコンを含む半導体材料から成る半導体層２３と、Ａｌ−Ｓｉから成る電極２８とを含み、半導体層２３と電極２８とがショットキー接合している。例文帳に追加

A Schottky diode 22 includes a silicon-containing semiconductor layer 23 and an electrode 28 of Al-Si, where the semiconductor layer 23 and the electrode 28 are joined together to form a Schottky junction. - 特許庁

ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。例文帳に追加

A Schottky electrode 53 is formed in an exposure range on a top surface side including side surfaces 6 of the grooves 2 to form a Schottky junction J2 with the n-type semiconductor region 30. - 特許庁

ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。例文帳に追加

There are also provided: a silicon carbide Schottky diode including a silicon carbide junction barrier region disposed within a drift region of the diode; and a method for manufacturing the silicon carbide Schottky diode. - 特許庁

順方向の場合の抵抗が増加するのを抑制し、ショットキー接合領域の低減によるＶＦ特性劣化を防止するショットキーダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier diode capable of preventing an increase in resistor in a forward direction and preventing deterioration in VF characteristics due to reduction of a Schottky contact region. - 特許庁

裏面にショットキー接合を備えた縦型ＭＯＳ電界効果トランジスターにおいて、ショットキー金属のバリア高さを考慮した最適条件の設定と、デバイスの実用化を図る。例文帳に追加

To contrive to set optimal conditions considering a barrier height of a Schottky metal and practice a device in a vertical-type MOS field-effect transistor comprising a Schottky junction on its reverse face. - 特許庁