「ショットキー接合」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

エピタキシャル層のショットキー接合表面には凹凸が形成されて、アノード電極の下面がその凹凸に沿った凹凸形状を有し、離間埋め込み層は、アノード電極の下面の凹凸形状における可能凸部４ａから離間してその下方に位置するとともに、ガードリングと離間している。例文帳に追加

Irregularities are formed on the Schottky junction surface of the epitaxial layer, the lower surface of the anode electrode has an irregular shape along the irregularities, and the separation embedded layer is isolated from a lower projection 4a in the irregular shape of the lower surface of the anode electrode for positioning at the lower portion and is isolated from the guard ring. - 特許庁

シリコン基板上に集積化した波数マッチング構造と、第１表面が前記シリコン基板の低濃度にドープされた領域及びドープされていない領域のいずれかに隣接し、ショットキー接合を形成する、第１伝導性電極と、前記第１伝導性電極の第２表面に隣接する誘電体と、前記シリコン基板に形成される第２伝導性電極とを備える集積化光電センサを提供する。例文帳に追加

The integrated opto-electric sensor comprises a wavenumber matching structure integrated on a silicon substrate, a first conductive electrode that is adjacent to one of a lightly doped and an undoped region in the silicon substrate to form a Schottky junction, a dielectric adjacent to the second surface of the first conductive electrode, and a second conductive electrode formed at the silicon substrate. - 特許庁

オンチップ形態の静電放電（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保護回路を持つ半導体素子であって、半導体基板内で第２導電型領域と接触する第１導電型領域を持つ第１接合ダイオードと、前記第１導電型領域上に接触する位置に配置された金属系材料層を備える第１ショットキーダイオードとを有する。例文帳に追加

In the semiconductor device having the on-chip type electrostatic discharge (ESD) protection circuit, the on-chip type ESD protection circuit may include a first junction diode having a first conductivity region contacting a second conductivity region in a semiconductor substrate, and a first schottky diode having a metallic material layer arranged on and contacting the first conductivity region of the semiconductor substrate. - 特許庁

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes a source region 10 in contact with a silicon substrate 1 for forming a Schottky junction, a drain region 11, and an insulation layer provided to coat an area where a border between the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and an area where a border between the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed. - 特許庁

電子放出部の厚みは５〜１５０ｎｍであって、該酸化物としてはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種類以上の元素を主体とする酸化物であり、下地導電膜はこれらの金属もしくは貴金属で、電子放出部と下地導電膜間がショットキー接合されている。例文帳に追加

The thickness of the electron emitting part is 5-150 nm and the oxide is an oxide made of mainly at least one or more kinds of elements of Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, and W and the substrate conductive film is made of these metals or precious metals, and the electron emitting part and the substrate conductive film are Schottky jointed. - 特許庁

内外部に多数の微細孔１が形成された多孔体２を有し、この多孔体２には微細孔１を塞ぐことなく光触媒３が担持されており、多孔体２は、光触媒３との間でショットキー接合する性質を有する遷移金属の単体、またはこれらの複数を組み合わせた混合物からなる一方、光触媒３は結晶化された金属酸化物からなる。例文帳に追加

The filter has a porous body 2 which include many fine pores 1 in the inner part and the outer part and carries a photocatalyst 3 without closing the fine pores 1, wherein the porous body 2 consists of a single element of a transitional metal having a property carrying out the Schottky joining with the photocatalyst 3, or a mixture with a plurality of elements combined, while the photocatalyst 3 consists of a crystallized metal oxide. - 特許庁

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。例文帳に追加

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1. - 特許庁

基板上に第１の窒化物半導体層とガリウムを含まない第２の窒化物半導体層が積層形成されており、第１の窒化物半導体層に接合する第１のアノード電極と、第２の窒化物半導体層のみに接合する第２のアノード電極を構成する電極金属を適宜選択することによって、第１および第２のアノード電極それぞれのショットキーバリアの高さが異なるように構成している。例文帳に追加

A first nitride semiconductor layer and a second nitride semiconductor layer not containing gallium are laminated and formed on a substrate, and by appropriately selecting electrode metals constituting a first anode electrode bonded to the first nitride semiconductor layer and a second anode electrode bonded only to the second nitride semiconductor layer, the heights of the Schottky barriers of the respective first and second anode electrodes are made different. - 特許庁

本発明の一態様に係るトランジスタ１００は、導体領域１０ａと表面に原子が結合した半導体領域１０ｂとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜１０と、グラフェン膜１０上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、を有し、導体領域１０ａと半導体領域１０ｂが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。例文帳に追加

The transistor 100 in one embodiment includes: a graphene film 10 which has a conductor region 10a and a semiconductor region 10b where atoms are bonded to a surface, and functions as a channel; and a gate electrode 12 formed on the graphene film 10 with a gate insulating film 11 interposed, wherein a tunnel current of a Schottky junction that is formed by the conductor region 10a and semiconductor region 10b is used for switching operation. - 特許庁